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公开(公告)号：CN111383958B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201911299983.2
申请日：2019-12-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基片液处理装置。本发明的一个方面的基片液处理装置包括：处理槽，其贮存用于对多个基片实施液处理的处理液；基片支承部，其在处理槽内，以多个基片各自的主面沿铅垂方向的方式支承多个基片；处理液排出部，其设置在比由基片支承部支承的多个基片靠下方处，通过将处理液排出到处理槽内来生成上升流；和在侧方空间中调节处理液的液流的整流部，其中侧方空间形成在处理槽的第1侧壁与多个基片中具有和第1侧壁相对的主面的第1基片之间。本发明对基片液处理时的基片面内的处理的均匀性有效的。
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公开(公告)号：CN109585337B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201811139670.6
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备SiO2析出防止剂供给部和控制部。SiO2析出防止剂供给部供给要混合到在基板处理槽中进行蚀刻处理的磷酸处理液中的SiO2析出防止剂。控制部基于磷酸处理液的温度来设定磷酸处理液中含有的SiO2析出防止剂的浓度，并且控制SiO2析出防止剂的供给量，使得成为所设定的SiO2析出防止剂的浓度。
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公开(公告)号：CN108376660B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201810096859.5
申请日：2018-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理装置。防止从内槽内的处理液的表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽的外侧的意料之外的区域。基板液处理装置具备盖体(71、72)，该盖体(71、72)能够在使内槽(34A)的上部开口封闭的封闭位置与使内槽的上部开口开放的开放位置之间移动。盖体具有：主体部(71A、72A)，其在该盖体位于封闭位置时覆盖内槽的上部开口；以及飞沫遮蔽部(71B、72B、71D、72D)，其连接到主体部。在盖体位于封闭位置时，飞沫遮蔽部从比与该飞沫遮蔽部相邻的内槽的侧壁的上端高的高度位置延伸至比该侧壁靠外槽那一侧且比该侧壁的上端低的位置。
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公开(公告)号：CN109585334B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201811136956.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，该基板处理装置和基板处理方法提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、磷酸处理液供给部、循环路径、SiO2析出防止剂供给部以及混合部。磷酸处理液供给部供给在基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液。循环路径用于使被供给到基板处理槽中的磷酸处理液循环。SiO2析出防止剂供给部向循环路径供给SiO2析出防止剂。混合部将含硅化合物混合到供给至循环路径之前的磷酸处理液中。
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公开(公告)号：CN111383958A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911299983.2
申请日：2019-12-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基片液处理装置。本发明的一个方面的基片液处理装置包括：处理槽，其贮存用于对多个基片实施液处理的处理液；基片支承部，其在处理槽内，以多个基片各自的主面沿铅垂方向的方式支承多个基片；处理液排出部，其设置在比由基片支承部支承的多个基片靠下方处，通过将处理液排出到处理槽内来生成上升流；和在侧方空间中调节处理液的液流的整流部，其中侧方空间形成在处理槽的第1侧壁与多个基片中具有和第1侧壁相对的主面的第1基片之间。本发明对基片液处理时的基片面内的处理的均匀性有效的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109585334A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811136956.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，该基板处理装置和基板处理方法提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、磷酸处理液供给部、循环路径、SiO2析出防止剂供给部以及混合部。磷酸处理液供给部供给在基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液。循环路径用于使被供给到基板处理槽中的磷酸处理液循环。SiO2析出防止剂供给部向循环路径供给SiO2析出防止剂。混合部将含硅化合物混合到供给至循环路径之前的磷酸处理液中。
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公开(公告)号：CN107492511A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710414430.1
申请日：2017-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67017 , H01L21/67086 , H01L21/67253 , H01L21/30604
Abstract: 本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。不改变磷酸水溶液的浓度地将磷酸水溶液的沸腾状态保持固定，实现蚀刻均匀性。基板液处理装置(1)具有液处理部(39)、处理液循环线(42)以及调整设置于液处理部(39)的处理槽(34)的沸腾状态检测部(70)。控制部(7)基于来自沸腾状态检测部(70)的信号对处理液循环线(42)的供给泵(51)进行控制来对供给的流路内的磷酸水溶液的压力进行调整，从而将磷酸水溶液的沸腾状态调整为期望的状态。
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公开(公告)号：CN109698143B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201811219721.6
申请日：2018-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽和控制部。基片处理槽通过将基片浸渍在磷酸处理液中，来进行蚀刻处理。控制部随着蚀刻处理的进展，控制用于对磷酸处理液进行温度调节的温度调节部，来降低磷酸处理液的温度。本发明能够抑制硅氧化物析出。
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公开(公告)号：CN111696889B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202010134070.1
申请日：2020-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种混合装置、混合方法以及基板处理系统。高效地混合磷酸水溶液和抑制硅氧化物的沉积的添加剂。本公开的一个方式的混合装置具备磷酸水溶液供给部、添加剂供给部、罐、磷酸水溶液供给线路以及添加剂供给线路。磷酸水溶液供给部用于供给磷酸水溶液。添加剂供给部用于供给抑制硅氧化物的沉积的添加剂。磷酸水溶液供给线路将磷酸水溶液供给部与罐连接。添加剂供给线路将添加剂供给部与罐连接。另外，混合装置一边对从磷酸水溶液供给部供给到罐的磷酸水溶液提供流动性，一边供给添加剂。
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公开(公告)号：CN111696891B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010160379.8
申请日：2020-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置、混合方法和基片处理方法。本发明的一方式的基片处理装置包括处理槽、混合装置、送液路径和硅溶液供给部。处理槽用于浸渍基片来对其进行处理。混合装置将磷酸水溶液和抑制硅氧化物的析出的添加剂混合来生成混合液。送液路径从混合装置向处理槽输送混合液。硅溶液供给部与送液路径和处理槽中的至少一者连接，向从混合装置供给的混合液供给含硅化合物水溶液。由此，能够适当地实施用含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液所进行的蚀刻处理。
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