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公开(公告)号：CN102386068A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110215670.1
申请日：2011-07-29
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种锗硅衬底的生长方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；在单晶硅支撑衬底表面形成籽晶层，所述籽晶层的材料为单晶锗硅；在籽晶层的表面形成插入层，所述插入层的材料为锗组分大于籽晶层中锗组分的单晶锗硅；在插入层的表面形成锗硅晶体层。
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公开(公告)号：CN102383192A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110215672.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种锗衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底为晶体材料；在支撑衬底表面采用第一温度外延生长第一锗晶体层；在第一锗晶体层表面采用第二温度外延生长第二锗晶体层，所述第一温度低于第二温度。本发明的优点在于提出了一种低高温锗外延结合的生长工艺，首先低温生长一层锗层，锗外延生长速度低，具有二维生长特性且完全弛豫，这层薄的低温锗层具有较多的缺陷，易于应力驰豫以及位错湮灭，随后，再高温生长一层锗外延层，该层生长速度快，能够得到具有高晶体质量且完全驰豫的单晶锗层。
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公开(公告)号：CN102383192B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201110215672.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种锗衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底为晶体材料；在支撑衬底表面采用第一温度外延生长第一锗晶体层；在第一锗晶体层表面采用第二温度外延生长第二锗晶体层，所述第一温度低于第二温度。本发明的优点在于提出了一种低高温锗外延结合的生长工艺，首先低温生长一层锗层，锗外延生长速度低，具有二维生长特性且完全弛豫，这层薄的低温锗层具有较多的缺陷，易于应力驰豫以及位错湮灭，随后，再高温生长一层锗外延层，该层生长速度快，能够得到具有高晶体质量且完全驰豫的单晶锗层。
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公开(公告)号：CN1564323A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017239.6
申请日：2004-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途。其特征在于：具有双埋层结构，下埋层为连续的绝缘埋层，上埋层为不连续的图形化绝缘埋层。在存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.05～0.4μm，而在不存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.6～20μm，制备方法是以注氧隔离技术制备的具有连续埋层的SOI材料为衬底，硅气相外延生长获得较厚的单晶硅层，再采用图形化SIMOX工艺得到不连续的上埋层结构，或再结合反应离子刻蚀技术以及硅选择性外延工艺将上埋层结构的连续状况转变为不连续的。所制备的材料为SOI光电子器件的单片集成提供了衬底材料。
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公开(公告)号：CN101335236A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200710173710.4
申请日：2007-12-28
Applicant: 上海新傲科技有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/822
Abstract: 本发明涉及一种利用桶式外延炉进行埋层外延用于制作BICMOS电路的制备方法，属于微电子技术领域。具体地说是一种利用桶式外延炉来制备BICMOS原材料的新工艺，新制备方法。这种新型制备方法相比于通常单片炉制备方法不但能满足BICMOS电路制作的高要求，而且具有高产量、低成本等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1560655A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410016630.4
申请日：2004-02-27
Applicant: 上海新傲科技有限公司
IPC: G02B6/10
Abstract: 本发明提出了一种降低硅光波导，或基于绝缘体上的硅材料光波导损耗的方法，其特征在于：首先通过氢气气氛中的高温烘烤，改善硅光波导或SOI光波导的波导表面状况，显著抑止光在波导结构中传输时的散射损耗，实现光波导传输损耗的降低；然后再利用离子束辅助沉积技术，在波导的输入、输出端面沉积氧化铪增透膜，降低光耦合出入光波导的菲涅耳反射损耗；关键的技术途径为：(1)将制备的硅光波导或SOI光波导置于氢气气氛中，在800～1300℃的温度范围内烘烤10分钟～20小时；(2)利用离子束辅助沉积技术，在硅光波导或SOI光波导的输入和输出端面均匀沉积一层厚度为150～210nm的氧化铪增透膜，沉积速率0.1～0.8nm/s，材料折射率控制在1.82～1.95。
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公开(公告)号：CN1514472A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN03141886.4
申请日：2003-07-29
Applicant: 上海新傲科技有限公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/84
Abstract: 本发明提出了一种厚膜图形化SOI材料的制备方法，先采用SIMOX技术在体硅中注氧隔离形成薄膜图形化SOI材料，其特征在于然后利用CVD气相外延方法在衬底表层外延形成单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种，或在锗硅薄膜上继续外延单晶硅形成应变硅的结构。具体工艺步骤包括4步：(1)在硅衬底上光刻阻挡离子注入的掩模；(2)离子注入；(3)高温退火；(4)CVD外延生长单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种。外延层厚度通过沉积速率调节，其厚度为0.7～50μm。本发明所制备的厚膜图形化SOI材料为MEMS和MOEMS集成提供了衬底材料。
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公开(公告)号：CN1277135C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200410016630.4
申请日：2004-02-27
Applicant: 上海新傲科技有限公司
IPC: G02B6/10
Abstract: 本发明提出了一种降低硅光波导，或基于绝缘体上的硅材料光波导损耗的方法，其特征在于：首先通过氢气气氛中的高温烘烤，改善硅光波导或SOI光波导的波导表面状况，显著抑止光在波导结构中传输时的散射损耗，实现光波导传输损耗的降低；然后再利用离子束辅助沉积技术，在波导的输入、输出端面沉积氧化铪增透膜，降低光耦合出入光波导的菲涅耳反射损耗；关键的技术途径为：(1)将制备的硅光波导或SOI光波导置于氢气气氛中，在800～1300℃的温度范围内烘烤10分钟～20小时；(2)利用离子束辅助沉积技术，在硅光波导或SOI光波导的输入和输出端面均匀沉积一层厚度为150～210nm的氧化铪增透膜，沉积速率0.1～0.8nm/s，材料折射率控制在1.82～1.95。
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公开(公告)号：CN1265433C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN03141886.4
申请日：2003-07-29
Applicant: 上海新傲科技有限公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/84
Abstract: 本发明提出了一种厚膜图形化SOI材料的制备方法，先采用SIMOX技术在体硅中注氧隔离形成薄膜图形化SOI材料，其特征在于然后利用CVD气相外延方法在衬底表层外延形成单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种，或在锗硅薄膜上继续外延单晶硅形成应变硅的结构。具体工艺步骤包括4步：(1)在硅衬底上光刻阻挡离子注入的掩模；(2)离子注入；(3)高温退火；(4)CVD外延生长单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种。外延层厚度通过沉积速率调节，其厚度为0.7～50μm。本发明所制备的厚膜图形化SOI材料为MEMS和MOEMS集成提供了衬底材料。
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公开(公告)号：CN101550590A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910048613.1
申请日：2009-03-31
Applicant: 上海新傲科技有限公司
IPC: C30B25/14
Abstract: 一种多层外延层的生长设备，包括反应室、掺杂元素进口，还包括多个进气通路以及切换阀。本发明还提供了一种采用上述的设备进行多层外延层的生长方法。本发明的优点在于，采用多个气体通路，克服了稀释气体流量不可调节的问题，只需要操作切换阀既可以获得具有不同的掺杂元素浓度的气体，而不需要更换掺杂源，因此简化了工艺过程，降低对衬底和外延层的污染，并且实现了生长过程中的在位切换，易于控制每一次外延生长的厚度以及掺杂浓度的分布状态。
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