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公开(公告)号：CN115758361A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211508761.9
申请日：2022-11-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种硬件木马检测方法、装置、计算机设备、存储介质。所述方法包括：确定待检测芯片的目标检测位置；通过电磁注入探头向目标检测位置注入电磁信号，获取待检测芯片的目标输出端的电平信号，以及待检测芯片的功耗信息；根据目标输出端的电平信号和功耗信息，确定待检测芯片的硬件木马检测结果。采用本方法能够保证在激活硬件木马的条件下，对硬件木马进行有效检测，提高了检测结果的准确性。本方法可用于集成电路的安全检测，可以在芯片在系统使用前检出含有硬件木马电路的芯片，确保系统安全。
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公开(公告)号：CN111258344B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010098953.1
申请日：2020-02-18
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G05D11/13
Abstract: 本申请涉及一种气体浓度调节系统、方法及装置；其中，气体浓度调节系统，包括密封腔体，用于向密封腔体冲入填充气体、混合气体的配气装置，用于检测密封腔体内目标气体浓度的目标气体检测仪，以及用于测量密封腔体内部压力的气压测量装置；还包括控制装置；控制装置包括控制电路以及连接控制电路的多个气动阀；气压测量装置、目标气体检测仪均连接控制电路；各气动阀分别连接在密封腔体与配气装置之间、密封腔体与目标气体检测仪之间；本申请解决了密封腔体内目标气体浓度的自动调节和精确控制问题。
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公开(公告)号：CN115144720A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210822299.3
申请日：2022-07-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种功率器件的浪涌测试装置。本申请涉及半导体器件可靠性测试技术领域。所述装置包括：半波整流电路、控制器、待测功率器件、目标开关和计算机设备；控制器，用于接收计算机设备发送的测试指令，并根据测试指令向半波整流电路发送控制指令；半波整流电路，用于根据控制指令，获取半波整流信号，其中，半波整流信号包括预设个数的正弦半波；控制器，还用于在检测到所述半波整流信号从第一预设电压开始上升时，控制目标开关闭合，并控制待测功率器件导通，以在电流穿过待测功率器件的漏源电极之间时得到浪涌测试结果。采用本装置能够对功率器件自动重复进行浪涌测试，提高浪涌测试效率。
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公开(公告)号：CN109200868B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201811003407.4
申请日：2018-08-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种可快速混合高温高压气体的实验装置及方法。所述可快速混合高温高压气体的实验装置，包括实验容器、主动转动座、搅动机构及从动转动座，实验容器内设有实验腔体，主动转动座设置在实验腔体外，搅动机构和从动转动座设置在实验腔体内，搅动机构安装在从动转动座上以跟随从动转动座转动，主动转动座上设有第一磁性机构，从动转动座上设有第二磁性机构，主动转动座通过第一磁性机构与第二磁性机构的配合带动从动转动座转动。使用时先按照预定要求往实验腔体送入各种气体，再转动主动转动座，主动转动座通过第一磁性机构与第二磁性机构的配合带动从动转动座转动，从动转动座驱动搅动机构转动，从而可实现高温高压气体的快速混合。
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公开(公告)号：CN111258344A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010098953.1
申请日：2020-02-18
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G05D11/13
Abstract: 本申请涉及一种气体浓度调节系统、方法及装置；其中，气体浓度调节系统，包括密封腔体，用于向密封腔体冲入填充气体、混合气体的配气装置，用于检测密封腔体内目标气体浓度的目标气体检测仪，以及用于测量密封腔体内部压力的气压测量装置；还包括控制装置；控制装置包括控制电路以及连接控制电路的多个气动阀；气压测量装置、目标气体检测仪均连接控制电路；各气动阀分别连接在密封腔体与配气装置之间、密封腔体与目标气体检测仪之间；本申请解决了密封腔体内目标气体浓度的自动调节和精确控制问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108572306B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201810300563.0
