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公开(公告)号：CN101413918B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810201598.5
申请日：2008-10-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种电子器件技术领域的大长径比电极阵列及其制造方法，所述阵列由多层大长径比电极按层堆叠，每层大长径比电极的长度方向均平行于基片，每两层大长径比电极之间填充有固态绝缘材料，每一层中的每两个大长径比电极之间填充有固态绝缘材料。所述方法为：在基片表面沉积电极材料薄膜，使用图形转移方法形成大长径比电极阵列；在电极材料表面沉积固态绝缘材料，将电极材料完全覆盖；依次重复，制造多层大长径比电极的堆叠结构，形成大长径比电极阵列；在沿着垂直于大长径比电极长度的方向上使电极阵列断开，电场增强效应最强的区域平行于断开后形成的截面。本发明电场增强系数更高，且其他电场极化特征能更加可控地加以优化。
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公开(公告)号：CN101236178B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810033990.3
申请日：2008-02-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/70
Abstract: 本发明涉及一种检测技术领域的多个标定指标的气体成分分辨与识别方法，利用由局部自持放电产生的离子流作为检测对象，采用“放电电极正极—放电电极负极—检测电极”三极结构形成放电区域和检测区域，通过改变检测电极的加载电压测量某种成分气体在检测区域内不同电场强度下形成的离子电流，将测量得到的“加载电压—检测电极电流”关系作为标定该成分气体的指标，在识别该成分气体时，用相同加载电压下的检测电极电流实测值与标定值进行对比。本发明能够显著提高场致电离气体传感器的选择性、敏感性；相对于间隙击穿电学特征检测方法，本发明能够极大改善器件的稳定性、寿命、可靠性和识别精度。
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公开(公告)号：CN100480169C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510030128.3
申请日：2005-09-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种碳纳米管微图形化方法，属于微纳电子技术、光电子技术和微细加工技术领域。本发明包括以下步骤：(1)碳纳米管膜的制备。(2)在碳纳米管膜上面形成反应离子刻蚀中的掩膜层，根据具体应用要求掩膜层的成分、厚度的选择及其加工工艺分为三种情况：①正胶掩膜层；②负胶掩膜层；③金属掩膜层。(3)反应离子刻蚀碳纳米管，形成碳纳米管图形。(4)去除掩膜层。本发明更好地适应各种不同成分和成膜方法形成的碳纳米管膜的图形化，同时充分利用微电子工艺的高精度图形化优势的碳纳米管图形化技术方案。
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公开(公告)号：CN101383256A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810201597.0
申请日：2008-10-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种电子器件技术领域的大长径比电极的侧壁电极及其制造方法，所述的大长径比电极长度方向彼此平行并且平行于基片，如果电极层数大于两层，则各层堆叠排列，每两层大长径比电极之间填充有固态绝缘材料，所述的大长径比电极，在长度方向上分为相互电绝缘的不同部分，每两个部分之间，存在间隙，其中填充有气态或液态绝缘物质。所述方法为：在基片表面沉积电极材料薄膜，使用图形转移方法形成大长径比电极阵列，如果是单层电极，则直接形成包含电极间隙的图形，如果是多层电极，则在电极材料表面沉积固态绝缘材料，制造多层大长径比电极的堆叠结构，再形成电极间隙。本发明电场增强系数更高，且其他电场极化特征能更加可控地加以优化。
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公开(公告)号：CN101101966A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710109364.3
申请日：2005-08-11
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，Si元素部分取代TeaGebSb100-(a+b)合金中的Ge元素形成的TeaGeb-cSicSb100-(a+b)合金薄膜，其中：48≤a≤60，8≤b≤40，Si取代量c的范围从1到40原子百分比。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101101874A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710043745.6
