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公开(公告)号：CN118198068A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410207652.6
申请日：2024-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及一种互补型场效应晶体管(CFET)器件及其制备方法，其特点在于在同一器件沟道阵列中同时制备全包围栅结构n、p型晶体管，并通过对不同沟道区域设置不同材料、厚度的功函数层，分别调控CFET器件n、p型晶体管的阈值电压，且其制备工艺实现较为简单，可兼容常规CMOS工艺节点，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN118198067A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410207242.1
申请日：2024-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及一种多阈值纳米片全包围栅场效应晶体管(GAAFET)器件阵列及其制备方法，其特点在于设置沟道区，跨设于所述空腔之上，包括第一沟道和第二沟道，所述第一沟道和第二沟道的厚度不同，得到不同厚度的纳米片。此外，对第一沟道和第二沟道设置不同厚度的功函数层，进一步控制不同沟道区域器件的阈值电压。本发明通过调控纳米片的不同厚度与沟道间距以及金属栅电极厚度以精确控制并实现GAAFET的多阈值，且其制备工艺实现较为简单，可兼容常规CMOS工艺节点，具有良好的市场应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116435307A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310428553.6
申请日：2023-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供一种互补型场效应晶体管的制备方法，利用具有内嵌空腔的绝缘体上半导体衬底，所述空腔介于第一绝缘层与顶半导体层之间且设置于第二绝缘层中，通过形成假栅结构，以假栅结构作为掩膜进行源区及漏区的自对准注入，可有效提高工艺稳定性以及注入精度，降低了制备环栅晶体管的工艺复杂度，并且可有效降低器件的制造成本。本发明制备出三维堆叠的互补型场效应晶体管，有利于器件集成度的提高，不仅可运用于先进工艺节点器件，也可用于对成熟工艺节点进行性能升级，与常规CMOS工艺的良好兼容，进一步释放了互补型场效应晶体管的应用潜力。
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公开(公告)号：CN119132909A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411278494.X
申请日：2024-09-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种纳米真空沟道晶体管及其制备方法，本发明的纳米真空沟道晶体管中，发射极具有与收集极相对设置的尖端，于发射极和收集极之间限定一纳米间隙，能够实现纳米级的沟道，使得真空度对场发射晶体管的影响降低，栅电极设置于发射极和收集极的上方、下方和两侧中的至少一处，赋予器件所需的栅极控制能力，从而实现较低工作电压下器件的高速通断。通过本发明的制备方法中，采用成熟的光刻技术形成发射极的步骤之后，于发射极的侧壁形成牺牲侧墙结构，利用牺牲侧墙结构限定发射极与收集极之间的纳米间隙，保证真空沟道的纳米级加工精度，能够与CMOS工艺高度兼容，大幅降低器件的制造成本，工艺一致性高等优势。
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公开(公告)号：CN118198131A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410207650.7
申请日：2024-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种全包围栅铁电场效应晶体管及其制备方法，其特点在于设置沟道区，跨设于所述空腔之上，通过在沟道区处生长全包围栅铁电极介质层，形成全包围栅铁电场效应晶体管，使其具有优秀的电荷输运控制能力，且制备工艺兼容传统CMOS工艺节点，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN118213390A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410207649.4
申请日：2024-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/15 , H01L29/775 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种栅全包围核壳超晶格场效应晶体管器件及其制备方法，包含衬底层、绝缘层、沟道区、环绕栅结构、源区、漏区；其中所述绝缘层设于衬底层上，所述的绝缘结构中设有凹槽；所述沟道区跨设于所述凹槽之上，凹槽向上朝沟道区延伸，使得沟道区厚度小于源漏区的厚度，在确保栅控制能力的同时也避免了源漏区的电阻过大。所述沟道区包括中心沟道及2层以上外延层，具有核壳超晶格结构。本发明能够提供更好的电荷输运控制和更高的载流子迁移率，且其制备工艺实现较为简单，可兼容常规CMOS工艺节点，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN118248718A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410207647.5
申请日：2024-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/15 , H01L29/775 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种核壳超晶格场效应晶体管器件及其制备方法，包含衬底层、绝缘层、沟道区、环绕栅结构、源区、漏区；其中所述绝缘层设于衬底层上，所述的绝缘结构中设有凹槽；所述沟道区跨设于所述凹槽之上，凹槽向上朝沟道区延伸，所述沟道区包括中心沟道及2层以上外延层，具有核壳超晶格结构。背栅部分通过绝缘结构与源漏区域隔离开，进一步降低背栅部分与源漏区域的寄生电容。顶栅通过侧墙工艺以及假栅工艺获得对准精度提升的环绕栅结构并避免了顶栅过大而与源漏区域形成的交叠区域。本发明能够提供更好的电荷输运控制和更高的载流子迁移率，且其制备工艺实现较为简单，可兼容常规CMOS工艺节点，具有良好的市场应用前景。
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