基于微电子加工技术的电离气体传感器微阵列结构

    公开(公告)号:CN100403021C

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200510112218.7

    申请日:2005-12-29

    Abstract: 一种微电子技术领域的电离气体传感器微阵列结构。本发明包括:衬底、微电极阵列、微电极条单元、传感器单元,所述的微电极阵列设置在衬底上,包括多个微电极条单元,每对相邻阴阳电极条构成侧壁电极对,可产生可控电场,从而构成一个传感器单元,多个传感器单元组成微电极阵列,依据各个传感器单元内的相邻阴阳电极条的平面几何形状与间距是否相同,传感器单元分为等同单元和相异单元。本发明适于微电子加工技术加工,可将电极形状、间距的多种组合集成在一个微阵列中,因此能对目标气体放电现象的不同电学特征进行系统检测,可以增加检测精度和准确度,易于形成高敏感性、选择性、稳定性、工作安全性和低能耗的微型传感器阵列系统。

    碳纳米管微结构的制备方法

    公开(公告)号:CN100395171C

    公开(公告)日:2008-06-18

    申请号:CN200510027570.0

    申请日:2005-07-07

    Abstract: 一种碳纳米管微结构的制备方法,步骤包括:基片准备;碳纳米管浆料制备;微结构成模:在经过处理的基片上表面,制成光刻胶层,并经曝光、显影和坚膜工艺以后形成具有所需图形和高度的微图形结构;碳纳米管压铸:采用压铸方法将碳纳米管浆料压入微结构模型中;固化成型:通过加热和保温处理,稳定固化碳纳米管微结构;脱模:通过将经过上述步骤的基片充分浸没在适用于溶解微结构模型的溶液中,在基片表面上形成碳纳米管微结构。本发明集合了常规图形化—光刻技术以及三维微结构—微压铸制造技术的特征,具有制备过程简单,结构图形边界清晰,图形深宽比大,图形化精度高,工艺适用性强等特点,尤其适用于大面积碳纳米管图形化结构的制备。

    使用一维纳米材料的阴阳微空洞电极等离子体器件结构

    公开(公告)号:CN1794410A

    公开(公告)日:2006-06-28

    申请号:CN200510112215.3

    申请日:2005-12-29

    Abstract: 一种微电子技术领域的使用一维纳米材料的阴阳微空洞电极等离子体器件结构。本发明包括:衬底、阴阳微空洞电极、一维纳米结构层。阴阳微空洞电极设置在衬底上,一维纳米结构层覆盖于每个空洞电极内壁的部分或者全部表面。阴阳微空洞电极由气体间隔相互隔离。本发明既可以得到空洞电极特征的等离子体,并利用对侧等离子体的带电粒子漂移和亚稳态进一步提高空洞内部的电离,增加带电粒子产额和亚稳态产额;又可以利用阴阳空洞之间的气体间隙提高气体流动性,增强可控性;一维纳米结构层的加入可以增强电场集中,降低工作电压。

    使用一维纳米材料的微型气体传感器

    公开(公告)号:CN1793893A

    公开(公告)日:2006-06-28

    申请号:CN200510112216.8

    申请日:2005-12-29

    Abstract: 一种传感器技术领域的使用一维纳米材料的微型气体传感器。本发明包括:衬底、金属底电极层、一维纳米材料层、金属支柱层、金属顶电极层。其中,金属底电极层设置在衬底上,一维纳米材料层设置在金属底电极层之上,金属支柱层设置在衬底之上,顶电极设置在衬底上。金属底电极层、一维纳米材料层与金属支柱层之间相互隔离,顶电极层和底电极层、一维纳米材料层之间有气体间隙相互隔离。本发明具有选择性高、灵敏度高、低能耗、成本低、易于实现阵列化、小型化的优点,并有利于提高安全性、稳定性。

