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公开(公告)号：CN102593717A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210075628.9
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器，特别是超薄绝缘层半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括衬底上的下金属化层，下限制层，下波导层，下过渡层，量子阱层，上过渡层，上波导层，上限制层，上金属化层，上下金属电极层，前后腔面分别镀的增透膜和高反射薄膜，在上金属化层和上金属电极层之间的上金属化层表面开有至少两条沟槽，两相邻沟槽之间设有载流子限制绝缘凸起。制备方法是采用光刻技术与刻蚀技术在上金属化层制备沟槽，然后在金属化层上沉积载流子限制层；将沟槽之间的载流子限制层进行裁减，形成载流子限制绝缘凸起。本发明绝缘层厚度低，可以使半导体激光器的散热更加快速，有利于半导体激光器功率和寿命的提高。
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公开(公告)号：CN102593710A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210075365.1
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器，特别是利用热沉散热的半导体激光器的封装方法，含以下步骤：在热沉上制备含有碳纳米管的焊料；将半导体芯片置于热沉上并固定，在半导体芯片上放置低膨胀系数玻璃压条，低膨胀系数玻璃压条上放置压块；通过升温和降温过程将半导体芯片焊接到热沉上；压焊电极引线。本发明的方法封装半导体激光器有利于改善芯片焊接到热沉上的形变，有利于改善激光器的光束质量，有利于提高热沉的散热效率，有利于延长激光器的寿命。
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公开(公告)号：CN112414235A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011235996.6
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: F42C13/02
Abstract: 本发明公开了一种360度全视场扫描与探测的激光引信装置，包括以轴线为中心旋转并沿轴线方向前进的引信柱，引信柱的周向均匀设置4路发射接收模组，每路发射接收模组包括发射模块和接收模块；发射模块包括两个相互垂直设置的激光芯片，用于发射覆盖90°视场范围的激光信号；接收模块，用于接收回波信号；发射模块、接收模块的光轴与引信柱的轴线之间具有夹角。采用本发明的一种360度全视场扫描与探测的激光引信装置，可以装载在毁伤装置中，协助主装置精确360°无死角寻找并打击目标。
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公开(公告)号：CN110233421A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910620096.4
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/14
Abstract: 本发明公开了一种基于环形外腔的锥形半导体激光器，包括锥形激光器、衍射光栅、分束镜和全反镜组；所述锥形激光器包括前腔面、后腔面、脊形波导区和锥形增益放大区；衍射光栅位于锥形激光器的出光方向；分束镜位于衍射光栅的衍射光方向；全反镜组将分束镜反射的光变向传输到锥形激光器的后腔面，所述锥形激光器从前腔面发出激光入射到衍射光栅，经衍射光栅衍射传输至分束镜分光，大部分光直接输出，小部分光反射后经过全反镜组变向传输到锥形激光器的后腔面，经过锥形激光器内部的脊形波导区选基横模及锥形增益放大区功率放大再出射，形成循环。采用本发明的一种基于环形外腔的锥形半导体激光器，可以在保持基于环形外腔的锥形半导体激光器高光束质量的同时，产生窄谱宽、可调谐的高亮度激光。
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公开(公告)号：CN104836114B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510273978.X
申请日：2015-05-27
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器的快慢轴光束质量匀化装置的技术方案，该方案基于光束全反射原理，利用直角棱镜空间组合作为光束旋转器件，采用柱面透镜组作为Y方向准直，两片式柱面缩束镜作为X方向缩束器件，在不引入各发光点光程差的前提下，可实现半导体激光器的快慢轴光束质量匀化整形。该发明具有光束旋转无像差，不改变光束前进方向，整形系统装调简单易行等特点。基于该发明研制的半导体激光高亮度光纤耦合输出光源可应用在泵浦光纤激光器、医疗及工业加工等众多领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105511089A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610045815.0
申请日：2016-01-25
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G02B27/09
CPC classification number: G02B27/09 , G02B27/0938 , G02B27/0961 , G02B27/0966
Abstract: 本发明属于激光技术应用领域，公开一种大功率半导体激光器线阵实现束参积调整的装置。该装置包含快轴准直平凸柱透镜、错位整形堆栈、重排整形堆栈及慢轴准直平凸柱透镜阵列四部分。采用微小尺寸平行玻璃薄片作为光束整形组件，通过尺寸及角度的优化设计，针对大功率半导体激光器线阵中每个独立发光单元实现光束错位整形及重排整形，进而实现半导体激光器线阵束参积的调整。该发明具有器件成本低、整形效率高、适用于大功率半导体激光器等优点。基于该发明研制的高功率半导体激光输出光源可应用在泵浦固体激光器、医疗及工业加工等众多领域。
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公开(公告)号：CN104808345A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510273033.8
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
CPC classification number: G02B27/0916 , G02B27/0961 , G02B27/0966 , G02B27/0972 , G02B27/30
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器的发光点旋转密排整形装置的技术方案，该方案包括有半导体激光器芯片、热沉、快轴准直透镜、柱面透镜组、直角棱镜组；半导体激光器芯片封装在热沉上；半导体激光器芯片发射的激光依次穿过快轴准直透镜、直角棱镜组和柱面透镜组后射出。该方案同时通过光束的旋转，实现了快慢轴光束质量的匀化，而且结构简单，元件加工容易。
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公开(公告)号：CN103170765B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310068523.5
申请日：2013-03-05
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明为一种金锡合金焊料制备方法，该方法通过采用Au靶和Sn靶分层磁控溅射技术，在CuW次热沉上沉积各种金属膜，并通过高温合金烧结形成金锡合金焊料；与传统技术相比该方法其优势就在于较快的沉积速率，在沉积过程中还可以通过旋转基板来保证沉积层厚度的一致性，避免了传统电子束蒸发或分层电镀带来的利用率太低而电镀反应不好控制，厚度和成分都很难精确控制的缺点。
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公开(公告)号：CN104332821A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410656373.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于双光栅外腔反馈的二极管激光光谱合成装置技术方案，该方案包括有二极管激光光源、第一光栅、第二光栅和外腔镜；二极管激光光源包括有二极管激光叠阵、快轴准直透镜和慢轴准直透镜；二极管激光光源输出的激光束入射到第一光栅上发生衍射，衍射后的光束射入第二光栅上，光束经过第二光栅合束后射入外腔镜；外腔镜与光束传播方向垂直，其作用是提供反馈激光同时实现激光的输出。该方案对二极管激光光源与第一光栅之间的距离、第二光栅与外腔镜之间的距离无严格要求，光路空间体积减小，装调方便灵活，增加了系统的可靠性及工程可行性。
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公开(公告)号：CN104049324A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410314820.8
申请日：2014-07-04
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种高功率半导体激光光纤耦合系统的技术方案，该方法采用相同数值孔径和芯径的小功率半导体激光光纤耦合系统作为光源，利用光纤分束器作为传光介质，基于光束可逆原理，通过监测0°全反射镜的回光功率作为聚焦系统最佳空间位置的判据，可实现高功率半导体激光光纤耦合系统中聚焦系统和输出光纤相对空间位置的精密调节固定。该发明具有聚焦系统调节简单易行、调节判据精确可靠等特点。基于该发明研制的半导体激光高亮度光纤耦合输出光源可应用在泵浦光纤激光器、医疗及工业加工等众多领域。
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