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公开(公告)号：CN104198272A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410437861.6
申请日：2014-08-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种3D-TSV原位拉伸试样及其制备方法，所述试样包括试样柱部分、固定部分和夹持部分，其中：试样柱采用干膜代替正胶制备，以便于金属柱的生长；固定部分与试样柱部分一同电镀完成，并作为试样柱部分与外界连接的端口，以解决试样柱小难以操作的难题；为方便测试仪器的夹持，本发明运用电镀、粘结或焊接方法制备夹持部分，电镀方法是直接在固定端再次图形化一层条状金属，金属两端带圆环，弯折后圆环对齐作为夹持部分；粘结与焊接方法是将以制备好的夹持部分用粘结或焊接直接同固定端连接。本发明设计总体便于操作，步骤简单，在保证准确性的基础上优化了工艺。
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公开(公告)号：CN100456411C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200710037038.6
申请日：2007-02-01
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01H51/01
Abstract: 一种易于集成制造的磁双稳微机械继电器，属于电子元件技术领域。本发明包括：微驱动线圈、切换机构、固定触点，所述的微驱动线圈包括：微驱动线圈绕组、永磁体、软磁磁轭，软磁磁轭位于微驱动线圈绕组的中央、下方和四周，永磁体位于软磁磁轭下方，切换机构和固定触点制作在微驱动线圈表面。本发明降低了集成制造的难度，可以利用现有微电子工艺在基片的正面制作软磁磁轭、线圈绕组、固定触点及切换机构，在背面制作永磁体；利用永磁体来提供导通状态的保持力而无须继续对线圈继续通电，可以避免导通状态的不必要功率损耗、大大降低器件的功耗。
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公开(公告)号：CN101013639A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710037038.6
申请日：2007-02-01
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01H51/01
Abstract: 一种易于集成制造的磁双稳微机械继电器，属于电子元件技术领域。本发明包括：微驱动线圈、切换机构、固定触点，所述的微驱动线圈包括：微驱动线圈绕组、永磁体、软磁磁轭，软磁磁轭位于微驱动线圈绕组的中央、下方和四周，永磁体位于软磁磁轭下方，切换机构和固定触点制作在微驱动线圈表面。本发明降低了集成制造的难度，可以利用现有微电子工艺在基片的正面制作软磁磁轭、线圈绕组、固定触点及切换机构，在背面制作永磁体；利用永磁体来提供导通状态的保持力而无须继续对线圈继续通电，可以避免导通状态的不必要功率损耗、大大降低器件的功耗。
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公开(公告)号：CN1207737C
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN03129276.3
申请日：2003-06-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种悬空结构射频微电感及其制作工艺。属于微电子技术领域。包括：衬底、金属铜螺旋线圈、引线、支撑体、连接体、平面波导线，金属铜螺旋线圈与衬底之间设置有支撑体，支撑体一端与所述的金属铜螺旋线圈连接，支撑体的另一端与衬底连接，在金属铜螺旋线圈与引线连接处设置有连接体，连接体两端分别与金属铜螺旋线圈和引线相连接。工艺具体如下：(1)衬底基片清洗处理；(2)淀积Cr/Cu种子层；(3)甩胶；(4)曝光与显影；(5)电镀；(6)去胶及种子层；(7)甩胶；(8)曝光与显影；(9)电镀；(10)溅射铜种子层；(11)甩胶；(12)曝光与显影；(13)电镀；(14)去胶。本发明使微电感损耗大大降低，性能远远高于相同参数的平面微电感。
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公开(公告)号：CN1477655A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03129276.3
申请日：2003-06-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种悬空结构射频微电感及其制作工艺。属于微电子技术领域。包括：衬底、金属螺旋线圈、引线、支撑体、连接体、平面波导线，金属螺旋线圈与衬底之间设置有支撑体，支撑体一端与所述的金属螺旋线圈连接，支撑体的另一端与衬底连接，在金属螺旋线圈与引线连接处设置有连接体，连接体两端分别与金属螺旋线圈和引线相连接。工艺具体如下：(1)衬底基片清洗处理；(2)淀积Cr/Cu种子层；(3)甩胶；(4)曝光与显影；(5)电镀；(6)去胶及种子层；(7)甩胶；(8)曝光与显影；(9)电镀；(10)溅射铜种子层；(11)甩胶；(12)曝光与显影；(13)电镀；(14)去胶。本发明使微电感损耗大大降低，性能远远高于相同参数的平面微电感。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118654958A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410708162.4
