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公开(公告)号：CN110868178B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910963677.8
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器封装系统。该谐振器封装系统包括谐振器和所述谐振器的封装结构；所述谐振器包括：衬底和多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；所述封装结构包括：第一衬底、第二衬底、支撑壁、连接柱和包封结构；所述第一衬底与所述谐振器之间设有空腔；所述支撑壁和连接柱设置在第一衬底与第二衬底之间，为所述第一衬底及所述第二衬底上的触点提供电接触；所述包封结构设置在所述第一衬底下方并包围所述支撑壁外侧面延伸至第二衬底下表面。本发明提供一种新型的谐振器封装系统，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN111355460A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811577385.2
申请日：2018-12-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器的制作方法。该谐振器的制作方法包括：对衬底进行预处理，改变衬底预设区域部分的预设反应速率，使得预设区域部分对应的预设反应速率大于非预设区域部分对应的预设反应速率；对所述衬底进行所述预设反应，生成牺牲材料部分；所述牺牲材料部分包括位于所述衬底上表面之上的上半部分和位于所述衬底下表面之下的下半部分；在所述牺牲材料层上形成多层结构；所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；去除所述牺牲材料部分。上述谐振器制作方法相对于传统的制作方法对谐振器工作区域的表面粗糙度更为容易控制。
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公开(公告)号：CN110868184A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910329116.2
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、掺杂压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；所述下电极层和所述上电极层至少一者的的电极表面上设有向对应的电极层内部延伸的凹陷部和/或向对应的电极层外部延伸的凸起部；所述掺杂压电层包括掺杂有至少一种稀土元素的压电材料。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，在电极层表面设置凸起部和/或凹陷部，以及在压电层掺杂至少一种稀土元素，形成了一种新型的体声波谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868180A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910967972.0
申请日：2019-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体封装件的制作方法及半导体封装件。该半导体封装件的制作方法包括。在第一晶片上形成分离层；在所述分离层上形成帽；使用衬垫键合所述帽和第二晶片；将所述第一晶片和所述帽分离，形成包括所述帽、所述衬垫和所述第二晶片的半导体封装件；其中，所述第二晶片上具有谐振器，所述谐振器包括衬底和多层结构，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体，使用帽结构对第二晶片上具有特殊腔体结构的谐振器等器件或结构进行隔离和保护，从而制造出结构性能更稳定、更优越的半导体封装件。
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公开(公告)号：CN110868179A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910964440.1
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种谐振器封装系统。所述封装系统包括谐振器和所述谐振器的封装结构，所述谐振器包括衬底和多层结构，其中在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；所述封装结构包括第一衬底、第二衬底、若干柱、聚合物层以及包封层。本发明提供的谐振器封装系统，封装严密，适用于多种谐振器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110868178A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910963677.8
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器封装系统。该谐振器封装系统包括谐振器和所述谐振器的封装结构；所述谐振器包括：衬底和多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；所述封装结构包括：第一衬底、第二衬底、支撑壁、连接柱和包封结构；所述第一衬底与所述谐振器之间设有空腔；所述支撑壁和连接柱设置在第一衬底与第二衬底之间，为所述第一衬底及所述第二衬底上的触点提供电接触；所述包封结构设置在所述第一衬底下方并包围所述支撑壁外侧面延伸至第二衬底下表面。本发明提供一种新型的谐振器封装系统，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110867509A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910963640.5
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
IPC: H01L41/053 , H01L41/09 , H03H3/02
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器封装结构。该谐振器包括基板；声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；盖帽，所述盖帽与所述基板之间形成一个密封空间；材料层区域；以及电子电路，形成于所述材料层区域上，从而形成一种新型的声学谐振器封装结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868171B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910328541.X
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 田秀伟 , 李亮 , 吕鑫 , 梁东升 , 刘青林 , 马杰 , 高渊 , 丁现朋 , 冯利东 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 商庆杰 , 李宏军 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器、晶片及谐振器制造方法。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和声镜对；所述上电极层和下电极层中的至少一者包括：电极层和温度补偿层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体、声镜对及温度补偿层，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN117279490A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311129459.7
申请日：2023-09-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 杨志 , 董春晖 , 崔玉兴 , 王敬轩 , 韩孟序 , 王川宝 , 王帅 , 王敏 , 康建波 , 解涛 , 杨双龙 , 王利芹 , 商庆杰 , 李亮 , 张丹青 , 丁现朋 , 李庆伟 , 张发智 , 刘青林 , 刘冠廷 , 冯立东 , 于峰涛 , 宋红伟 , 任永晓 , 王国清 , 杜少博
IPC: H10N97/00
Abstract: 本发明提供一种硅基三维电容及其制作方法，其中制作方法包括在一硅衬底的表面制备一层介质掩膜层，并在介质掩膜层上刻蚀多个间隔排列的刻蚀微孔直至露出硅衬底；采用深硅刻蚀工艺，对多个间隔排列的刻蚀微孔进行刻蚀，以形成多个间隔排列的第一深孔；去除剩余的介质掩膜层，在形成有多个间隔排列的第一深孔的硅衬底上制备第一多晶硅层；采用深硅刻蚀工艺，对第一深孔内的第一多晶硅层进行刻蚀，以在第一深孔内的第一多晶硅层内形成第二深孔，且第二深孔的底面和侧面均设有第一多晶硅层；在第一硅衬底表面的第一多晶硅层上以及所有间隔排列的第二深孔内依次生长绝缘介质层、第二多晶硅层和电极层。本发明制备的硅基三维电容可以提高电容的密度。
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公开(公告)号：CN110868191A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910328576.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，所述压电层包括掺杂多种稀土元素的压电材料，用以改进压电层的压电特性，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
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