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公开(公告)号:CN114966252A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202111505888.0
申请日:2021-12-10
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供了一种数字信号处理电路辐照测试系统,所述数字信号处理电路辐照测试系统包括FPGA母板电路、DSP子板电路、上位机和电源模块,所述数字信号处理电路辐照测试系统置于辐照室中进行辐照测试;所述上位机通过网口与FPGA母板电路连接,上位机通过控制FPGA母板电路来控制DSP子板电路的偏置状态;所述电源模块对FPGA母板电路和DSP子板电路进行供电,所述电源模块采用TPS54310芯片,输入电压为5V,输出电压在0.9V‑3.3V之间调节。本发明通过字母板的设计方案,可以同时对两块DSP进行配置,提高了辐射实验的效率,并且能够进行动态偏置和静态偏置两种偏置实验。
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公开(公告)号:CN114414971A
公开(公告)日:2022-04-29
申请号:CN202111530294.5
申请日:2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法,包括第一步,选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器,分为A组、B组,第二步,对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验;第三步,对A组CMOS图像传感器进行结构分析;第四步,采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损,计算出位移损伤剂量;第五步,采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损,根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni;第六步,对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验;第七步,计算空间质子电离损伤△μi,△μi=μAi‑μBi;第八步,拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤,精准预判器件在轨性能退化趋势,提前做好防护措施,对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号:CN114408309A
公开(公告)日:2022-04-29
申请号:CN202111536195.8
申请日:2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种带交联乙烯‑四氟乙烯导线的组件的防腐蚀包装方法,其特征在于,其包括以下步骤:S1、导线前处理:包括将剪好的导线放入烘箱中进行热处理;S2、导线组件包装:包括将热处理过的导线组装成导线组件后进行单元包装,所述单元包装采用自封袋打孔包装或者真空干燥包装。本发明通过对X‑ETFE导线进行前处理将氟元素提前释放,并通过采用自封袋打孔的包装方法,使得包装内含氟物质通过打孔向外散发,从而降低电连接器金属零件的腐蚀速率;或者采用真空干燥包装方法,除去空气中的水气,以有利于延长贮存时间,有效解决了腐蚀的问题。
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公开(公告)号:CN221959548U
公开(公告)日:2024-11-05
申请号:CN202420643610.2
申请日:2024-03-29
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01D18/00
Abstract: 本实用新型公开了批量化光电探测器宽温域下参数原位测试装置及试验方法,测试装置包括:光源、拆换法兰盘、滤波轮、隔热玻璃、高低温试验箱、测试板、三维运动模组、Y轴伺服电机、环境控制装置、X轴伺服电机、操作台。三维运动模组安装在高低温试验箱内部底座上,X轴伺服电机和Y轴伺服电机组分别与三维运动模组连接,测试板安装在三维运动模组的平台上。本实用新型通过创新性试验装置的设计,实现了宽温域试验条件下的原位测试,解决了传统光电探测器在进行宽温域变化的试验项目时,需要在多台设备间转移的问题;同时实现了测试板对待测光电器件一对多的控制,降低了试验成本。
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