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公开(公告)号：CN113541718B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110662635.8
申请日：2021-06-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微波单片集成电路技术领域，提供了一种四通道多功能芯片，包括：多功能芯片的输入端、多功能芯片的四个输出端、多功能芯片的供电端、多功能芯片的接地端、放大器、栅端供电端、漏端供电端、一分四功分器、四个移相器、三个串转并驱动器、数据锁存端、数据输入端、时钟端和片选端；第一移相器、第二移相器、第三移相器和第四移相器中的至少之一包括移相功能模块，移相功能模块至少包括衰减电路。本发明通过在移相器中设置衰减电路，对输出信号进行衰减，有效改善与移相器连接的输出端口的电压驻波比，从而提高四通道多功能芯片的性能。
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公开(公告)号：CN116346089A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310003915.7
申请日：2023-01-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种正交信号发生器及通信设备，该正交信号发生器包括：包括：四个传输线、第一电阻、第二电阻及RC‑CR网络；第一传输线的第一端与正交信号发生器的正输入端连接，第二端与RC‑CR网络的第一输入端连接；第二传输线的第一端通过第一电阻接地，第二端与RC‑CR网络的第二输入端连接；第三传输线的第一端通过第二电阻接地，第二端与RC‑CR网络的第三输入端连接；第四传输线的第一端与正交信号发生器的负输入端连接，第二端与RC‑CR网络的第四输入端连接；其中，第一传输线和第二传输线临近且宽边耦合，第三传输线和第四传输线临近且宽边耦合。本发明采用传输线和RC‑CR网络两级级联，插入损耗小且带宽较宽，可满足实际应用需求。
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公开(公告)号：CN115459802A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211021143.1
申请日：2022-08-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及微波集成电路技术领域，尤其涉及一种毫米波变频多功能芯片及芯片测试方法，本发明毫米波收发变频多功能芯片实施方式，其基于GaAsE/D PHEMT工艺开发，将本振电路、接收通道电路和发射通道电路集成到一个芯片上，实现毫米波收发系统的一片式设计；本振电路对收发通道的切换采用GaAs FET开关电路，与传统的功分器电路形式相比，能提供给混频器更高的本振输入功率，更好的收发通道隔离度；基于GaAs FET开关电路的高隔离度特性，将接收通道的输入端和发射通道的输出端合二为一，利于前级电路的级联；采用GaAs工艺的低噪声放大器、高输出功率放大器、无源混频器等电路结构，实现了低噪声系数、高输出功率的指标特性。
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公开(公告)号：CN118316428A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410374553.7
申请日：2024-03-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种单刀双掷开关电路、控制方法及芯片。该单刀双掷开关电路，包括第一开关支路和第二开关支路，第一开关支路的第一端与第二开关支路的第一端连接并构成单刀双掷开关电路的公共端，第一开关支路的第二端构成单刀双掷开关电路的第一开关接线端，第二开关支路的第二端构成单刀双掷开关电路的第二开关接线端；第一开关支路包括第一开关单元；第二开关支路包括第二开关单元；每个开关单元包括目标晶体管和至少一个与目标晶体管连接的冗余晶体管，各个冗余晶体管用于在目标晶体管失效后使该开关单元保持目标晶体管失效前的开关状态。本发明能够提高单刀双掷开关电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN116961635A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310953955.8
申请日：2023-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03K17/687 , H03H11/36
Abstract: 本发明提供一种开关电路。该开关电路包括：发射支路和接收支路；发射支路的输出端口与接收支路的输入端口连接，作为公共端口；发射支路包括：电感L1、第一并联谐振模块、第二并联谐振模块和晶体管M1；电感L1的一端连接公共端口，电感L1的另一端连接发射支路的输入端口；第一并联谐振模块的第一端连接在电感L1的另一端和发射支路的输入端口之间，第一并联谐振模块的第二端连接晶体管M1的漏极；晶体管M1的源极连接第二并联谐振模块的第一端，第二并联谐振模块的第二端接地；晶体管M1的栅极连接预设控制电压。本发明能够提高了发射支路的线性度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113541718A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110662635.8
