公开(公告)号：CN104992966A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510262095.9

申请日：2015-05-21

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 潘宏菽 ,  张宏宝 ,  商庆杰 ,  张力江

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/324 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L29/66234 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明公开了一种热预算低的双极高频功率晶体管芯片的制作方法。涉及半导体器件及其制造领域。该制作方法采用离子注入代替热扩散后，高硼离子注入后不进行高温热退火，而是在低硼离子注入后，一起进行一次高温退火，退火温度控制在950~1050℃，降低了晶体管制作的热预算，简化了工艺流程，避免了对晶圆片的反复高温加热，节约了能源，也降低了晶圆片经反复高温，变形的发生。

公开(公告)号：CN104037062A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410256975.0

申请日：2014-06-11

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 霍彩红 ,  张宏宝 ,  潘宏菽 ,  付兴昌

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L29/66181 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/401

Abstract: 本发明公开了一种MOS电容的制造方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括以下步骤：在硅晶圆片的上表面形成氧化层；在氧化层的上表形成金属引出电极的窗口；在金属引出电极的窗口处形成倒梯形的光刻胶形貌；蒸发一层金属铂；去除光刻胶的同时也将光刻胶上的金属铂一起去除；进行合金处理，使金属铂与硅形成良好的欧姆接触；在金属电极以外的区域形成光刻胶；上表面蒸发多层金属；剥离去除金属上电极和金属引出电极以外的步骤中蒸发的金属，形成MOS电容。所述方法简化了工艺流程，使用安全、环保。

公开(公告)号：CN104992966B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201510262095.9

申请日：2015-05-21

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 潘宏菽 ,  张宏宝 ,  商庆杰 ,  张力江

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/324 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明公开了一种热预算低的双极高频功率晶体管芯片的制作方法。涉及半导体器件及其制造领域。该制作方法采用离子注入代替热扩散后，高硼离子注入后不进行高温热退火，而是在低硼离子注入后，一起进行一次高温退火，退火温度控制在950~1050℃，降低了晶体管制作的热预算，简化了工艺流程，避免了对晶圆片的反复高温加热，节约了能源，也降低了晶圆片经反复高温，变形的发生。

公开(公告)号：CN104037062B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201410256975.0

申请日：2014-06-11

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 霍彩红 ,  张宏宝 ,  潘宏菽 ,  付兴昌

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种MOS电容的制造方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括以下步骤：在硅晶圆片的上表面形成氧化层；在氧化层的上表形成金属引出电极的窗口；在金属引出电极的窗口处形成倒梯形的光刻胶形貌；蒸发一层金属铂；去除光刻胶的同时也将光刻胶上的金属铂一起去除；进行合金处理，使金属铂与硅形成良好的欧姆接触；在金属电极以外的区域形成光刻胶；上表面蒸发多层金属；剥离去除金属上电极和金属引出电极以外的步骤中蒸发的金属，形成MOS电容。所述方法简化了工艺流程，使用安全、环保。