申请日：2024-06-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N1/28 , G01N27/623
Abstract: 本发明提供一种基于量子电轰屏的离析一体化MEMS离子阱，包括：离子源，所述离子源对待测气相样品进行离子化处理，形成离子；离子阱，所述离子阱对所述离子进行分离筛选，形成待测离子；量子电轰屏，所述待测离子撞击所述量子电轰屏，在所述量子电轰屏上形成电压并发出量子点；增强电荷耦合器件，所述增强电荷耦合器件获取量子点的图像信息；处理模块，所述处理模块根据所述图像信息和所述电压，得到待测气相样品的成分信息。本发明的离析一体化MEMS离子阱具有微型化、便携式、响应时间短、灵敏度高等优点，适用于大气环境、航天等领域的检测。
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公开(公告)号：CN108347239B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201810419817.0
申请日：2018-05-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: H03K17/94
Abstract: 本发明公开了一种电磁驱动双稳态光开关，包括：光开关边框；设置于所述光开关边框内部镂空区域的可动中央平台；可扭转的连接所述可动中央平台和所述光开关边框的一对扭梁，所述一对扭梁沿所述可动中央平台的中心线对称分布；设置在所述可动中央平台正面第一侧的第一驱动线圈和设置在所述可动中央平台正面与所述第一侧相对的第二侧的第二驱动线圈；设置在所述可动中央平台正面第一侧的第一组软磁条和设置在所述可动中央平台正面与所述第一侧相对的第二侧的第二组软磁条；设置在所述一对扭梁上的一对引线，所述一对引线的第一引线电连接第一驱动线圈至第一外部电极，所述一对引线的第二引线电连接第二驱动线圈至第二外部电极；以及第一限位结构和第二限位结构。
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公开(公告)号：CN108242433B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201711270635.3
申请日：2017-12-05
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种基于光刻和电镀实现超精细封装引线的方法，具体为：在固定有芯片和金属焊盘的衬底表面涂覆一层干膜光刻胶；进行光刻、显影，在芯片和金属焊盘上的干膜中分别显出过孔；在所形成的表面制备一层种子层；在种子层表面再涂覆一层干膜光刻胶；再进行光刻、显影，使得金属焊盘上方过孔以及过孔之间引线下方的种子层暴露出来；然后在暴露的种子层表面电镀一层铜，形成金属焊盘之间的引线；最后，移除作为牺牲层的干膜光刻胶和种子层，最终形成悬空的引线互连结构。本发明用光刻和电镀工艺代替引线键合，实现芯片与衬底焊盘之间的连接，引线的尺寸不受传统引线键合工艺的制约，使引线的特征尺寸可以进一步缩小到光刻的精度。
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公开(公告)号：CN104698744B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201510051991.0
申请日：2015-01-30
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种利用软质光刻模板进行曲面薄膜图形化微制造方法，属于微加工技术领域。所述技术将腐蚀溶剂涂在软质弹性模的图形表面，然后附着在要刻蚀的薄膜上，与所述弹性模的凸出图形部位接触的所述薄膜表面受到刻蚀，所述薄膜刻蚀结束后去除所述弹性模，得到要刻蚀的图案结构。本发明由于使用了弹性模代替了光刻中使用的硬模，因此相对于传统的光刻技术，软光刻技术更加灵活，它首先能制造复杂的三维结构并且能在曲面上应用，其次能够在不同化学性质表面上使用,并且可以根据需要改变材料表面的化学性质，另外还能够应用于许多材料上，其应用正在许多方面不断体现出来。
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公开(公告)号：CN101033561B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200710038606.4
申请日：2007-03-29
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: C03C17/36 , C03C17/40 , C03C2217/78
Abstract: 一种异形喷丝头制造方法，涉及一种电化学微加工技术领域的制造方法。本发明通过UV-LIGA技术，获得各种形状的超细微喷嘴结构，并通过电化学沉积技术，获得高硬度的出丝面。包括步骤：(1)玻璃片上，溅射金属Ti薄层，并作氧化处理，进行甩负性光刻胶、前烘等处理，实现异形喷嘴光刻胶结构的图形化；(2)溅射Ti-Cu导电层；(3)采用电沉积技术依次进行应力缓冲层、非晶态出丝面层以及模具支撑层的沉积，形成一个完整的模具电铸件；(4)热处理并冷却至室温；(5)进行平坦化加工，去除负胶、Cu应力缓冲层等。本发明可制备出任意形状、超细结构、高精度的喷丝头，且出丝面硬度高、抗划伤能力强、易于批量化生产。
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