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公开(公告)号：CN101882575B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010207716.0
申请日：2010-06-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法，其包括干法刻蚀SiC基体、划定欧姆接触的区域、在上述区域淀积金属层、高温退火，形成欧姆接触，其特征在于，在淀积金属层的步骤前面，增加下述步骤：①氧化步骤：对SiC基体进行氧化，形成厚度≥的氧化层；②去除欧姆接触的区域上的氧化层。采用本发明有效防止在高温退火的过程中，熔化的金属层会发生一定的横向扩展；便于严格按照设计要求制备欧姆电极；减少了寄生参量，提高了SiC器件或电路的性能。
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公开(公告)号：CN101567363A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910074716.5
申请日：2009-06-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/64 , H01L23/48 , H01L29/417
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种双极结型晶体管发射极的镇流电阻，属于晶体管制作领域。其结构中包括镇流电阻本体、与镇流电阻本体连接的输入引线和输出引线，输入引线和输出引线呈平面梳状排布，关键的改进是：输出引线呈等间距排布，输入引线呈疏密相间排布，形成电流的单向传输通路。本发明在不改变器件及镇流电阻基本结构的条件下，有效降低了功耗，同时避免大功率器件因“热奔”而烧毁。
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公开(公告)号：CN101246899A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810054651.3
申请日：2008-03-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/24 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅器件制备的碳化硅二次外延材料结构，包括：一碳化硅单晶体衬底，一位于衬底表面的一次同质外延层，一位于一次同质外延层表面的二次外延层，其中一次同质外延层包括p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅有源层以及非故意掺杂的本征碳化硅层。相对于采用一般结构的MESFET(金属场效应管)而言，采用二次外延方式制备得到的MESFET具有源漏电阻小、欧姆接触面积大、管内工作区域电场分布均匀等优点，可以提高跨导，提高器件的工作电压以及功率。同时，大大简化了器件制备的工艺，保证了器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN101157569A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710139335.1
申请日：2007-09-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C04B41/53
Abstract: 本发明公开了一种无损腐蚀碳化硅的方法。它应用于碳化硅(SiC)器件工艺制作领域。这种方法与通常SiC器件制作过程中使用的干法刻蚀和湿法腐蚀都不相同，它是通过对SiC晶片的选择性氧化来形成器件需要的形貌。由于不会引入干法刻蚀方法带来的损伤层，是一种真正意义上对SiC的无损伤腐蚀方法。主要工艺步骤包括在SiC晶片上淀积耐高温掩蔽层，光刻，选择腐蚀耐高温掩蔽层，高温氧化SiC晶片，去除反应生成物等。本发明的氧化的温度800℃～1450℃。使用本发明的方法时，不会损伤材料，避免了晶格损伤，减少了表面态密度。
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公开(公告)号：CN108333209B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201810168871.2
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N25/00
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT加速寿命试验方法，该方法包括：选取多个相同工艺制备的GaN HEMT器件，并将多个所述GaNHEMT器件进行随机分组，形成至少四个寿命试验组；其中，所述寿命试验组包括一个变化温度试验组和至少三个固定温度试验组；对每个所述固定温度试验组中的所述GaN HEMT器件施加相同的试验直流功率，并进行电参数测试，得到第一失效数据；对所述变化温度试验组中的所述GaN HEMT器件施加与所述固定温度试验组相同的所述试验直流功率，并进行电参数测试，得到第二失效数据；根据所述试验温度、第一失效数据和第二失效数据，获得温度‑寿命曲线。本发明能够验证GaN HEMT加速寿命试验的一致性，提高试验的可信性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104992966A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510262095.9
申请日：2015-05-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/66 , H01L21/324 , H01L21/266
CPC classification number: H01L29/66234 , H01L21/266 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种热预算低的双极高频功率晶体管芯片的制作方法。涉及半导体器件及其制造领域。该制作方法采用离子注入代替热扩散后，高硼离子注入后不进行高温热退火，而是在低硼离子注入后，一起进行一次高温退火，退火温度控制在950~1050℃，降低了晶体管制作的热预算，简化了工艺流程，避免了对晶圆片的反复高温加热，节约了能源，也降低了晶圆片经反复高温，变形的发生。
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公开(公告)号：CN103219318B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310126712.3
申请日：2013-04-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/522 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种耐高温的微波内匹配晶体管用MIM电容及其制造方法，涉及集成电路以及集成电路的制造方法技术领域。所述电容包括衬底、金属下电极、绝缘介质层和金属上电极，所述金属下电极固定在所述衬底的上表面，所述金属下电极的外侧包裹有绝缘介质层，所述绝缘介质层上设有贯穿绝缘介质层的金属下电极引出孔，在所述金属下电极引出孔内设有与所述金属下电极固定连接的下电极引出电极，所述金属上电极固定在所述绝缘介质层的上表面。所述制造方法能够避免绝缘介质层受到应力的影响，所述MIM电容具有优良的微波特性和高温工作特性，且易于加工。
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公开(公告)号：CN103219318A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310126712.3
申请日：2013-04-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/522 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种耐高温的微波内匹配晶体管用MIM电容及其制造方法，涉及集成电路以及集成电路的制造方法技术领域。所述电容包括衬底、金属下电极、绝缘介质层和金属上电极，所述金属下电极固定在所述衬底的上表面，所述金属下电极的外侧包裹有绝缘介质层，所述绝缘介质层上设有贯穿绝缘介质层的金属下电极引出孔，在所述金属下电极引出孔内设有与所述金属下电极固定连接的下电极引出电极，所述金属上电极固定在所述绝缘介质层的上表面。所述制造方法能够避免绝缘介质层受到应力的影响，所述MIM电容具有优良的微波特性和高温工作特性，且易于加工。
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公开(公告)号：CN101807527B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010129557.7
申请日：2010-03-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/338 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种SiC MESFET栅极制作方法，该方法在传统工艺的基础上通过增加湿法再氧化的工艺，通入HNO3水汽对氮氧化硅层进行进一步氮化处理，解决了SiC MESFET界面态密度大、肖特基势垒高度低、器件性能差的问题，达到降低界面态密度，降低理想因子，提高肖特基势垒的高度和耐击穿电压，提高器件的性能的目的。
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公开(公告)号：CN101552195B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200910074306.0
申请日：2009-05-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/283 , H01L21/20 , H01L21/314 , H01L21/311 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于霍尔效应测量的轻掺杂SiC基体上制作欧姆电极的方法，包括在轻掺杂SiC基体上划定欧姆电极的区域、在上述区域淀积或涂覆金属、高温退火，形成欧姆电极，在淀积或涂覆金属步骤前面，增加下列工序：在欧姆电极的区域形成一导电类型相同的重掺杂SiC层。本发明在轻掺杂SiC基体上的欧姆电极的区域形成一导电类型相同的重掺杂SiC外延层，易于欧姆电极的制备，且比接触电阻较低；轻掺杂SiC基体与外延的重掺杂SiC层是同质结，不存在晶体结构变化的问题，因此在温度循环过程中，电极稳定，获得霍尔效应测试的数据稳定、可靠。
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