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公开(公告)号：CN118316428A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410374553.7
申请日：2024-03-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种单刀双掷开关电路、控制方法及芯片。该单刀双掷开关电路，包括第一开关支路和第二开关支路，第一开关支路的第一端与第二开关支路的第一端连接并构成单刀双掷开关电路的公共端，第一开关支路的第二端构成单刀双掷开关电路的第一开关接线端，第二开关支路的第二端构成单刀双掷开关电路的第二开关接线端；第一开关支路包括第一开关单元；第二开关支路包括第二开关单元；每个开关单元包括目标晶体管和至少一个与目标晶体管连接的冗余晶体管，各个冗余晶体管用于在目标晶体管失效后使该开关单元保持目标晶体管失效前的开关状态。本发明能够提高单刀双掷开关电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN103269233B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310125266.4
申请日：2013-04-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明公开了一种收发一体多功能电路，涉及收发两用微波单片集成电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路，所述天线端通道选择开关电路为非对称开关电路，所述驱动端通道选择开关电路为对称开关拓扑结构电路，所述接收通道低噪声放大器电路为电阻桥偏置电路，所述发射通道功率放大器电路为有源偏置电路。所述电路具有集成功能复杂、批量生产幅度、相位一致性好、工作温度稳定性高和输出功率高等特点。
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公开(公告)号：CN115001472A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210488047.1
申请日：2022-05-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03K17/693 , G01S7/02
Abstract: 本发明提供一种MMIC微波开关、T/R组件及雷达。该MMIC微波开关包括：第一切换模块、第二切换模块和第三切换模块；第一切换模块，用于使公共端选择性地与第二切换模块、第三切换模块、接地端中的一个接通；第二切换模块，用于使第一射频端选择性地与发射支路输出端或者第一切换模块接通；第三切换模块，用于使第二射频端选择性地与接收支路输入端或者第一切换模块接通；其中，在第一切换模块使公共端与接地端接通时，T/R组件处于静默状态。本发明可以提高T/R组件的信号隔离度。
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公开(公告)号：CN103236869B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310125175.0
申请日：2013-04-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明公开了一种收发一体多功能电路，涉及收发两用电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路，接收通道低噪声放大器电路和发射通道功率放大器电路为电流复用电路，所述天线端通道选择开关电路和驱动端通道选择开关电路采用开关浮地电路。所述电路具有集成功能复杂、超低功耗、高功率附加效率以及温度稳定性要求高等特点；结合芯片加工工艺特点，创新性运用了放大器的电流复用技术和开关浮地等多种新技术，满足了接收支路的超低功耗和发射支路高功率附加效率要求等各种具体需求，优化及创新不同应用背景的整体电路拓扑，实现了各项指标。
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公开(公告)号：CN112688665B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202011363540.8
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H11/24
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，属于微波单片集成电路及微电子技术领域，一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元、0.5dB衰减单元和4dB衰减单元，0.5dB衰减单元、1dB衰减单元和2dB衰减单元均为T型拓扑结构，4dB衰减单元为π型拓扑结构，16dB衰减单元为开关型拓扑结构，8dB衰减单元为优化π型拓扑结构。本发明通过将六个衰减单元级联构成方便使用的宽带数字衰减器，使得衰减器的衰减精度提高、插损减小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112688665A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011363540.8
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H11/24
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，属于微波单片集成电路及微电子技术领域，一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元、0.5dB衰减单元和4dB衰减单元，0.5dB衰减单元、1dB衰减单元和2dB衰减单元均为T型拓扑结构，4dB衰减单元为π型拓扑结构，16dB衰减单元为开关型拓扑结构，8dB衰减单元为优化π型拓扑结构。本发明通过将六个衰减单元级联构成方便使用的宽带数字衰减器，使得衰减器的衰减精度提高、插损减小。
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公开(公告)号：CN103269233A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310125266.4
申请日：2013-04-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明公开了一种收发一体多功能电路，涉及收发两用微波单片集成电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路，所述天线端通道选择开关电路为非对称开关电路，所述驱动端通道选择开关电路为对称开关拓扑结构电路，所述接收通道低噪声放大器电路为电阻桥偏置电路，所述发射通道功率放大器电路为有源偏置电路。所述电路具有集成功能复杂、批量生产幅度、相位一致性好、工作温度稳定性高和输出功率高等特点。
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公开(公告)号：CN119472901A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411431810.2
申请日：2024-10-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供一种GaN幅相控制多功能芯片及相控阵系统，属于微电子技术领域。该GaN幅相控制多功能芯片包括输入端口、输出端口、分布式电流复用放大器、移相器、第一隔直电容和第二隔直电容；分布式电流复用放大器包括第一开关管、第二开关管、第一栅压提供电路、直流自偏电路、负反馈电路、第一扼流滤波电路、第二栅压提供电路、第二扼流滤波电路和电压源。本申请基于上述各个部件以及各个部件间的连接关系，使得GaN幅相控制多功能芯片中的推动级放大器采用分布式电流复用结构，进而可以使推动级放大器的功耗减小，提高GaN幅相控制多功能芯片的效率，使得GaN幅相控制多功能芯片在小尺寸和高功率的情况下，实现高效率。
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公开(公告)号：CN103236869A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310125175.0
申请日：2013-04-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明公开了一种收发一体多功能电路，涉及收发两用电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路，接收通道低噪声放大器电路和发射通道功率放大器电路为电流复用电路，所述天线端通道选择开关电路和驱动端通道选择开关电路采用开关浮地电路。所述电路具有集成功能复杂、超低功耗、高功率附加效率以及温度稳定性要求高等特点；结合芯片加工工艺特点，创新性运用了放大器的电流复用技术和开关浮地等多种新技术，满足了接收支路的超低功耗和发射支路高功率附加效率要求等各种具体需求，优化及创新不同应用背景的整体电路拓扑，实现了各项指标。
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公开(公告)号：CN202018486U
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201120057382.3
申请日：2011-03-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型公开了一种微波表面贴装元器件的测试装置，包括PCB测试板和一对同轴-微带转接头；其关键在于它还包括底座、测试盒和固定压板；所述测试盒固定在底座上，所述一对同轴-微带转接头对称的固定在所述测试盒的前面板和后面板的外侧，并且其芯线分别穿过所述测试盒的前面板和后面板上的孔；所述PCB测试板固定在测试盒的内部；所述固定压板为中部带有方孔的工字型板，并且其下部的四角设有四个压板脚。本实用新型可以对微波表面贴装元器件的技术指标进行准确、高效的无损筛选和测试，并且操作和控制简单。
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