申请日：2018-04-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种逆导型IGBT的热阻测试电路和方法，包括控制电路、栅极电压源、测试电流源和加热电流源，栅极电压源、测试电流源和加热电流源均连接控制电路，栅极电压源、测试电流源、加热电流源和控制电路均用于连接待测逆导型IGBT。控制电路控制测试电流源、加热电流源和栅极电压源分别提供逆向测试电流、正向加热电流和栅极电压，加热时待测逆导型IGBT正向导通导通后功率加热，测试时，由于逆导型IGBT集成了反向二极管，通过输入逆向测试电流，记录待测逆导型IGBT的降温曲线，根据降温曲线和温敏系数得到热阻值，避免了由于正向测试时回跳现象引起的测试不准确的问题，热阻测试准确性高。
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公开(公告)号：CN109655691A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811594169.9
申请日：2018-12-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
CPC classification number: G01R31/003 , G01R31/2849
Abstract: 本申请涉及一种板级电路中功率器件退化监测方法、装置和系统。所述方法包括：接收功率器件的电场感应电动势以及磁场感应电动势；根据电场感应电动势和磁场感应电动势，得到功率器件的开关损耗；基于开关损耗，确认功率器件的退化状况，从而，本申请板级电路中功率器件退化监测方法根据采集到的功率器件的电场感应电动势和磁场感应电动势，得到开关损耗，并根据开关损耗诊断板极电路中的功率器件的故障状况，进而实现对功率器件的性能进行监测，在发现功率器件出现可能的故障时及时对功率器件修复，避免导致更严重的后果。
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公开(公告)号：CN108572306A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810300563.0
申请日：2018-04-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种逆导型IGBT的热阻测试电路和方法，包括控制电路、栅极电压源、测试电流源和加热电流源，栅极电压源、测试电流源和加热电流源均连接控制电路，栅极电压源、测试电流源、加热电流源和控制电路均用于连接待测逆导型IGBT。控制电路控制测试电流源、加热电流源和栅极电压源分别提供逆向测试电流、正向加热电流和栅极电压，加热时待测逆导型IGBT正向导通导通后功率加热，测试时，由于逆导型IGBT集成了反向二极管，通过输入逆向测试电流，记录待测逆导型IGBT的降温曲线，根据降温曲线和温敏系数得到热阻值，避免了由于正向测试时回跳现象引起的测试不准确的问题，热阻测试准确性高。
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公开(公告)号：CN119511692A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411374348.7
申请日：2024-09-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G05B13/04
Abstract: 本申请涉及硬件控制技术领域，特别是涉及一种正切及反正切函数硬件电路构建方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：构建包含第一子函数与第二子函数的计算模型；根据正切及反正切函数的计算精度需求，确定所述第二子函数的非线性插值间隔数量和硬件电路的输入输出位宽；根据所述第二子函数的非线性插值间隔数量和硬件电路的输入输出位宽，利用所述计算模型，对正切及反正切函数进行计算，获得存储系数；根据所述存储系数，构建硬件电路结构。采用本方法能够实现对硬件电路的正切及反正切函数的精确计算，并且提高收敛效率，使其具有更高的吞吐量。
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公开(公告)号：CN119227474A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410826845.X
申请日：2024-06-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了基于机器学习的器件单粒子翻转截面和敏感区的获取方法，涉及半导体分析技术领域，该系统公开了如下步骤：步骤S1：目标芯片的重离子单粒子效应器件仿真，获取带单粒子翻转标签的机器学习样本；步骤S2：将带单粒子翻转标签的机器学习样本作为机器学习分类算法的输入，确定发生单粒子翻转的决策边界；步骤S3：机器学习算法提取的单粒子翻转决策边界映射到目标芯片上，即可得到芯片的单粒子效应敏感区。本发明结合单粒子效应器件仿真数据，提出了器件单粒子翻转截面和敏感区的获取方法，通过本发明的方法可以实现芯片重离子单粒子效应敏感性的快速评估，大大节省了试验成本。
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