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公开(公告)号：CN115261990A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211057076.9
申请日：2022-08-30
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高饱和衍射效率的铌酸锂晶体，将原料混合充分研磨后，将籽晶固定在坩埚底部种井部位，然后将所有混合原料装入铂金坩埚并封好，置于晶体生长炉生长晶体并控制炉内温度1300‑1400℃，利用坩埚下降法法生长晶体，生长速度为0.2‑0.4mm/h，Mg离子和U离子的掺入大幅度提高了LiNbO3晶体的饱和衍射效率和光折变响应时间。还公开了该铌酸锂晶体的制备方法。本发明实现了高饱和衍射效率、快响应铌酸锂单晶的生长，并且工艺设备简单，可同时生长多根晶体，可极大提高铌酸锂晶体的生产效率，推动其在全息领域的应用。
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公开(公告)号：CN113213934A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110489855.5
申请日：2021-05-06
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C04B35/505 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B28/06 , C04B18/02 , E01F9/529 , E01F9/582 , C09K11/80
Abstract: 本发明公开了一种装配式发光振荡标线的制备方法：将可发光陶瓷片置于模具内；将混凝土浇筑入模具后硬化；脱模即得装配式发光振荡标线。所述可发光陶瓷片的化学式为(CexY1‑x)3(Al1‑yCr0.001Gay)5O12，其中，X：0‑1at.％，Y：0‑99.999％。本发明为制备具有自发光功能的振荡标线，设计了一种具有高强度和高透过率的可发光陶瓷：通过机械球磨法获得YAGG陶瓷浆料，Isobam作为分散剂和凝胶剂；该过程设备简单，工艺过程可控，极大地提高了浆料的均匀性，分散性，制备出的高质量浆料有利于得到结构均匀性好，发光性能好得YAGG透明陶瓷。
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公开(公告)号：CN111394781B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010262173.6
申请日：2020-04-06
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明申请属于晶体制备技术领域，具体公开了一种利用硼酸盐助熔剂生长二氧化铀晶体的方法，包括以下步骤：(1)助熔剂Li5U(BO3)3通过化学计量比的Li2CO3、H3BO3和UO2粉末进行混合研磨3h；(2)将步骤(1)中的混合粉末装入铂金坩埚中，通过三段温度烧结；(3)将助熔剂Li5U(BO3)3与UO2按摩尔比83mol％:17mol％配料，充分混合研磨后，装入铂金坩埚中，通Ar/5％H2，放置管式电阻炉中，升温至1235℃，利用Li5U(BO3)3助熔剂将UO2溶解，体系达到熔融态，通过缓慢冷却来达到过饱和度驱动晶体生长，得到UO2晶体。本方案主要用于制备二氧化铀晶体，解决了现有熔体法难以生长超高熔点二氧化铀晶体的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112322292A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011389143.8
申请日：2020-12-02
Applicant: 上海应用技术大学 , 上海鼎晖科技股份有限公司
IPC: C09K11/79
Abstract: 本发明公开了一种Eu3+掺杂的荧光材料及其制备方法。所述Eu3+掺杂的荧光材料的化学通式为Ca3(Tb1‑xEux)7(BO4)(SiO4)5O，其发光中心为稀土离子Eu3+。制备方法：将原料进行混合、研磨均匀，得到反应前驱体；将研磨均匀的初始料装入氧化铝坩埚，在还原气氛中升温至进行预烧结，保温；将预烧结的样品取出，置于研钵中研磨混匀后，于还原气氛中煅烧，最后得到Eu3+掺杂的荧光材料。该荧光材料的原料及最终产物均不含氟等有害物质，且制备方法简单，生产成本低。该荧光材料在蓝光LED芯片激发时发出红光，具有很好的色饱和度和显色指数，适用于全光谱LED器件、植物照明和显示等领域。
