公开(公告)号：CN1277135C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200410016630.4

申请日：2004-02-27

Applicant: 上海新傲科技有限公司

Inventor： 张峰 ,  林志浪 ,  王永进 ,  程新利 ,  曹共柏

IPC: G02B6/10

Abstract: 本发明提出了一种降低硅光波导，或基于绝缘体上的硅材料光波导损耗的方法，其特征在于：首先通过氢气气氛中的高温烘烤，改善硅光波导或SOI光波导的波导表面状况，显著抑止光在波导结构中传输时的散射损耗，实现光波导传输损耗的降低；然后再利用离子束辅助沉积技术，在波导的输入、输出端面沉积氧化铪增透膜，降低光耦合出入光波导的菲涅耳反射损耗；关键的技术途径为：(1)将制备的硅光波导或SOI光波导置于氢气气氛中，在800～1300℃的温度范围内烘烤10分钟～20小时；(2)利用离子束辅助沉积技术，在硅光波导或SOI光波导的输入和输出端面均匀沉积一层厚度为150～210nm的氧化铪增透膜，沉积速率0.1～0.8nm/s，材料折射率控制在1.82～1.95。

公开(公告)号：CN1560655A

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN200410016630.4

申请日：2004-02-27

Applicant: 上海新傲科技有限公司

Inventor： 张峰 ,  林志浪 ,  王永进 ,  程新利 ,  曹共柏

IPC: G02B6/10

Abstract: 本发明提出了一种降低硅光波导，或基于绝缘体上的硅材料光波导损耗的方法，其特征在于：首先通过氢气气氛中的高温烘烤，改善硅光波导或SOI光波导的波导表面状况，显著抑止光在波导结构中传输时的散射损耗，实现光波导传输损耗的降低；然后再利用离子束辅助沉积技术，在波导的输入、输出端面沉积氧化铪增透膜，降低光耦合出入光波导的菲涅耳反射损耗；关键的技术途径为：(1)将制备的硅光波导或SOI光波导置于氢气气氛中，在800～1300℃的温度范围内烘烤10分钟～20小时；(2)利用离子束辅助沉积技术，在硅光波导或SOI光波导的输入和输出端面均匀沉积一层厚度为150～210nm的氧化铪增透膜，沉积速率0.1～0.8nm/s，材料折射率控制在1.82～1.95。