公开(公告)号：CN114878605B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202210345490.3

申请日：2022-03-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 朱宇波 ,  母志强 ,  朱雷 ,  李卫民 ,  俞文杰

IPC: G01N23/20008 ,  G01N23/207

Abstract: 本发明提供一种高通量薄膜压电性能综合表征装置及方法，装置包括：同步辐射光源光束发射器、光接收器、样品台、电源及电极选择器、加热测温装置。本发明通过对同一衬底的压电薄膜移动定位实现薄膜压电性能的高通量表征；同时利用同步辐射光源照射下采集到的X射线图谱对特定材料的唯一性，避免了衬底的干扰；另外利用同步辐射光源对物体晶格常数超高的分辨能力，有效提高了压电系数的测量精度；最后，配合原位加热和测温装置，在测量压电系数后可以在同一实验中对同一压电薄膜区域的居里温度进行即时原位测量，提高了对压电薄膜压电性能综合表征的效率。

公开(公告)号：CN116949564A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202210406596.X

申请日：2022-04-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 母志强 ,  姜文铮 ,  朱宇波 ,  陈玲丽 ,  俞文杰 ,  李卫民

IPC: C30B23/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/40 ,  H03H3/02

Abstract: 本发明提供一种绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：提供一绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底包括位于顶层硅、埋氧层、背衬底中的任一者中或任意相邻两者之间的界面处的多个空腔；在第一生长温度下于顶层硅上外延生长AlN缓冲层；在第二生长温度下于AlN缓冲层上外延生长第一AlN层；在第三生长温度下于第一AlN层上外延生长第二AlN层。本发明利用内嵌空腔的绝缘体上硅衬底，减少高温生长单晶AlN薄膜时晶格失配及热失配所带来的影响，从而可以实现无裂纹的单晶AlN薄膜生长。

公开(公告)号：CN114878605A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210345490.3

申请日：2022-03-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 朱宇波 ,  母志强 ,  朱雷 ,  李卫民 ,  俞文杰

IPC: G01N23/20008 ,  G01N23/207

Abstract: 本发明提供一种高通量薄膜压电性能综合表征装置及方法，装置包括：同步辐射光源光束发射器、光接收器、可移动样品台、电源及电极选择器、加热测温装置。本发明通过对同一衬底的压电薄膜移动定位实现薄膜压电性能的高通量表征；同时利用同步辐射光源照射下采集到的X射线图谱对特定材料的唯一性，避免了衬底的干扰；另外利用同步辐射光源对物体晶格常数超高的分辨能力，有效提高了压电系数的测量精度；最后，配合原位加热和测温装置，在测量压电系数后可以在同一实验中对同一压电薄膜区域的居里温度进行即时原位测量，提高了对压电薄膜压电性能综合表征的效率。