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公开(公告)号：CN112080798A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202011030636.2
申请日：2020-09-27
Applicant: 上海应用技术大学 , 江苏科创车联网产业研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种近零热猝灭氟化物荧光单晶材料及其制备方法。所述单晶材料的化学式为KY3‑xCexF10，其中，0.01≤x≤0.03。制备方法为：KF、YF3、CeF3原料混合后放入Pt坩埚烧结，制得多晶粉料；将粉料采用坩埚下降法进行晶体生长，经接种、放肩、等径生长，生长出无裂纹、无明显生长条纹的透明晶体；将透明晶体退火，自然冷却至室温。本发明的发光材料与在300nm的紫外光激发下，发射中心波长为360nm的宽带蓝紫光，其发光效率较高，在25℃～300℃温度范围内荧光热猝灭率几乎为零，制备工艺简单，其作为紫外活性介质可适用于制备成大功率或高温下使用的蓝紫光LED器件。
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公开(公告)号：CN110747510A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911196409.4
申请日：2019-11-29
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种铬掺杂铌酸铝锶可调谐激光晶体及其制备方法，晶体材料的化学式为:Cr3+:Sr2AlNbO6。Cr3+:Sr2AlNbO6晶体属于立方晶系，具有 空间群结构。Cr3+:Sr2AlNbO6的熔点为1790℃，属于一致熔融化合物，因此都可以通过提拉法生长出大尺寸和光学均一性较高的晶体。Cr3+:Sr2AlNbO6晶体生长参数为：籽晶杆的旋转速率为10～55rpm，提拉速率为1～3.5mm/h，晶体生长结束后，然后以10℃/h～65℃/h的速率降温至室温，生长出Cr3+:Sr2AlNbO6晶体。其中Cr3+掺杂浓度都为0.1at.％-10.0at.％。Cr3+:Sr2AlNbO6晶体可调谐范围为730～850nm之间，可以作为可调谐激光晶体。
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公开(公告)号：CN107163938A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710373079.6
申请日：2017-05-24
Applicant: 上海应用技术大学
CPC classification number: C09K11/7706 , C30B11/00 , C30B29/34
Abstract: 一种Ho掺杂硅酸铋绿光荧光体，其分子式为(Bi1‑xHox)4Si3O12，x为0.0005~0.05。还提供了上述荧光体的制备方法，称取反应原料，将原料充分混合，在700‑750 ℃预烧结，自然冷却后将原料进行研磨，再在800‑850℃下烧结，得到组分均匀的Ho掺杂硅酸铋多晶粉末烧结料；将合成的烧结料装入底部装有BSO籽晶的铂金坩埚中，再将坩埚装入下降炉中，调整到适当位置使原料处于炉膛高温区充分熔融；待晶体生长结束后，进行原位退火处理，将装有生长晶体的坩埚回升到炉膛内恒温区位置，在800‑900℃温度下退火，即得一种Ho掺杂硅酸铋绿光荧光体。通过本发明的方法得到的晶体材料完整性好、质量高。
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公开(公告)号：CN106497564A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610913892.3
申请日：2016-10-20
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/66
CPC classification number: C09K11/7793
Abstract: 本发明提供了一种红色荧光粉，其化学通式为Sr3Ga2Ge4O14:xEu3+，yBi3+，其中x=0.01~0.15，y=0.01~0.07。本发明还公开了上述红色荧光粉的制备方法，即以Sr3Ga2Ge4O14为基质，引入Eu3+作为发光中心，Bi3+作为敏化剂，加入无水乙醇，采用两步烧结工艺，进行高温固相烧结，再经研磨、干燥、过筛即得红色荧光粉。本发明采用Bi3+共掺可以有效敏化Eu3+在基质中的发光性能，合成工艺简单、原料来源广泛、操作方便、重复性好，相较于现有的红色荧光粉(CaS:Eu2+；Ca1-xSrxS:Eu2+等)，具有化学稳定性好，结晶度高、均匀性好、发光性能稳定等特点，适用于工业化生产。
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