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公开(公告)号：CN102544268A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210055499.7
申请日：2012-03-05
Applicant: 复旦大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光二极管表面处理方法，该方法包括以下步骤：提供待处理的半导体发光二极管芯片；提供等离子体处理设备，该等离子体处理设备具有等离子体真空腔体和等离子体放电功能；清洁待处理的半导体发光二极管芯片并将其干燥；将清洁并干燥后的待处理的半导体发光二极管芯片放入等离子体设备的真空腔体内；将等离子体真空腔体抽真空；在抽过真空的等离子体真空腔体内注入氩气或者氮气，并控制真空腔体内的真空度；对等离子体真空腔体内的惰性气体加高压，处理一定时间后结束放电过程，退出等离子体真空腔体。本发明能够去除芯片表面至亚表面的损伤层，降低漏电流，结合后续钝化工艺，进一步改善钝化的效果，降低漏电流。
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公开(公告)号：CN101673802B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910196566.5
申请日：2009-09-27
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L23/13 , H01L23/367 , H01L23/427 , H01L23/28 , H01L23/14 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及了一种集成金属基氮化铝薄膜基板与热管的大功率LED模块及其制备方法。本发明采用单颗或多颗大功率发光二极管LED键合在镀有氮化铝AlN薄膜的铜Cu(或铝Al)基板上，其下部焊接有热管，热管底端焊接有散热片，上部焊接有一个金属框，框内布置有单个或多个发光二极管LED芯片，芯片上部有机硅胶灌封避免了荧光体与芯片直接接触，降低了荧光体光衰；硅胶上部为荧光粉胶体层，荧光体形状为中间厚，周围薄，大大提高了出光均匀性；热管与基板、基板与金属框均采用回流焊接，减少了界面热阻。本发明从衬底、粘结层、荧光粉、基板等多个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力和光学性能，器件可靠性高，可广泛应用于照明领域。
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公开(公告)号：CN101581770B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910054184.9
申请日：2009-06-30
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种LED灯具流明效率测试方法，属测量领域。其构建一与灯具光输出窗口相同尺寸或形状的大面积矩阵型流明光电探测模块，使被测LED灯具的光输出直接照射在大面积矩阵型流明光电探测模块上，扫描矩阵型流明光电探测模块中各个矩阵单元光电探测器的光电流/电压输出信号，将光电数据以及LED灯具总电功率消耗数据输入计算机进行数据累加和处理，进而得到LED灯具输出的总光通量流明和其流明效率。由于其直接接收LED灯具输出的总光通量，可对灯具总光通量进行实时测量，其响应速度快，测试数据的可重复性好，操作方便、快捷，与分布光度计法相比，其设备造价低廉，容易普及到一般实验室，可广泛用于各种灯具的节能性能/发光效率的测试领域。
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公开(公告)号：CN101958236A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055072.5
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/02 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制备方法，包括：提供铝酸锂晶片，使用溅射法在所述铝酸锂晶片上沉积AlN膜层得到半导体衬底。本发明以铝酸锂晶体作为基底，然后在上面采用溅射法沉积AlN膜层制成半导体衬底，由于铝酸锂与GaN的晶格失配度小，作为GaN晶体生长的衬底时，易于制备GaN外延薄膜，并减少由应力引起的高缺陷密度。当在铝酸锂晶片上沉积与GaN晶体结构相同、晶格常数相近的AlN膜层时，可以解决由于铝酸锂晶体和GaN之间的热膨胀差异而导致的GaN外延片开裂的问题。而且，AlN作为缓冲层还可以阻止铝酸锂衬底中Li的挥发，并保护铝酸锂衬底不受酸性或还原性气氛的腐蚀。
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公开(公告)号：CN101589701A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910052306.0
申请日：2009-05-31
Applicant: 上海孙桥农业科技股份有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 一种温室专用杀虫灯，属诱捕领域。包括构成灯体的单色光LED灯，其特征是在单色光LED灯周围，设置反射光波长为一特定光谱范围的单色光板，其单色光LED灯为针对温室鳞翅目类害虫有选择性吸引作用的单色LED灯，单色光板为对同翅目蚜虫、粉虱类害虫有吸引功效的单色黄板和/或对缨翅目蓟马类害虫有选择性吸引作用的单色蓝板；在单色光板的表面，设置粘虫胶层。本发明有效的解决了现有杀虫灯杀虫方式单一、破坏原有生态环境等不足，具有较高的杀虫效率，尤其对特定种类的靶标害虫具有极好的引诱和灭杀功效，经济实用，害虫对此不会产生抗性，利于保护生态环境，安装和使用安全、方便。可广泛用于现代化温室害虫的诱杀/灭害领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101581770A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910054184.9
