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公开(公告)号：CN101589701A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910052306.0
申请日：2009-05-31
Applicant: 上海孙桥农业科技股份有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 一种温室专用杀虫灯，属诱捕领域。包括构成灯体的单色光LED灯，其特征是在单色光LED灯周围，设置反射光波长为一特定光谱范围的单色光板，其单色光LED灯为针对温室鳞翅目类害虫有选择性吸引作用的单色LED灯，单色光板为对同翅目蚜虫、粉虱类害虫有吸引功效的单色黄板和/或对缨翅目蓟马类害虫有选择性吸引作用的单色蓝板；在单色光板的表面，设置粘虫胶层。本发明有效的解决了现有杀虫灯杀虫方式单一、破坏原有生态环境等不足，具有较高的杀虫效率，尤其对特定种类的靶标害虫具有极好的引诱和灭杀功效，经济实用，害虫对此不会产生抗性，利于保护生态环境，安装和使用安全、方便。可广泛用于现代化温室害虫的诱杀/灭害领域。
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公开(公告)号：CN101589701B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910052306.0
申请日：2009-05-31
Applicant: 上海孙桥农业科技股份有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海孙桥现代农业联合发展有限公司 , 上海孙桥现代温室种子种苗有限公司
Abstract: 一种温室专用杀虫灯，属诱捕领域。包括构成灯体的单色光LED灯，其特征是在单色光LED灯周围，设置反射光波长为一特定光谱范围的单色光板，其单色光LED灯为针对温室鳞翅目类害虫有选择性吸引作用的单色LED灯，单色光板为对同翅目蚜虫、粉虱类害虫有吸引功效的单色黄板和/或对缨翅目蓟马类害虫有选择性吸引作用的单色蓝板；在单色光板的表面，设置粘虫胶层。本发明有效的解决了现有杀虫灯杀虫方式单一、破坏原有生态环境等不足，具有较高的杀虫效率，尤其对特定种类的靶标害虫具有极好的引诱和灭杀功效，经济实用，害虫对此不会产生抗性，利于保护生态环境，安装和使用安全、方便。可广泛用于现代化温室害虫的诱杀/灭害领域。
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公开(公告)号：CN101779618A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910045469.6
申请日：2009-01-16
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海孙桥农业科技股份有限公司
Abstract: 一种采用单色LED灯对害虫进行选择性诱杀的方法，属消灭有害动物或有害植物用的设备领域。其利用LED发光器件的光谱波长单一性，采用可发出特定/指定波长的LED灯对指定种类的害虫进行诱杀或驱赶；其所述的LED灯为由多个LED发光器件构成的组合/复合式光源。由于其发光源只发出某种特定/指定波长的单色光或几种特定/指定波长的组合单色光，只对某一类或某几类害虫具有“吸引”性，可以避免现有技术中对各类昆虫的“广谱”吸引性，利用不同波长的单色光或单色光组合LED灯对当前高发的害虫进行有针对性的杀灭，是一种真正的生态型诱虫灯。可广泛用于农、林业的捕捉/杀灭/驱除有害昆虫领域。
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公开(公告)号：CN203052458U
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201320066967.0
申请日：2013-02-05
Applicant: 上海孙桥现代温室种子种苗有限公司 , 上海孙桥农业科技股份有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: F21S8/08 , F21V23/04 , A01G9/20 , F21Y101/02
Abstract: 本实用新型公开一种LED育苗补光系统及其补光组件，所述LED育苗补光系统包括：若干组用于育苗补光的补光组件和一用于控制所述补光组件的控制器，所述补光组件包括立柱、水平支杆、LED育苗补光灯和线路，若干个所述LED育苗补光灯设置在所述水平支杆上，所述水平支杆可转动并铰接在所述立柱上，所述控制器连接所述水平支杆和所述LED育苗补光灯。本实用新型可用于农业育苗补光，且光谱、光强可调，操作简单方便的LED育苗补光系统及其补光组件。
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公开(公告)号：CN203040485U
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201320066970.2
申请日：2013-02-05
Applicant: 上海孙桥农业科技股份有限公司 , 上海孙桥现代农业联合发展有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海孙桥现代温室种子种苗有限公司
IPC: A01M1/04
Abstract: 本实用新型公开一种农业害虫诱捕水灯装置，包括盛装有水的敞口喇叭状盛水盆和防水诱虫灯具，所述防水诱虫灯具的灯具主体为可浸泡在水中发光的LED防水灯或灯带，防水诱虫灯具的接线端与电源连接，所述防水诱虫灯具通过支撑杆悬挂在盛水盆上部，LED防水灯或灯带为由上往下倒插入盛水盆水中，接线端在盛水盆上方，LED防水灯或灯带大约有一半插在水中，一半处在水面上，也可以根据需要，通过调整盛水盆的水位来调整灯具主体没入水面的高度，农业害虫在防水诱虫灯具的吸引下会聚集在灯具主体周围，最后跌入水中被捕获或死亡；本实用新型装置实现了低能耗、安全可靠、结构简单，操作便捷的优点，适合在温室内或温室外使用，更是蔬菜大棚诱虫灭虫的理想装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101958251B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200910055074.4
