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公开(公告)号：CN110719072A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910784324.1
申请日：2019-08-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种三次谐波混频器电路，其特征在于，包括：本振信号单元、偏压信号单元、混频单元、中频信号单元和射频信号单元；所述偏压信号单元的输入端用于接收偏压信号，所述偏压信号单元的输出端连接所述本振信号单元的第二输入端；所述本振信号单元的第一输入端用于接收本振信号，所述本振信号单元的输出端用于连接混频单元的输入端；所述射频信号单元的输入端用于接收射频信号；所述混频单元的输入输出端和所述射频信号的输出端共接后连接所述中频信号单元的输入端；所述中频信号单元的输出端输出中频信号。本发明能满足在W及以上频段的混频的使用要求。
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公开(公告)号：CN118316428A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410374553.7
申请日：2024-03-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种单刀双掷开关电路、控制方法及芯片。该单刀双掷开关电路，包括第一开关支路和第二开关支路，第一开关支路的第一端与第二开关支路的第一端连接并构成单刀双掷开关电路的公共端，第一开关支路的第二端构成单刀双掷开关电路的第一开关接线端，第二开关支路的第二端构成单刀双掷开关电路的第二开关接线端；第一开关支路包括第一开关单元；第二开关支路包括第二开关单元；每个开关单元包括目标晶体管和至少一个与目标晶体管连接的冗余晶体管，各个冗余晶体管用于在目标晶体管失效后使该开关单元保持目标晶体管失效前的开关状态。本发明能够提高单刀双掷开关电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN112886943B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202110110686.X
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H11/24
Abstract: 本发明适用于电调衰减器技术领域，提供了一种应用于太赫兹频段的电调衰减电路及电调衰减器，该电调衰减电路包括：多指FET器件和射频传输线；多指FET器件中的多指两侧的漏极与射频传输线连接。本发明通过多指FET器件与射频传输线构成应用于太赫兹频段的电调衰减电路，其中，多指FET器件中的多指两侧的漏极与射频传输线连接，可以使构成的电调衰减电路中的射频信号在多指FET器件中水平传输，从而降低电调衰减电路的插入损耗，使多指FET器件与射频传输线构成的应用于太赫兹频段的电调衰减电路可以通过设计获得较大的最大衰减值。
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公开(公告)号：CN112886943A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110110686.X
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H11/24
Abstract: 本发明适用于电调衰减器技术领域，提供了一种应用于太赫兹频段的电调衰减电路及电调衰减器，该电调衰减电路包括：多指FET器件和射频传输线；多指FET器件中的多指两侧的漏极与射频传输线连接。本发明通过多指FET器件与射频传输线构成应用于太赫兹频段的电调衰减电路，其中，多指FET器件中的多指两侧的漏极与射频传输线连接，可以使构成的电调衰减电路中的射频信号在多指FET器件中水平传输，从而降低电调衰减电路的插入损耗，使多指FET器件与射频传输线构成的应用于太赫兹频段的电调衰减电路可以通过设计获得较大的最大衰减值。
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公开(公告)号：CN110719072B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201910784324.1
申请日：2019-08-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种三次谐波混频器电路，其特征在于，包括：本振信号单元、偏压信号单元、混频单元、中频信号单元和射频信号单元；所述偏压信号单元的输入端用于接收偏压信号，所述偏压信号单元的输出端连接所述本振信号单元的第二输入端；所述本振信号单元的第一输入端用于接收本振信号，所述本振信号单元的输出端用于连接混频单元的输入端；所述射频信号单元的输入端用于接收射频信号；所述混频单元的输入输出端和所述射频信号的输出端共接后连接所述中频信号单元的输入端；所述中频信号单元的输出端输出中频信号。本发明能满足在W及以上频段的混频的使用要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110138371A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910407332.4
申请日：2019-05-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种开关电路及开关芯片，包括：至少一路开关通道模块；所述开关通道模块包括至少三个开关管单元和一条传输线；所述传输线的第一端为所述开关通道模块的输入端，所述传输线的第二端为所述开关通道模块的输出端；所述传输线上设有接口；每个开关管单元的第一输入端与传输线上的一个接口相连，且一个接口上最多连接一个开关管单元；每个开关管单元的第二输入端外接电压源。本发明中开关通道模块采用至少三个开关管单元并联的结构，结构紧凑布局合理，提高了由场效应晶体管组成的开关的插损和隔离等性能。
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公开(公告)号：CN107547055A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710847766.7
申请日：2017-09-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种低噪声放大器，涉及太赫兹电路技术领域，包括放大电路、输入电路、输出电路、输入偏置电路、输出偏置电路和RC并联电路；输入电路的输出端分别连接放大电路的输入端和输入偏置电路的一端，输入偏置电路的另一端连接Vg加电端，放大电路的输出端连接RC并联电路的一端，RC并联电路的另一端分别连接输出电路的输入端和输出偏置电路的一端，输出偏置电路的另一端连接Vd加电端。本设计中的放大器电路设有RC并联网络对频带外的射频信号起到抑制作用，增强放大器电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN115877184A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310004719.1
申请日：2023-01-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于二极管技术领域，提供了一种气密管壳及检测气密管壳内氢气氛的方法，所述检测气密管壳内氢气氛的方法包括：在气密管壳设置有GaAs场效应管，GaAs场效应管的漏极与所述气密管壳的引出管脚连接，对引出管脚施加电压，采集所述引出管脚的电流，计算电流的下降速度，并根据电流的下降速度确定气密管壳内氢气的浓度。本发明能够降低程序的复杂度，有效提高检测气密管壳内氢气氛的效率。
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公开(公告)号：CN110233321B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910603531.2
申请日：2019-07-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01P5/107
Abstract: 本发明公开了一种微带探针转换器，包括盒体；第一波导腔；第二波导腔，第二波导腔和第一波导腔相对设置在盒体内；基底，基底的第一端伸入到第一波导腔内，基底的第二端伸入到第二波导腔内；芯片电路，芯片电路设置在基底上，芯片电路包括至少两级电感；空气腔，空气腔设置于第一波导腔和第二波导腔之间，并与第一波导腔和第二波导腔相连通形成贯通空间；基底和芯片电路位于贯通空间内，空气腔的底部与基底的底部在同一水平面；位于电感上方的空气腔的腔体形状为至少一级阶梯。通过在芯片电路上设置多级电感，并在电感上方的空气腔的腔体形状为至少一级阶梯，有效拓宽工作频带，降低微带探针转换器的插入损耗。
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公开(公告)号：CN110233321A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910603531.2
申请日：2019-07-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01P5/107
Abstract: 本发明公开了一种微带探针转换器，包括盒体；第一波导腔；第二波导腔，第二波导腔和第一波导腔相对设置在盒体内；基底，基底的第一端伸入到第一波导腔内，基底的第二端伸入到第二波导腔内；芯片电路，芯片电路设置在基底上，芯片电路包括至少两级电感；空气腔，空气腔设置于第一波导腔和第二波导腔之间，并与第一波导腔和第二波导腔相连通形成贯通空间；基底和芯片电路位于贯通空间内，空气腔的底部与基底的底部在同一水平面；位于电感上方的空气腔的腔体形状为至少一级阶梯。通过在芯片电路上设置多级电感，并在电感上方的空气腔的腔体形状为至少一级阶梯，有效拓宽工作频带，降低微带探针转换器的插入损耗。
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