-
公开(公告)号：CN108333209A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810168871.2
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N25/00
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT加速寿命试验方法，该方法包括：选取多个相同工艺制备的GaN HEMT器件，并将多个所述GaNHEMT器件进行随机分组，形成至少四个寿命试验组；其中，所述寿命试验组包括一个变化温度试验组和至少三个固定温度试验组；对每个所述固定温度试验组中的所述GaN HEMT器件施加相同的试验直流功率，并进行电参数测试，得到第一失效数据；对所述变化温度试验组中的所述GaN HEMT器件施加与所述固定温度试验组相同的所述试验直流功率，并进行电参数测试，得到第二失效数据；根据所述试验温度、第一失效数据和第二失效数据，获得温度-寿命曲线。本发明能够验证GaN HEMT加速寿命试验的一致性，提高试验的可信性。
-
公开(公告)号：CN104237769B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410534272.X
申请日：2014-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统及其测试方法，涉及测量电变量的装置或方法技术领域。所述系统包括在片测试模块和直流馈电模块，所述在片测试模块包括单片电路钨铜载片、四个第一滤波电容以及四个第二滤波电容；所述直流馈电模块包括铜支撑件、四个侧面铜片以及四个穿心电容。所述系统基于常规测试夹具，设计并制作了单片电路芯片的在片测试模块，使用该模块，在可靠性试验前后可对单片电路芯片进行微波测试，具有成本低，易实现，使用方便的特点。
-
公开(公告)号：CN103269233B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310125266.4
申请日：2013-04-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明公开了一种收发一体多功能电路，涉及收发两用微波单片集成电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路，所述天线端通道选择开关电路为非对称开关电路，所述驱动端通道选择开关电路为对称开关拓扑结构电路，所述接收通道低噪声放大器电路为电阻桥偏置电路，所述发射通道功率放大器电路为有源偏置电路。所述电路具有集成功能复杂、批量生产幅度、相位一致性好、工作温度稳定性高和输出功率高等特点。
-
公开(公告)号：CN101251713A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810054737.6
申请日：2008-04-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 杨中月
Abstract: 本发明公开了一种深紫外光刻制作“T”型栅的方法，该方法依次为：清洗衬底并进行干燥；涂敷深紫外化学放大光刻胶；采用深紫外曝光机进行对位套刻、曝光、显影，初步形成栅根的光刻胶窗口图形；采用化学缩细溶液，对曝光开出的光刻胶窗口图形进行缩细处理；涂敷电子束抗蚀剂；涂敷深紫外化学放大光刻胶；采用深紫外曝光机进行对位套刻、曝光、显影；采用深紫外光对电子束抗蚀剂进行曝光，并显影，形成栅帽的光刻胶窗口图形；采用金属蒸发的方法淀积栅电极的金属；剥离金属、去胶，完成“T”型栅的制作；该方法使“T”型栅的栅根可以突破光刻版最细线条制作的限制，节省光刻版的制作费用，同时可以使化合物半导体器件的深亚微米加工实现规模化。
-
公开(公告)号：CN104267220B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410553420.2
申请日：2014-10-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R1/04
Abstract: 本发明公开了一种微波器件测试用压紧装置，涉及半导体器件测试工具技术领域。包括压块和通过压块上的螺钉孔能与测试平台紧固的螺钉，所述压块绝缘材料构成，压块底面设有微波器件端脚压紧凸起和微波器件适配的器件凹槽。本发明能够保证微波器件在测试过程中与微带线始终压紧，保证微波器件测试的稳定性和准确性，以及微波器件的无损性，本发明结构简单、成本低廉、通用性强、易于实现，保证了相关科研生产顺利进行。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104267220A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410553420.2
申请日：2014-10-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R1/04
Abstract: 本发明公开了一种微波器件测试用压紧装置，涉及半导体器件测试工具技术领域。包括压块和通过压块上的螺钉孔能与测试平台紧固的螺钉，所述压块绝缘材料构成，压块底面设有微波器件端脚压紧凸起和微波器件适配的器件凹槽。本发明能够保证微波器件在测试过程中与微带线始终压紧，保证微波器件测试的稳定性和准确性，以及微波器件的无损性，本发明结构简单、成本低廉、通用性强、易于实现，保证了相关科研生产顺利进行。
-
公开(公告)号：CN104237769A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410534272.X
申请日：2014-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统及其测试方法，涉及测量电变量的装置或方法技术领域。所述系统包括在片测试模块和直流馈电模块，所述在片测试模块包括单片电路钨铜载片、四个第一滤波电容以及四个第二滤波电容；所述直流馈电模块包括铜支撑件、四个侧面铜片以及四个穿心电容。所述系统基于常规测试夹具，设计并制作了单片电路芯片的在片测试模块，使用该模块，在可靠性试验前后可对单片电路芯片进行微波测试，具有成本低，易实现，使用方便的特点。
-
公开(公告)号：CN103269233A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310125266.4
申请日：2013-04-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明公开了一种收发一体多功能电路，涉及收发两用微波单片集成电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路，所述天线端通道选择开关电路为非对称开关电路，所述驱动端通道选择开关电路为对称开关拓扑结构电路，所述接收通道低噪声放大器电路为电阻桥偏置电路，所述发射通道功率放大器电路为有源偏置电路。所述电路具有集成功能复杂、批量生产幅度、相位一致性好、工作温度稳定性高和输出功率高等特点。
-
公开(公告)号：CN108594776A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810356299.2
申请日：2018-04-19
Applicant: 中江联合(北京)科技有限公司 , 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 西安电子科技大学
IPC: G05B19/418
Abstract: 一种基于关键工序的砷化镓质量一致性控制方法，采用步骤如下，步骤一：通过工艺过程参数和工艺结果数据的相关性，量化出关键工序的工艺过程参数权重；步骤二：对关键工序的过程参数利用人工神经网络建成工艺质量一致性模型；步骤三：通过产品已完成关键工序的工艺结果数据作为输入，利用工艺质量一致性模型预测本道工序的工艺过程参数和工艺结果数据。本发明可以对多个参数进行综合分析，数据处理能力强大，结果更加精准；可以在生产前提前预测生产的结果并进行反馈，保证生产的质量，降低了生产风险；可以依据预期的生产结果预测合适的工艺参数，具有前瞻性，简化了生产技术。
-
公开(公告)号：CN103269204B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310126704.9
申请日：2013-04-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明公开了一种用于大功率合成的多级3dB电桥电路，涉及波导型耦合器件技术领域。输入耦合电路的输入端依次经第一级输入耦合微带线、第一级输入3dB电桥、第二级输入3dB电桥、第二级输入耦合微带线与输入端匹配网络电路连接，所述输入耦合电路的输入端为所述多级3dB电桥电路的输入端，所述输入端匹配网络电路的输出端与场效应管的栅极连接，所述场效应管的漏极依次经输出端匹配网络电路、第二级输出耦合微带线、第二级输出3dB电桥、第一级输出3dB电桥与第一级输出耦合微带线连接，第一级输出耦合微带线连接后作为所述多级3dB电桥电路的输出端。所述电路具有工作稳定，可用于制作大功率微波模块。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.026 seconds)
