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公开(公告)号：CN114137379A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111284371.3
申请日：2021-11-01
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种LRRM校准件的制备方法及LRRM校准件。该方法包括：LRRM校准件包括一个传输线、两个开路、两个短路以及两个负载，方法包括：获取衬底参数和衬底上设置的金属的参数，根据衬底参数和金属参数，得到传输线横截面尺寸；根据传输线横截面尺寸，确定开路、短路以及负载的横截面尺寸；根据传输线横截面尺寸、开路的横截面尺寸、短路的横截面尺寸以及负载的横截面尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载的电阻进行激光修阻；对修阻后的校准件中的传输线、反射和负载进行参数标定，得到LRRM校准件。本发明能够解决目前没有LRRM校准件的制备方法的问题。
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公开(公告)号：CN114113816A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111222601.3
申请日：2021-10-20
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R29/26
摘要： 本发明适用于微波技术领域，提供了一种太赫兹频段噪声参数的测量系统及测量方法，上述系统包括：信号源、混频装置、至少五个噪声源、开关装置及噪声接收机；至少五个噪声源分别通过开关装置与待测件的输入端连接；其中，每次仅有一个噪声源与待测件的输入端连通；混频装置的第一输入端与待测件的输出端连接，混频装置的第二输入端与信号源连接，混频装置的输出端与噪声接收机连接；至少五个噪声源用于通过开关装置为待测件提供至少五个不同的源阻抗状态。本发明提供了一种太赫兹频段噪声测量系统，通过至少五个噪声源提供五种不同的源阻抗状态，修正待测件源阻抗失配引入的系统误差，提高了太赫兹频段噪声参数测量的准确度。
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公开(公告)号：CN112098792A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010819047.6
申请日：2020-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明适用于晶圆级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种两端口在片校准件模型和参数确定的方法，该方法包括：通过测量第一频段对应的单端口在片校准件模型，得到第一S参数；根据第一S参数计算得到单端口在片校准件模型对应的两端口在片校准件模型的本征电容值；测量太赫兹频段对应的两端口在片校准件模型，得到第二S参数；根据第二S参数和本征电容值，计算得到两端口在片校准件模型的寄生电容值和寄生电阻值。本发明提供的不同的两端口在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同两端口在片校准件模型中参数的计算方法。
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公开(公告)号：CN111983538A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010682832.1
申请日：2020-07-15
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明提供了一种在片S参数测量系统校准方法及装置，该方法包括：在扩频模块的波导/同轴端未连接微波探针时，对在片S参数测量系统进行初次校准，得到第一误差模型；在扩频模块的波导/同轴端连接微波探针后，扩频模块的波导/同轴端面与微波探针端面形成互易的四端口网络，基于所述互易的四端口网络构建16-term误差模型，并对16-term误差模型中的串扰误差项进行简化，基于串扰误差项简化后的16-term误差模型对在片S参数测量系统的测量精度进行校准。本发明提供的在片S参数测量系统校准方法及装置能够有效表征串扰误差量，从而对在片S参数测量系统进行有效校准，进而提高在片S参数测量系统在高频段的测试精度。
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公开(公告)号：CN111983313A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010717571.2
申请日：2020-07-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R23/20
摘要： 本发明适用于微波/毫米波测试技术领域，提供了一种噪声参数测量方法，包括：建立噪声接收机的超定方程，并根据噪声接收机的超定方程得到噪声接收机的噪声相关矩阵；建立被测件级联噪声接收机的超定方程，并根据被测件级联噪声接收机的超定方程得到被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵；根据噪声接收机的噪声相关矩阵和被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵得到被测件的噪声相关矩阵，并根据被测件的噪声相关矩阵得到被测件的噪声参数。本发明能够实现对被测件的噪声参数的准确测量，提高噪声测量的精度。
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公开(公告)号：CN111983311A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010717515.9
申请日：2020-07-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R23/20
摘要： 本发明适用于微波/毫米波测试技术领域，提供了一种噪声参数测量方法，包括：建立噪声接收机的超定方程，并根据噪声接收机的超定方程得到噪声接收机的噪声相关矩阵；建立被测件级联噪声接收机的超定方程，并根据被测件级联噪声接收机的超定方程得到被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵；根据噪声接收机的噪声相关矩阵和被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵得到被测件的噪声相关矩阵，并根据被测件的噪声相关矩阵得到被测件的噪声参数。本发明能够实现对被测件的噪声参数的准确测量，提高噪声测量的精度。
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公开(公告)号：CN108107392B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201711159640.7
申请日：2017-11-20
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明提供了多线TRL校准方法及终端设备，该方法包括：对TRL校准过程中的误差进行分析，建立用于求解传播常数和校准常数的误差分析模型；利用多根、冗余的传输线作为标准覆盖每一个频点，根据有效相移规则选取公共线，并将公共线与其它每个传输线组成线对，每组线对之间形成独立测量，并根据所述误差分析模型得到多组传播常数和校准常数的观测值；通过预处理方法对传输线的测量结果进行处理，并根据处理结果更新公共传输线。上述方法及终端设备，能够提高在片S参数测试准确度。
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公开(公告)号：CN110286345A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910429556.5
申请日：2019-05-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明提供了矢量网络分析仪在片S参数的校准方法、系统及设备，方法包括：获取矢量网络分析仪测量的第一串扰校准件的第一参数；基于第一串扰校准件的第一参数和第一串扰校准件的标定参数获得主串扰误差项；获取矢量网络分析仪基于主串扰误差项测量的第二串扰校准件的第二参数；基于第二串扰校准件的第二参数和所述第二串扰校准件的标定参数获得次串扰误差项，主串扰误差项和次串扰误差项用于校准矢量网络分析仪。通过主串扰误差项，在矢量网络分析仪测量被测件的在片S参数时进行修正，解决了测量时探针与探针之间的主要串扰误差，通过次串扰误差项，解决了主串扰误差项修正不完善引起的剩余误差，提高了在片S参数校准的准确度。
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公开(公告)号：CN106446337B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201610737112.4
申请日：2016-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种无源器件噪声标准值的计算方法，涉及噪声测量技术领域。该方法包括以下步骤：建立无源器件的散射参数‑噪声模型；根据所述无源器件的散射参数‑噪声模型得出所述无源器件的噪声相关矩阵；所述无源器件的噪声相关矩阵中包含无源器件的环境温度；根据所述无源器件的噪声相关矩阵获得所述无源器件的噪声参数标准值；根据所述无源器件的噪声参数标准值得出所述无源器件的噪声系数标准值。上述无源器件噪声标准值的计算方法，能够提高噪声标准值的计算准确度，提升噪声测量系统计量验证水平。
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公开(公告)号：CN106772172B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610985271.6
申请日：2016-10-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明公开了一种在片高低温S参数TRL校准件的设计方法，涉及测量电变量或磁变量的方法技术领域。所述方法包括以下步骤：1）在片S参数校准件的设计：针对不同的校准温度，分别设计不同温度的在片S参数校准件，在片S参数校准件采用共面波导传输线结构、TRL形式，包括直通标准件T、反射标准件R、传输线标准件L；2）在片终端电阻的设计。所述方法完成了在片高低温S参数校准件的设计与制作，完成在片校准件在不同温度下的表征，实现了不同温度下在片高低温S参数测试系统的有效校准，确保在片高低温S参数测量结果准确一致，且所述方法操作简单，校准准确度高。
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