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公开(公告)号：CN116598180A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310067277.5
申请日：2023-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种防止异常放电的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其设置于上述等离子体处理腔室内，用于保持基片；和与上述基片支承部相对的喷淋头，上述喷淋头具有喷淋板，上述喷淋板形成有释放气体的气体流路，并包括：具有凹部的基材；和插入并被接合于上述凹部的埋入部件，上述气体流路包括：形成于上述基材并与上述凹部连通的第一流路；形成于上述埋入部件的第二流路；以及连通路，其形成于上述基材和上述埋入部件中的至少一者，将上述第一流路与上述第二流路连通。
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公开(公告)号：CN110983227B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201911269195.9
申请日：2017-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 福吉米株式会社
Abstract: 本发明涉及喷镀用材料和带喷镀膜的构件。提供能够形成耐等离子体侵蚀性进一步提高了的致密的喷镀膜的喷镀用材料。利用本发明公开的技术，制成下述喷镀用材料，其包含稀土元素(RE)、氧(O)和卤素元素(X)作为构成元素，并且包含稀土元素卤氧化物(RE‑O‑X)与稀土元素卤化物(REX3)的混晶。
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公开(公告)号：CN113948363A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110771521.7
申请日：2021-07-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种抑制颗粒的产生的蚀刻处理装置、石英构件以及等离子体处理方法。一种蚀刻处理装置，其具备：载置基板的载置台；收容上述载置台的腔室；在上述腔室内生成等离子体的等离子体生成部以及配置于生成上述等离子体的空间的环状的石英构件，上述石英构件具有对在生成上述等离子体的空间中露出的表面进行覆盖的涂膜，上述涂膜由与石英不同的材料形成，且具有10nm以上且小于800nm的厚度。
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公开(公告)号：CN108070812A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711086205.6
申请日：2017-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 福吉米株式会社
Abstract: 本发明涉及喷镀用材料和带喷镀膜的构件。提供能够形成耐等离子体侵蚀性进一步提高了的致密的喷镀膜的喷镀用材料。利用本发明公开的技术，制成下述喷镀用材料，其包含稀土元素(RE)、氧(O)和卤素元素(X)作为构成元素，并且包含稀土元素卤氧化物(RE-O-X)与稀土元素卤化物(REX3)的混晶。
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公开(公告)号：CN100533673C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN03119377.3
申请日：2003-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B7/04 , B24C1/003 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提供一种彻底清洗等离子加工装置中待清洗元件表面上的沉积物的方法，不会有任何已经在待清洗元件表面上形成的阳极涂层或喷雾涂层的损伤。这种清洗方法包括浸入有机溶剂(例如丙酮)的化学清洗步骤(a)；接着吹入压缩空气，以便去除已经由化学处理过的缓冲板(14)脱落的沉积物的步骤(b)；接着，通过采用CO2鼓风装置(103)鼓风物理清除残留在缓冲板(14)边缘的沉积物，和缓冲板(14)浸入纯水(104)，并给予超声振动清除保留在缓冲板(14)上的沉积物的f步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101207062A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710181964.0
申请日：2007-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/00 , C23C16/458 , C23F4/00
CPC classification number: H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种基板载置台的制造方法，能够防止在流体通道内残留喷镀残渣，而且，能够防止发生喷镀残渣所导致的污染，以及能够防止发生流体通道的孔堵塞。该基板载置台的制造方法，在作为气体喷出孔(511)的内侧面和槽(512)的内侧面等的气体供给通道的部分形成能够除去的膜(540)。接着，供给压缩空气等的气体，一边从各气体喷出孔(511)喷出压缩空气等的气体，一边在载置面上依次叠层陶瓷喷镀膜(10)、金属喷镀膜(电极)(12)、陶瓷喷镀膜(10)，从而形成3层的静电卡盘(11)。接着，向槽(512)内导入流体，例如导入丙酮等有机溶剂、压缩空气、水等，进行膜(540)的除去和清洗，除去在陶瓷喷镀工序中附着的块状喷镀陶瓷(530)。
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公开(公告)号：CN1293611C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN02818626.5
申请日：2002-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。
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公开(公告)号：CN1276478C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN02809527.8
申请日：2002-04-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404
Abstract: 形成包覆膜的包覆剂(51)由环化橡胶-双叠氮化物等主要成分和感光剂组成的抗蚀剂构成，通过将从处理室(22)内取出的处理室内部件(50)浸渍在丙酮等剥离液中，可在剥离附着的包覆膜的同时，从处理室内部件(50)上分离堆积在处理室内部件(50)上形成的包覆剂(51)的包覆膜上的堆积物(52)。
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公开(公告)号：CN1249789C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200310115779.3
申请日：2003-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C4/10
CPC classification number: H05H1/24 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , Y10T428/249969 , Y10T428/24997 , Y10T428/31544 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理容器内部件，可抑制作为掺杂涂层而形成的喷镀膜的剥离。它是在基材(71)与喷镀膜(72)之间，由对含卤素处理气体的耐腐蚀性好的材料形成屏蔽性涂层(73)，通过树脂或溶胶凝胶法对该屏蔽性涂层(73)进行封孔处理。
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公开(公告)号：CN1429404A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN01809509.7
申请日：2001-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32458
Abstract: 本发明提供一种使维护容易进行、可减轻操作者负担的处理装置及其维护方法。构成蚀刻装置(100)的处理室(102)的顶板部的上部电极单元(106)由包含上部电极(130)的处理室(102)侧的下部组件(128)、和包含导电体(144)的电压供给侧的上部组件(128)构成。解除锁定机构(156)，通过升降机构(164)单独使上部组件(126)上升并取出后，进行上部组件(126)和/或下部组件(128)的维护。将锁定机构(156)锁定，通过升降机构(164)使上部及下部组件(126、128)一体上升，取出后，对处理室(102)内进行维护。
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