申请日：2007-07-12
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一种属于微细加工技术领域的刻蚀氮化铝薄膜微图形的方法。具体包括如下步骤：(1)沉积氮化铝薄膜；(2)制备微掩模图形；(3)对氮化铝薄膜进行图形化：置入等离子体刻蚀真空腔中，产生氟基混合气体等离子体，利用物理轰击、化学反应或者两者综合作用对非图形区域的氮化铝薄膜进行刻蚀；(4)去除掩模层。本发明可以对微器件中的氮化铝薄膜进行高质量的图形加工，其优势在于图形质量高、对器件中的金属电极无腐蚀性、反应产物对环境友好。
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公开(公告)号：CN1808111A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510112218.7
申请日：2005-12-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/62
Abstract: 一种微电子技术领域的电离气体传感器微阵列结构。本发明包括：衬底、微电极阵列、微电极条单元、传感器单元，所述的微电极阵列设置在衬底上，包括多个微电极条单元，每对相邻阴阳电极条构成侧壁电极对，可产生可控电场，从而构成一个传感器单元，多个传感器单元组成微电极阵列，依据各个传感器单元内的相邻阴阳电极条的平面几何形状与间距是否相同，传感器单元分为等同单元和相异单元。本发明适于微电子加工技术加工，可将电极形状、间距的多种组合集成在一个微阵列中，因此能对目标气体放电现象的不同电学特征进行系统检测，可以增加检测精度和准确度，易于形成高敏感性、选择性、稳定性、工作安全性和低能耗的微型传感器阵列系统。
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公开(公告)号：CN1792326A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510112217.2
申请日：2005-12-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种传感器技术领域的微型人类呼吸传感器。本发明包括：衬底、微电极或者其阵列层，微电极或者其阵列层设置在衬底上，微电极或者其阵列层中，微电极或者其阵列的阴阳两极由空气间隔相互隔离。本发明灵敏度高，信噪比高，不需要接触人体，安全性、稳定性高，根据应用场合工作电压可以控制在几伏到几十伏，敏感单元核心能耗处于10－5瓦特数量级，结构简单，适于量产，易于阵列化且制造成本低。可以用于医疗、心理分析等领域。
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公开(公告)号：CN1207737C
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN03129276.3
申请日：2003-06-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种悬空结构射频微电感及其制作工艺。属于微电子技术领域。包括：衬底、金属铜螺旋线圈、引线、支撑体、连接体、平面波导线，金属铜螺旋线圈与衬底之间设置有支撑体，支撑体一端与所述的金属铜螺旋线圈连接，支撑体的另一端与衬底连接，在金属铜螺旋线圈与引线连接处设置有连接体，连接体两端分别与金属铜螺旋线圈和引线相连接。工艺具体如下：(1)衬底基片清洗处理；(2)淀积Cr/Cu种子层；(3)甩胶；(4)曝光与显影；(5)电镀；(6)去胶及种子层；(7)甩胶；(8)曝光与显影；(9)电镀；(10)溅射铜种子层；(11)甩胶；(12)曝光与显影；(13)电镀；(14)去胶。本发明使微电感损耗大大降低，性能远远高于相同参数的平面微电感。
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公开(公告)号：CN1606137A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410054208.8
申请日：2004-09-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/32 , H01L21/467 , H01L21/475 , C23F1/02
Abstract: 一种基于纳米材料排布的纳米刻蚀方法，用于电子器件制造领域。本发明包括如下步骤：a.将单分散的无机纳米材料均匀排布在基底表面，形成纳米点、纳米线、纳米网状图形排列；b.以上述纳米阵列和图形作为掩膜，采用反应离子刻蚀和离子束刻蚀工艺，进行纳米图形和阵列的刻蚀，在基底表面形成纳米阵列图案；c.去除表面的纳米材料，获得纳米图形和阵列。本发明所采用的刻蚀工艺与传统工艺兼容，同时在刻蚀过程中以制备好的纳米材料作为掩膜，扩大了所能刻蚀的基底材料种类，而且使刻蚀工艺简化、图形方便可调，易于控制，本发明方法具有简单易行，效率高，表面的图形可控等特点，所制得的图形缺陷少，该方法适用范围广，便于推广和应用。
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