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公开(公告)号：CN101488449B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910001283.0
申请日：2009-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/203 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/02186 , C23C16/409 , C23C16/448 , C23C16/4486 , C23C16/45531 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种包括半导体处理装置和对所述半导体处理装置供给处理气体的气体供给装置的半导体处理系统，其包括控制用于调整汽化室内的压力的压力调整机构的动作的控制部。控制部按照以下方式预先设定，即根据压力检测部的压力检测值将汽化室内的压力收敛在规定的压力范围内。规定的压力范围由上限值和下限值规定，所述上限值设定为比由于压力的上升而阻碍液体原料的汽化的第一界限值低，所述下限值设定为比由于压力的下降而液体原料的汽化变得不稳定汽化室内的压力开始脉动的第二界限值高。
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公开(公告)号：CN102433547A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110303041.4
申请日：2011-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45551 , Y02T50/67
Abstract: 本发明提供成膜装置和成膜方法。成膜装置包括：载置基板的旋转台；第一反应气体供给部，配置在容器内的第一区域，供给第一反应气体；第二反应气体供给部，配置在沿旋转台旋转方向与第一区域分开的第二区域，供给第二反应气体；与第一区域及第二区域相连通地设置的第一排气口及第二排气口；分离气体供给部，配置在第一区域与第二区域之间，供给用于将第一反应气体和第二反应气体分离的分离气体；凸状部，形成用于在分离气体供给部两侧较高地维持与旋转台之间的空间的压力而能分离第一区域和第二区域的包括顶面在内的分离区域；块构件，在分离区域配置在旋转台与容器内侧面之间，在分离区域的旋转方向上游侧在旋转台与容器内侧面之间形成空间。
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公开(公告)号：CN101285178B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810086915.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448
CPC classification number: C23C16/4486
Abstract: 本发明提供一种汽化器和半导体处理系统，其是用于从液体原料得到处理气体的汽化器，包括在喷注器的排出口下侧配置在容器内的具有中空的内部空间的下部热交换体。在排出口和下部热交换体之间规定雾状液体原料的助起动空间，在容器的内侧面和下部热交换体之间规定与助起动空间连接的环状空间。内部加热器配置在下部热交换体的内部空间中。内部加热器作成利用陶瓷密封编织有多个碳纤维束的碳线的结构。内部加热器加热通过环状空间的雾状液体原料生成处理气体。
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公开(公告)号：CN102094187A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010591764.4
申请日：2010-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/4412 , C23C16/45521 , C23C16/45578
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置包括：旋转台，其能够旋转地设置于容器内，在第1面包含用于载置基板的基板载置区域；第1反应气体供给部，其用于向旋转台的第1面供给第1反应气体；第2反应气体供给部，其沿着旋转台的旋转方向相对于第1反应气体供给部分离开，用于向旋转台的第1面供给第2反应气体；分离气体供给部，其设置在第1及第2反应气体供给部之间，用于供给将第1及第2反应气体分离的分离气体；排气口，其用于对容器内进行排气；空间划分构件，其设置于第1及第2反应气体供给部中的至少一个，划分出包含该反应气体供给部与旋转台的第1面之间的空间的第1空间、及与第1空间的气体相比分离气体易于流动的第2空间。
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公开(公告)号：CN101994101A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010250341.6
申请日：2010-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/50
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/402 , C23C16/45536
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，使旋转工作台旋转，使BTBAS气体吸附在晶圆(W)上，接着向晶圆(W)表面供给O3气体，使其与吸附在晶圆(W)表面的BTBAS气体发生反应而形成氧化硅膜时，在形成氧化硅膜之后，由活化气体喷射器对晶圆(W)上的氧化硅膜供给Ar气体的等离子体，在每个成膜循环都进行改性处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101859693A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010144440.6
申请日：2010-04-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67207 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。在基板处理装置中，将成膜安装和用于进行退火处理的热处理装置与真空输送室气密地连接，并且，在真空输送室内设有作为自转机构的旋转工作台。对晶圆供给BTBAS气体，并使该气体吸附于晶圆，接着，将会与BTBAS气体反应，生成带有流动性的硅氧烷聚合物的乙醇气体和氧化硅氧烷聚合物的O3气体按该顺序供给晶圆，进行成膜处理，并且在该成膜处理的过程中，从成膜装置取出晶圆，使基板旋转，改变其方向，并进行退火处理，以使反应生成物致密化。
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公开(公告)号：CN101665925A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910172124.7
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、成膜方法。该成膜装置包括：能旋转地设置在容器内的基座；设置在基座的一个面上的基板载置区域；包括能够独立控制的多个加热部、加热基座的加热单元；对一个面供给第一反应气体的第一反应气体供给部；与第一反应气体供给部分开、对一个面供给第二反应气体的第二反应气体供给部；位于被供给第一反应气体的第一处理区域和被供给第二反应气体的第二处理区域之间的分离区域；位于容器的中央的、具有沿一个面喷出第一分离气体的喷出孔的中央区域；以及排气口。分离区域包括：供给第二分离气体的分离气体供给部；以及用于在基座上形成第二分离气体相对于旋转方向向两个方向流动的狭窄的空间的顶面。
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公开(公告)号：CN101665924A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910172122.8
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/401 , C23C16/45502 , C23C16/45508 , C23C16/4583
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及基板处理装置，该成膜装置具有：旋转台、从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第1反应气体供给部和第2反应气体供给部、设置于该第1反应气体供给部和第2反应气体供给部之间的第1分离气体供给部。该成膜装置中形成有：包含第1反应气体供给部且具有第1高度的第1空间、包含该第2反应气体供给部且具有第2高度的第2下表面区域、包含第1分离气体供给部且具有第3高度的第1空间，该第3高度低于第1高度和第2高度。设置在旋转台的旋转中心下方的电动机驱动旋转台旋转。旋转台的旋转轴和电动机的驱动轴以不发生空转的方式连接。
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公开(公告)号：CN101665920A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910172116.2
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00 , H01L21/316 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及旋转台。通过进行多次将相互反应的至少两种反应气体依次供给到基板表面上的循环，层叠反应生成物而形成薄膜。该成膜装置包括：设于真空容器内的旋转台；为了将基板载置在旋转台的同一圆周上而设于旋转台上的多个基板载置部；第1反应气体供给部件；第2反应气体供给部件；分离气体供给部件；能以在旋转台的中心部周边上下夹着旋转台的方式压接固定旋转台的上部固定构件及下部固定构件，上部固定构件由石英或陶瓷形成。
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公开(公告)号：CN100524641C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200480013598.2
申请日：2004-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065 , C23C16/505 , C23F4/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明的目的在于：在纵型等离子体处理装置中，不降低原子团的利用效率，防止等离子体对被处理体的破坏，并抑制空心阴极放电和等离子体引起的溅射的发生。在处理容器32的侧壁的内表面的一部分上设置有在上下方向延伸的凹部74。从配置在凹部74中的等离子体气体喷嘴62喷出的等离子体气体，在凹部74中的等离子体电极76之间的区域PS中被等离子体化，向着被处理体W从凹部74喷出。
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