公开(公告)号：CN100367446C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN03822080.6

申请日：2003-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  三桥康至 ,  三枝秀仁 ,  高濑均 ,  中山博之

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32972

Abstract: 本发明提出了用于等离子体工艺系统的改进的光学窗口淀积屏蔽，光学窗口淀积屏蔽通过一个淀积屏蔽，用于等离子体工艺系统中的工艺空间的光学入口，其中光学窗口淀积屏蔽的设计和制作对工艺空间中的工艺等离子体方便地提供了一个光学清洁入口，而基本上保持最小地腐蚀光学窗口淀积屏蔽。

公开(公告)号：CN101061572A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200680001198.9

申请日：2006-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  汤浅珠树

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供了一种处理装置的改良后处理容器的构造，该处理装置在金属制的筒体状处理容器内采用处理气体对被加热的半导体晶片等被处理体进行处理。处理容器(34)由在上下方向层积并相互连结的多个块体(80、82、84)而构成。邻接块体之间设置有真空隔热层(86、88)。由此，能够抑制各个块体间的热传导，并且能够对各个块体的温度进行分别控制，提高能量效率。

公开(公告)号：CN1551293A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410038016.8

申请日：2004-05-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  樋熊政一 ,  武藤慎司 ,  藤原尚 ,  中山博之 ,  岛贯义纪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/38 ,  H01L21/30 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/68 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明提供一种处理装置，通过提高使静电夹头层和支承部粘接的接合层的热传导率，缩短基板稳定至规定温度所需的时间，还可抑制由等离子体产生的活性种引起的所述接合层的劣化。在利用由氧化铝制成的绝缘层覆盖钨制的夹头电极构成的烧结体形成的静电夹头层和用于支承所述静电夹头层的铝制支承部之间，设置用于使所述支承部和静电夹头层接合的接合层。通过将硅系粘接性树脂浸含至多孔陶瓷中，构成该接合层。另外，设置柔软的覆盖部件例如由PFA等氟树脂制成的热收缩管或橡胶等，以覆盖所述接合层的侧周面，使静电夹头层和支承部的侧周面与该覆盖部件密接。