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公开(公告)号：CN112671362A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011364409.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李丽 , 张仕强 , 李宏军 , 李亮 , 王胜福 , 钱丽勋 , 张韶华 , 郭松林 , 孙从科 , 徐佳 , 马文涛 , 王磊 , 世娟 , 杨亮 , 王小维 , 厉建国 , 汪晓龙 , 封利彦 , 宋冰冰 , 李永城 , 王茜龙
Abstract: 本发明适用于滤波器技术领域，提供了一种FBAR滤波器，该FBAR滤波器包括：将抵消电路的输入端连接FBAR滤波器电路的输入端，抵消电路的输出端连接FBAR滤波器电路的输出端，抵消电路用于形成第二通路，当工作频率处于FBAR滤波器的阻带时，信号从抵消电路通过，当工作频率处于FBAR滤波器的通带时，信号从FBAR滤波器电路通过。本申请通过增加抵消电路可在阻带低频端实现高抑制，且抵消电路中的元器件不会造成FBAR滤波器的芯片体积大幅增加，不会引入更多的损耗以及恶化带内插损。
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公开(公告)号：CN111446528A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010274784.2
申请日：2020-04-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于滤波器制作技术领域，提供了一种基于立体电感的双层硅基滤波器，包括：通过具有多个孔的上硅片和具有多个孔的下硅片；所述上硅片的上表面设置多个不同的第一电感结构，所述上硅片的下表面对应设置多个不同的第二电感结构，且各个所述第一电感结构与对应的第二电感结构通过孔连接构成立体电感结构；所述下硅片的上表面设置多个不同的第三电感结构，且所述第三电感结构与所述第二电感结构相同，所述第三电感结构与所述第二电感结构键合绑定，从而可以制备出体型小的具有立体电感的滤波器。
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公开(公告)号：CN109150131A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811045923.3
申请日：2018-09-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H03H7/32 , H03H7/0115
Abstract: 本发明属于通信技术领域，提供一种时延均衡网络和滤波器。所述网络包括：总输入端、低通滤波模块、高通滤波模块和总输出端；低通滤波模块的输入端与高通滤波模块的输入端连接所述总输入端，低通滤波模块的输出端与高通滤波模块的输出端连接所述总输出端；总输入端接收初始信号，通过低通滤波模块和高通滤波模块对所述初始信号进行时延均衡处理生成目标信号，并通过所述总输出端输出所述目标信号。本发明能够在不影响初始信号的幅频特性的前提下，减少信号的带内时延波动，从而优化信号传输的质量。
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公开(公告)号：CN108649915B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201810639230.0
申请日：2018-06-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H1/00
Abstract: 本发明涉及滤波器技术领域，公开了一种3D集成LC滤波器和电子系统，该3D集成LC滤波器包括：基板；集成设置在所述基板中的多个电感，各个电感之间存在电磁互感且物理上相互隔离；设置在所述基板上侧面的具有预设图案的焊盘层，所述焊盘层一侧与各个电感分别连接，所述焊盘层的另一侧用于设置多个阻容元件；分别设置在所述基板上的输入端口和输出端口；其中，所述输入端口、所述输出端口和各个电感通过设置在所述焊盘层上的各个阻容元件形成通路。上述3D集成LC滤波器Q值适中、体积较小、一致性好且可靠性较高。
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公开(公告)号：CN113644892B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202110740544.1
申请日：2021-06-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及滤波技术领域，提供了一种带通滤波器。该带通滤波器包括输入端、输出端、接地端、多个串臂谐振器和多个并臂谐振器；多个串臂谐振器包括依次串联连接在输入端和输出端之间的第一谐振器至第七谐振器；多个并臂谐振器包括第八谐振器、第九谐振器、第十谐振器和第十一谐振器，第八谐振器的一端连接在第一谐振器和第二谐振器之间，第九谐振器的一端连接在第三谐振器和第四谐振器之间，第十谐振器的一端连接在第五谐振器和第六谐振器之间，第十一谐振器的一端连接在第七谐振器和输出端之间，第八谐振器、第九谐振器、第十谐振器和第十一谐振器的另一端均连接接地端。上述带通滤波器提供FBAR带通滤波器的一种新型结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117214470A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310994918.1