申请日：2021-06-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微波单片集成电路技术领域，提供了一种四通道多功能芯片，包括：多功能芯片的输入端、多功能芯片的四个输出端、多功能芯片的供电端、多功能芯片的接地端、放大器、栅端供电端、漏端供电端、一分四功分器、四个移相器、三个串转并驱动器、数据锁存端、数据输入端、时钟端和片选端；第一移相器、第二移相器、第三移相器和第四移相器中的至少之一包括移相功能模块，移相功能模块至少包括衰减电路。本发明通过在移相器中设置衰减电路，对输出信号进行衰减，有效改善与移相器连接的输出端口的电压驻波比，从而提高四通道多功能芯片的性能。
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公开(公告)号：CN118157603A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410197926.8
申请日：2024-02-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种动态偏置电路及放大器系统电路。该动态偏置电路包括：差分包络检波模块、放大器偏置模块和缓冲模块；差分包络检波模块用于接入第一目标场效应管的栅极处的射频信号，并将射频信号进行整流得到直流信号后输出至缓冲模块；放大器偏置模块用于生成第一偏置电压和第二偏置电压；并将第一偏置电压通过第一输出端输出给缓冲模块，将第二偏置电压通过第二输出端输出给差分包络检波模块的输出端，使缓冲模块的第二输入端接入第三偏置电压；缓冲模块用于根据第一偏置电压和第三偏置电压生成第四偏置电压，并将第四偏置电压输出给第一变压器的中间抽头。本发明既能驱动功率放大器的栅极，又不会给放大器引入显著的记忆非线性。
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公开(公告)号：CN118017947A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410119899.2
申请日：2024-01-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于集成电路放大器设计技术领域，提供了电流复用放大器及电子装置，该电流复用放大器包括至少两级放大器，至少两级放大器在信号输入方向依次串联连接；与信号输入端连接的放大器为第一级放大器，与信号输出端连接的放大器为末级放大器；第一级放大器的电源端与放大器供电电源的正端连接，末级放大器的接地端与放大器供电电源的负端连接；对于相邻两级的放大器，前一级放大器的接地端与后一级放大器的电源端连接；放大器供电电源用于为第一级放大器供电以产生电源电流；电源电流自放大器供电电源的正端起，依次流经至少两级放大器，从末级放大器的接地端流出，最后流回放大器供电电源的负端。本申请能够有效提升电流复用放大器的线性度。
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公开(公告)号：CN117220712A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311129239.4
申请日：2023-09-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种收发一体多功能芯片、TR组件和有源相控阵天线系统。该芯片包括：极化开关模块、天线端通道选择模块、接收通道低噪声放大器模块、发射通道功率放大器模块以及驱动端通道选择模块；极化开关模块的第一端用于连接水平极化天线，第二端用于连接垂直极化天线，第三端连接天线端通道选择模块的第一端；天线端通道选择模块的第二端连接接收通道低噪声放大器模块的第一端，第三端连接发射通道功率放大器模块的第一端；接收通道低噪声放大器模块的第二端连接驱动端通道选择模块的第一端；发射通道功率放大器模块的第二端连接驱动端通道选择模块的第二端；驱动端通道选择模块的第三端用于连接射频电路。本发明能够提升TR组件的一致性。
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公开(公告)号：CN116614168A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310349511.3
申请日：2023-04-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04B7/185
Abstract: 本申请适用于硅基射频与毫米波集成电路技术领域，提供了一种卫星分布式构型的数控单元、微波单片及天线单元，包括：退耦电容模块、主控模块和分布式卫星模块；退耦电容模块正极和主控模块的电源引脚均与数控单元的电源引脚连接，退耦电容模块负极和主控模块的接地引脚均与数控单元的接地引脚连接；分布式卫星模块包括第一卫星子模块、第二卫星子模块、第三卫星子模块和第四卫星子模块，第一卫星子模块与主控模块的连接方式、第二卫星子模块与主控模块的连接方式、第三卫星子模块与主控模块的连接方式和第四卫星子模块与主控模块的连接方式相同。本申请的数控单元具备适用于各种微波波段的带宽通用性和适用于各种半导体制造工艺的通用性。
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