申请日：2009-06-30
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种LED灯具流明效率测试方法，属测量领域。其构建一与灯具光输出窗口相同尺寸或形状的大面积矩阵型流明光电探测模块，使被测LED灯具的光输出直接照射在大面积矩阵型流明光电探测模块上，扫描矩阵型流明光电探测模块中各个矩阵单元光电探测器的光电流/电压输出信号，将光电数据以及LED灯具总电功率消耗数据输入计算机进行数据累加和处理，进而得到LED灯具输出的总光通量流明和其流明效率。由于其直接接收LED灯具输出的总光通量，可对灯具总光通量进行实时测量，其响应速度快，测试数据的可重复性好，操作方便、快捷，与分布光度计法相比，其设备造价低廉，容易普及到一般实验室，可广泛用于各种灯具的节能性能/发光效率的测试领域。
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公开(公告)号：CN101958251B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200910055074.4
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/428 , H01L21/20 , B23K26/36
Abstract: 本发明涉及一种在铝酸锂晶片上制备图形衬底的方法，包括：提供铝酸锂晶片；用飞秒激光沿平行的方向多次扫描所述铝酸锂晶片的表面，形成多个平行的沟槽，得到铝酸锂晶片图形衬底。与现有技术相比，本发明采用飞秒激光在铝酸锂晶片上刻蚀图形衬底，通过改变飞秒激光的聚焦功率，可以调整沟槽的深宽比，与湿法或干法刻蚀相比，操作简单，更易获得较大深宽比的图形衬底。
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公开(公告)号：CN101717923B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910200280.X
申请日：2009-12-10
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明公开了一种非极性GaN薄膜及其制备方法。该薄膜包括：LiAlO2衬底以及在该衬底上依次生长的低温保护层、U-AlGaN层和高温U-GaN层。其制备方法包括如下步骤：步骤一，生长低温保护层：在MOCVD系统中，以LiAlO2(100)面做衬底，在N2保护下，升温到800-950℃；切换到氢气气氛生长低温保护层U-GaN，反应室压力为150-500torr，TMGa流量为1-50sccm；步骤二，生长U-AlGaN层：降低反应室压力至100-300torr，升温到1000-1100℃，生长U-AlGaN层，TMGa流量为10-150sccm，TMAl的摩尔流量与TMGa流量之比为1/5-2；步骤三，生长高温U-GaN层：停止通入TMAl，继续生长U-GaN。本发明可以有效改善(100)面铝酸锂(LiAlO2)衬底上非极性m(10-10)面GaN薄膜的表面形貌，有利于提高器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN101673802A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910196566.5
申请日：2009-09-27
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L23/13 , H01L23/367 , H01L23/427 , H01L23/28 , H01L23/14 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及了一种集成金属基氮化铝薄膜基板与热管的大功率LED模块及其制备方法。本发明采用单颗或多颗大功率发光二极管LED键合在镀有氮化铝AlN薄膜的铜Cu(或铝Al)基板上，其下部焊接有热管，热管底端焊接有散热片，上部焊接有一个金属框，框内布置有单个或多个发光二极管LED芯片，芯片上部有机硅胶灌封避免了荧光体与芯片直接接触，降低了荧光体光衰；硅胶上部为荧光粉胶体层，荧光体形状为中间厚，周围薄，大大提高了出光均匀性；热管与基板、基板与金属框均采用回流焊接，减少了界面热阻。本发明从衬底、粘结层、荧光粉、基板等多个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力和光学性能，器件可靠性高，可广泛应用于照明领域。
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公开(公告)号：CN100536130C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710046995.5
申请日：2007-10-12
Applicant: 上海大学 , 上海蓝宝光电材料有限公司 , 华东微电子技术研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L25/00 , H01L25/075 , H01L23/36 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及了一种高散热多芯片集成大功率白光发光二极管模块及其制备方法。本发明采用多颗大功率发光二极管LED芯片集成在氮化铝AlN和低温共烧陶瓷LTCC叠层基板上，从衬底、粘结层和基板三个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力。其制备方法包括如下工艺步骤：按设计确定发光二极管LED芯片颗数、烧制叠层基板和电极层、通过共晶工艺将大功率发光二极管LED芯片键合到氮化铝AlN层、线键合和硅胶灌封。本模块散热性能好，提高了多芯片集成大功率发光二极管的光效及可靠性，可应用于照明领域。
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