    碳纳米管微图形化方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100480169C

    公开(公告)日:2009-04-22

    申请号:CN200510030128.3

    申请日:2005-09-29

    Abstract: 一种碳纳米管微图形化方法,属于微纳电子技术、光电子技术和微细加工技术领域。本发明包括以下步骤:(1)碳纳米管膜的制备。(2)在碳纳米管膜上面形成反应离子刻蚀中的掩膜层,根据具体应用要求掩膜层的成分、厚度的选择及其加工工艺分为三种情况:①正胶掩膜层;②负胶掩膜层;③金属掩膜层。(3)反应离子刻蚀碳纳米管,形成碳纳米管图形。(4)去除掩膜层。本发明更好地适应各种不同成分和成膜方法形成的碳纳米管膜的图形化,同时充分利用微电子工艺的高精度图形化优势的碳纳米管图形化技术方案。

    基于微电子加工技术的电离气体传感器微阵列结构

    公开(公告)号:CN1808111A

    公开(公告)日:2006-07-26

    申请号:CN200510112218.7

    申请日:2005-12-29

    Abstract: 一种微电子技术领域的电离气体传感器微阵列结构。本发明包括:衬底、微电极阵列、微电极条单元、传感器单元,所述的微电极阵列设置在衬底上,包括多个微电极条单元,每对相邻阴阳电极条构成侧壁电极对,可产生可控电场,从而构成一个传感器单元,多个传感器单元组成微电极阵列,依据各个传感器单元内的相邻阴阳电极条的平面几何形状与间距是否相同,传感器单元分为等同单元和相异单元。本发明适于微电子加工技术加工,可将电极形状、间距的多种组合集成在一个微阵列中,因此能对目标气体放电现象的不同电学特征进行系统检测,可以增加检测精度和准确度,易于形成高敏感性、选择性、稳定性、工作安全性和低能耗的微型传感器阵列系统。

    微型人类呼吸传感器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1792326A

    公开(公告)日:2006-06-28

    申请号:CN200510112217.2

    申请日:2005-12-29

    Abstract: 一种传感器技术领域的微型人类呼吸传感器。本发明包括:衬底、微电极或者其阵列层,微电极或者其阵列层设置在衬底上,微电极或者其阵列层中,微电极或者其阵列的阴阳两极由空气间隔相互隔离。本发明灵敏度高,信噪比高,不需要接触人体,安全性、稳定性高,根据应用场合工作电压可以控制在几伏到几十伏,敏感单元核心能耗处于10-5瓦特数量级,结构简单,适于量产,易于阵列化且制造成本低。可以用于医疗、心理分析等领域。

    适用于场致电子器件的碳纳米管侧壁电极结构

    公开(公告)号:CN1770353A

    公开(公告)日:2006-05-10

    申请号:CN200510030262.3

    申请日:2005-09-30

    Abstract: 一种适用于场致电子器件的碳纳米管侧壁电极结构,属于传感器和电子光学器件领域。本发明包括:基片和碳纳米管侧壁电极,基片表面支撑和排列碳纳米管侧壁电极,所述的基片由一种或多种导电材料、半导体材料和绝缘材料组合而成,基层为单层或者多层,基层或者进行图形化从而形成平面或者立体结构,所述的碳纳米管侧壁电极中的碳纳米管暴露于阴极和阳极侧壁。本发明具有电极结构简单,电极间距可以在微电子制造技术的精度范围内有效控制,本发明的碳纳米管侧壁电极同时将碳纳米管应用于阳极和阴极,充分和有效地利用和发挥了碳纳米管电极的性能优势和微电子制造工艺的加工技术优势。

    一种阴阳微空洞电极结构
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100442427C

    公开(公告)日:2008-12-10

    申请号:CN200510112215.3

    申请日:2005-12-29

    Abstract: 一种微电子技术领域的阴阳微空洞电极结构。本发明包括:衬底、阴阳微空洞电极、一维纳米结构层。阴阳微空洞电极设置在衬底上,一维纳米结构层覆盖于阴极空腔结构和阳极空腔结构内壁的部分或者全部表面。阴极和阳极由气体间隙隔离。本发明既可以得到空洞电极特征的等离子体,并利用对侧等离子体的带电粒子漂移和亚稳态进一步提高空洞内部的电离,增加带电粒子产额和亚稳态产额;又可以利用阴阳空洞之间的气体间隙提高气体流动性,增强可控性;一维纳米结构层的加入可以增强电场集中,降低工作电压。

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