申请日：2023-08-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R1/04
Abstract: 本发明提供了一种微带环行器测试夹具，属于环行器技术领域，包括底座、两个安装座、两个滑动座及两个射频发射器，安装座安装于底座上，且分别具有沿第一水平方向、第二水平方向滑动的自由度，安装座上设有弹性件，两个安装座之间形成安装空间，微带环行器安装于两个安装座；滑动座连接于安装座上，滑动座具有沿垂直方向滑动的自由度，且与弹性件相连接；滑动座用于挤压于微带环行器上；射频发射器安装于滑动座上；两个射频发射器用于与微带环行器连接。本发明提供的微带环行器测试夹具，借助两个安装座分别在底座上沿横向、竖向移动，而滑动座自身在纵向发生移动，从而使该测试夹具适合不同尺寸的微带环行器的性能测试，提高了应用范围。
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公开(公告)号：CN116961607A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310712929.6
申请日：2023-06-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H7/01
Abstract: 本申请适用于滤波器技术领域，提供了一种无反射式滤波器和滤波器组件。该无反射式滤波器包括级联的吸收单元和反射式滤波单元；所述吸收单元被配置为将第一信号中的预设频段部分信号进行吸收得到第二信号，以及所述第二信号传输到所述反射式滤波单元；所述反射式滤波单元被配置为对所述第二信号进行滤波。本申请提供了一种新型结构的吸收式滤波器，能够大大降低反射信号对系统性能造成的影响。
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公开(公告)号：CN114497938A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210094478.X
申请日：2022-01-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微波器件技术领域，提供了一种微带滤波器及其制备方法，微带滤波器包括：介质基板，以及位于介质基板下表面的金属接地层和位于介质基板上表面的电路层；电路层与金属接地层通过贯穿介质基板的多个金属接地孔连接；电路层上设置有垂直于电路层的金属屏蔽结构，金属屏蔽结构围成谐振腔；谐振腔内部的电路层包括依次连接的输入端口、馈入线路、平面谐振杆、馈出线路和输出端口；输入端口和输出端口处均设置有垂直于电路层的第一金属柱，第一金属柱与金属屏蔽结构的高度持平；微带滤波器用于倒扣在待安装母板上进行滤波。本发明实现了小型化、高Q值的微带滤波器设计。
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公开(公告)号：CN112615599A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011364397.4
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李丽 , 钱丽勋 , 李宏军 , 王胜福 , 李亮 , 郭松林 , 张韶华 , 张仕强 , 徐佳 , 马文涛 , 王磊 , 世娟 , 杨亮 , 王小维 , 厉建国 , 汪晓龙 , 杨庆团 , 时飞超
Abstract: 本发明适用于谐振器技术领域，提供了一种薄膜腔声谐振器的Mason模型，包括：在建立的薄膜腔声谐振器的原Mason模型中增加串联电阻Rs和并联电阻Rp，使得可以通过改变并联电阻Rp单独调节薄膜腔声谐振器的Mason模型中并联谐振频率处的品质因数Qp，通过改变串联电阻Rs单独调节薄膜腔声谐振器的Mason模型中串联谐振频率处的品质因数Qs，从而解决现有技术中无法单独调节Qs和Qp的大小导致谐振器模型与实际测试结果的拟合以及后续薄膜腔声谐振器滤波器的设计造成困难的问题。
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公开(公告)号：CN112491384A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011359313.8
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李宏军 , 李丽 , 张仕强 , 李亮 , 钱丽勋 , 孙从科 , 郭松林 , 王胜福 , 张韶华 , 徐佳 , 马文涛 , 王磊 , 世娟 , 杨亮 , 王小维 , 厉建国 , 汪晓龙 , 刘少力 , 周梦坤 , 焦绍飞 , 田思源
Abstract: 本发明适用于滤波器技术领域，提供了一种FBAR滤波器电路，包括：交叉耦合模块的一端连接滤波模块的第一端后作为FBAR滤波器电路的输入端，另一端连接滤波模块的第三端，滤波模块的第三端作为FBAR滤波器电路的输出端；或者，交叉耦合模块的一端连接滤波模块的第三端后作为FBAR滤波器电路的输出端，另一端连接滤波模块的第四端；交叉耦合模块用于在FBAR滤波器电路通带外高频段形成传输零点，从而可以提高带外抑制，且交叉耦合模块中的元器件不会造成原FBAR滤波器的芯片体积大幅增加，还会减少一个电感的引入，且不会引入更多的损耗以及恶化带内插损。
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