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/428 , H01L21/20 , B23K26/36
Abstract: 本发明涉及一种在铝酸锂晶片上制备图形衬底的方法，包括：提供铝酸锂晶片；用飞秒激光沿平行的方向多次扫描所述铝酸锂晶片的表面，形成多个平行的沟槽，得到铝酸锂晶片图形衬底。与现有技术相比，本发明采用飞秒激光在铝酸锂晶片上刻蚀图形衬底，通过改变飞秒激光的聚焦功率，可以调整沟槽的深宽比，与湿法或干法刻蚀相比，操作简单，更易获得较大深宽比的图形衬底。
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公开(公告)号：CN101717923B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910200280.X
申请日：2009-12-10
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明公开了一种非极性GaN薄膜及其制备方法。该薄膜包括：LiAlO2衬底以及在该衬底上依次生长的低温保护层、U-AlGaN层和高温U-GaN层。其制备方法包括如下步骤：步骤一，生长低温保护层：在MOCVD系统中，以LiAlO2(100)面做衬底，在N2保护下，升温到800-950℃；切换到氢气气氛生长低温保护层U-GaN，反应室压力为150-500torr，TMGa流量为1-50sccm；步骤二，生长U-AlGaN层：降低反应室压力至100-300torr，升温到1000-1100℃，生长U-AlGaN层，TMGa流量为10-150sccm，TMAl的摩尔流量与TMGa流量之比为1/5-2；步骤三，生长高温U-GaN层：停止通入TMAl，继续生长U-GaN。本发明可以有效改善(100)面铝酸锂(LiAlO2)衬底上非极性m(10-10)面GaN薄膜的表面形貌，有利于提高器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN101673802A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910196566.5
申请日：2009-09-27
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L23/13 , H01L23/367 , H01L23/427 , H01L23/28 , H01L23/14 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及了一种集成金属基氮化铝薄膜基板与热管的大功率LED模块及其制备方法。本发明采用单颗或多颗大功率发光二极管LED键合在镀有氮化铝AlN薄膜的铜Cu(或铝Al)基板上，其下部焊接有热管，热管底端焊接有散热片，上部焊接有一个金属框，框内布置有单个或多个发光二极管LED芯片，芯片上部有机硅胶灌封避免了荧光体与芯片直接接触，降低了荧光体光衰；硅胶上部为荧光粉胶体层，荧光体形状为中间厚，周围薄，大大提高了出光均匀性；热管与基板、基板与金属框均采用回流焊接，减少了界面热阻。本发明从衬底、粘结层、荧光粉、基板等多个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力和光学性能，器件可靠性高，可广泛应用于照明领域。
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公开(公告)号：CN101625400A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910056425.3
申请日：2009-08-14
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海光学仪器研究所
Abstract: 一种大数量LED灯具长时同时在线光电检测方法及其装置，属测试领域。其在各光电探测器信号输出端，设置前置放大器、A/D变换模块和无线发射模块，在终端微机系统信号输入端，设置一个受单片机控制的无线数据接收模块；无线数据接收模块和多个无线发射模块构成多对一的、星型网络拓扑结构的无线信号传输单元；将各光电探测器的输出信号进行数字化并按时序地且附有地址编码地进行无线发射，无线数据接收模块在单片机的控制下，对所有无线发射模块所发出的无线传输信号按地址编码进行自动巡检/接收并送入终端微机系统；终端微机系统进行实时自动巡检并采集各组LED灯具的光强变化数据，对每一被测灯具，实施测试管理和集中数据处理。
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公开(公告)号：CN101509144A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910046584.5
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C30B29/38 , C30B29/40 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 一种提高铝酸锂(302)面衬底上非极性a(11－20)面GaN薄膜质量的方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO2)(302)面衬底上，在N2保护下，升温到800－950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150－500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1－50sccm，对应于摩尔流量：4E－6mole/min－3E－4mole/min；然后降低压力至100－300torr，升温到1000－1100℃在氮气气氛下继续生长非掺杂氮化镓(U－GaN)层，TMGa流量为10－150sccm，对应于摩尔流量：4E－5mol/min－7.5E－4mole/min；接着关闭TMGa的流量计，通入硅烷(SiH4)或者二茂镁(Cp2Mg)，生长一层SiNx或者Mg3N2阻挡层，厚度为1－100nm，然后再升温到1050－ 1150℃，在氢气气氛下生长高温U－GaN约1um，TMGa流量为20－200sccm，对应于摩尔流量：8E－5mol/min－1E－3mole/min。通过生长低温保护层，保护铝酸锂衬底不被高温破坏，而高温U－GaN的目的是提高薄膜质量，改善表面平整度。
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