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公开(公告)号：CN116401995A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310355365.5
申请日：2023-04-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/23
Abstract: 本申请实施例提供一种声表面波器件的仿真方法、装置、电子设备及存储介质，方法包括：对声表面波器件进行建模，得到声表面波器件模型；针对多个预设频率中的每个预设频率，执行：基于预设频率对核心单元模型进行解析处理，得到核心单元模型的系统矩阵方程；对系统矩阵方程中的各项参数进行分类和重排处理，得到核心单元模型的初始目标矩阵方程；基于核心单元模型的初始目标矩阵方程确定目标矩阵方程；基于目标矩阵方程确定预设频率下声表面波器件的导纳；基于声表面波器件的导纳，确定声表面波器件导纳的频率响应有限元仿真曲线。通过本申请实施例提供的一种声表面波器件的仿真方法，可以加速计算过程，并且减少计算机资源占用和仿真时间。
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公开(公告)号：CN116318023A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310354290.9
申请日：2023-04-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种兰姆波谐振器及滤波器，通过调控局部薄膜的厚度来改善声阻抗的匹配性，包括在第一材料区中的压电薄膜中设置凹槽，或在第二材料区中的压电薄膜下方形成介质层，以对由叉指电极构成的具有厚度差的兰姆波谐振器进行局部厚度调整，使得第一材料区与第二材料区沿厚度方向交错设置，以抑制兰姆波谐振器的杂散模式，并根据该谐振器构建响应的滤波器，以抑制由杂散模式带来的通带性能恶化现象，从而有助于高频大带宽声学谐振器的发展。
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公开(公告)号：CN115412052A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211034736.1
申请日：2022-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种声表面波谐振器，包括：由下至上层叠设置的支撑衬底、压电薄膜和电极结构；电极结构的两侧分别设置有一个反射栅阵列；电极结构包括输入区叉指电极阵列、切换区叉指电极阵列和输出区叉指电极阵列；输入区叉指电极阵列、切换区叉指电极阵列和输出区叉指电极阵列并列且串联连接；输入区叉指电极阵列的输入端为声表面波谐振器的输入端，输入区叉指电极阵列的输出端与切换区叉指电极阵列的输入端连接；切换区叉指电极阵列的输出端与输出区叉指电极阵列的输入端连接，输出区叉指电极阵列的输出端为声表面波谐振器的输出端。本发明能够在保证声表面波谐振器性能的同时，有效降低其静态电容，满足设计需求。
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公开(公告)号：CN115295404A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210943233.X
申请日：2022-08-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/283
Abstract: 本发明提供一种Ga2O3基异质集成pn结的制备方法，其包括将n型Ga2O3晶片和p型半导体晶片的至少一种作为待剥离材料，自待剥离材料的抛光面进行离子注入，形成缺陷层；将n型Ga2O3晶片与p型半导体晶片的抛光面键合；退火处理并沿缺陷层剥离，去除表面损伤层，进行同质外延，进行金属沉积并进行退火。本发明的制备方法通过离子束剥离与转移以及外延工艺，将n型Ga2O3转移到p型半导体晶片上，解决现有技术中Ga2O3材料p型掺杂困难，将n型Ga2O3材料与p型半导体材料进行异质集成后电学性能受限的问题，对Ga2O3材料在双极型器件领域的应用意义重大，大大拓展Ga2O3材料的应用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115206811A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110379342.9
申请日：2021-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种异质键合结构及制备方法，通过对异质衬底进行离子注入与退火，在异质衬底中形成结构松散层，以容纳亲水性键合过程中界面处产生的水汽，以及离子束剥离与转移工艺中键合界面处的离子和气体分子，解决了亲水性键合过程中键合界面处水汽聚集引起的起泡问题和利用离子束剥离与转移技术进行半导体材料异质集成时注入离子聚集在键合界面处引起的电场拥簇和起泡的问题，优化了异质键合工艺，提高了异质衬底与键合材料的界面质量，以及利用该异质键合结构制成的器件的可靠性，对由异质键合结构制成的器件的发展意义重大。
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公开(公告)号：CN115021705A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210742047.X
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，本发明公开了一种高频声波谐振器及应用其的滤波器。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、底电极、压电薄膜和叉指换能器；该叉指换能器包括第一汇流条和多个间隔设置的第一电极；该多个第一电极的同一侧与该第一汇流条连接；该多个第一电极中相邻的第一电极的中心之间的间隔距离与目标模式的频率之积小于该支撑衬底的声速；该目标模式为该高频声波谐振器在纵向电场作用下激发的高阶模式；本申请提供的该声波谐振器建立在异质集成衬底上，具有结构简单且压电薄膜强度高，仍能够保证声波谐振器的品质的特点。
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公开(公告)号：CN111262127B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010079728.3
申请日：2020-02-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种硅基InGaAs激光器衬底的制备方法，包括：S1：在供体衬底上赝晶生长InxGa1‑xAs外延层薄膜；S2：外延层薄膜远离供体衬底的一面为注入面，自注入面向外延层进行离子注入和在注入面表面沉积第一金属层，注入的离子在外延层内形成剥离层；S3：在支撑衬底表面沉积第二金属层；S4：通过将第一金属层和第二金属层键合使得支撑衬底、第二金属层、第一金属层、外延层和供体衬底依次连接形成整体；S5：将键合后的整体进行退火处理，沿剥离层将供体衬底剥离，外延层转移至支撑衬底上形成硅基InGaAs衬底；本发明还提供一种衬底及激光器；本发明能够突破现有二元化合物晶格常数对激光器的限制，扩大生长在衬底上的激光器在材料选择和结构设计的自由度。
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公开(公告)号：CN114530421A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210063101.8
申请日：2022-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/8258 , H01L27/092
Abstract: 本申请实施例所公开的一种器件的制备方法及其结构，包括对第二衬底进行离子注入，在第二衬底的内部形成缺陷层，得到待键合结构，将待键合结构和第一衬底进行键合，得到异质衬底，将第三衬底与异质衬底进行键合，得到异质复合衬底；异质复合衬底包括待刻蚀区域、待生长区域和待制备区域；待刻蚀区域、待生长区域和待制备区域依次连接设置，在待刻蚀区域制备调制掺杂场效应晶体管结构，且在待生长区域制备隔离结构，且在待制备区域制备互补金属氧化物半导体结构，将调制掺杂场效应晶体管结构与互补金属氧化物半导体结构连接，得到器件。本申请可以兼容调制掺杂场效应晶体管和互补金属氧化物半导体，可以减小热应力。
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公开(公告)号：CN114337583A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111466558.5
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明提供了一种声表面波谐振器。该声表面波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜、叉指换能器和两个反射栅单元；叉指换能器的两侧分别设有一个反射栅单元；从而使得当该谐振器处于工作模式时，可以在压电薄膜区域形成准驻波。且该叉指换能器包括叉指电极区域，叉指电极区域包括叉指电极对，后续可以通过对叉指电极的尺寸进行调节，从而使使每对叉指电极对的菲涅尔区可以包括整个谐振器，实现抑制衍射效应的效果，提高了该器件的品质因数。
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