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公开(公告)号：CN114730758A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079105.4
申请日：2020-11-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07
Abstract: 使绝缘基板小型化并且可抑制连接不良的电力用半导体装置(100)具备绝缘基板(10)、半导体元件(21)和印刷基板(30)。半导体元件(21)接合到绝缘基板(10)的一个主表面。印刷基板(30)以与半导体元件(21)相向的方式接合。在半导体元件(21)中形成主电极(21b)和信号电极(21c)。印刷基板(30)包含芯材(31)、第一导体层(32)和第二导体层(33)。第二导体层(33)具有键合焊盘(33a)。在印刷基板(30)中形成缺失部(36C)。金属柱部(51C)配置为插通缺失部(36C)内并到达绝缘基板(10)。信号电极(21c)和键合焊盘(33a)通过金属导线(90)连接。金属柱部(51C)和绝缘基板(10)接合。
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公开(公告)号：CN111211060A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911112072.4
申请日：2019-11-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/52 , H01L23/043 , H01L23/14 , H02M1/00 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法，其目的在于得到能够高效地散热的半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具备：绝缘基板，其具有有机绝缘层以及设置于该有机绝缘层之上的电路图案；以及半导体芯片，其设置于该电路图案的上表面，该电路图案的厚度大于或等于1mm且小于或等于3mm。本发明涉及的半导体装置的制造方法在有机绝缘层之上形成厚度大于或等于1mm且小于或等于3mm的金属层，通过机械加工将该金属层进行图案化而形成电路图案，在该电路图案的上表面设置半导体芯片。
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公开(公告)号：CN110880488A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910815062.0
申请日：2019-08-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 本发明涉及半导体装置及电力转换装置，目的在于得到能够容易地制造的半导体装置及电力转换装置。该半导体装置具备：多个半导体芯片；中继基板，其设置于多个半导体芯片之上；第1外部电极；以及第2外部电极，中继基板具备：绝缘板，其形成有贯穿孔；下部导体，其设置于绝缘板的下表面，具有与多个半导体芯片的任意者连接的第1下部导体及第2下部导体；上部导体，其设置于绝缘板的上表面；连接部，其设置于贯穿孔，连接第2下部导体和上部导体；以及凸出部，其为第1下部导体及上部导体中的一者的一部分，从绝缘板向外侧凸出，凸出部与第1外部电极连接，第1下部导体及上部导体中的另一者与第2外部电极连接，俯视观察时容纳于绝缘板的内侧。
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公开(公告)号：CN107546180A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710490908.9
申请日：2017-06-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的是提供可防止由于将外部电极焊接于半导体芯片而产生的问题并减小电流路径的电阻的半导体装置。具备：固定于基板的多个半导体芯片；形成有贯通孔的绝缘板；第1下部导体，其是1个导体，具有形成在该绝缘板下表面的与该多个半导体芯片的任意者电连接的下部主体、俯视观察时延伸至该绝缘板外的下部凸出部；第2下部导体，其形成在该绝缘板下表面，与该多个半导体芯片的任意者电连接；上部导体，其是1个导体，具有在该绝缘板上表面形成的上部主体、俯视观察时延伸至该绝缘板外的上部凸出部；连接部，其设置于该贯通孔，连接该上部主体和该第2下部导体；以及树脂，其覆盖该半导体芯片和该绝缘板，该下部凸出部和该上部凸出部延伸至该树脂之外。
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公开(公告)号：CN110880488B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910815062.0
申请日：2019-08-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 本发明涉及半导体装置及电力转换装置，目的在于得到能够容易地制造的半导体装置及电力转换装置。该半导体装置具备：多个半导体芯片；中继基板，其设置于多个半导体芯片之上；第1外部电极；以及第2外部电极，中继基板具备：绝缘板，其形成有贯穿孔；下部导体，其设置于绝缘板的下表面，具有与多个半导体芯片的任意者连接的第1下部导体及第2下部导体；上部导体，其设置于绝缘板的上表面；连接部，其设置于贯穿孔，连接第2下部导体和上部导体；以及凸出部，其为第1下部导体及上部导体中的一者的一部分，从绝缘板向外侧凸出，凸出部与第1外部电极连接，第1下部导体及上部导体中的另一者与第2外部电极连接，俯视观察时容纳于绝缘板的内侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109599372B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201811139732.3
申请日：2018-09-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/498
Abstract: 抑制半导体装置整体的高度尺寸扩大，且兼顾半导体装置的电绝缘性和压接端子的变形容许度。半导体装置具备绝缘基板、设于绝缘基板上的半导体元件、壳体框、压接端子、设于绝缘基板上的内壁部内侧而封装半导体元件的封装材料。壳体框在绝缘基板的俯视观察时以包围半导体元件的方式设于绝缘基板周缘。壳体框由绝缘物构成，具备外壁部、与外壁部相比设于绝缘基板中央侧的内壁部、夹在外壁部和内壁部间而与外壁部及内壁部一起构成凹部的凹部底面。压接端子具备经由配线与半导体元件连接的根部、从根部立起的主体部、设于主体部上端的压入部，根部埋入至凹部底面，主体部从凹部底面立起，从而主体部在内壁部和外壁部之间延伸，压入部凸出至凹部的上方。
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公开(公告)号：CN112750801A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011146157.7
申请日：2020-10-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 功率半导体装置(100)具有：功率半导体元件(10)；控制电路(50)，其对功率半导体元件(10)进行控制；控制基板(51)，其安装有控制电路(50)；盖(60)，其以在第1方向(A)上与控制基板(51)的至少一部分重叠的方式配置；以及至少一个外部连接端子(70)，其具有与控制基板(51)连接的第1部分(71)、与外部设备连接的第2部分(72)、以及位于第1部分(71)与第2部分(72)之间且与盖(60)固定的第3部分(73)，第1部分(71)构成为压配合部。
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公开(公告)号：CN111446230A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010027903.4
申请日：2020-01-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/62
Abstract: 提供用于在半导体装置中以较短时间发挥熔断器功能的技术。半导体装置具有：绝缘基板(2)的上表面处的第2接合材料(6c)；半导体元件(1)的上表面处的第3接合材料(6b)；通孔(100)，其从第1电路图案(3b)起经由芯材(3c)而到达至第2电路图案(3a)；通孔的内壁处的导电性膜(4)；以及隔热材料(5)，其在通孔的内部，在俯视观察时被导电性膜包围，导电性膜使第1电路图案与第2电路图案导通。
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公开(公告)号：CN106098646B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610268559.1
申请日：2016-04-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/12
Abstract: 本发明提供一种具有高散热性且能够对以热应力为起因的翘曲进行抑制的半导体装置。第1导体层(4)设置在绝缘板(12)的第1面(S1)之上，具有第1体积。第2导体层(2)设置在绝缘板(12)的第2面(S2)之上，具有第2体积。第3导体层(3)设置在绝缘板(12)的第2面(S2)之上，具有第3体积。第3导体层具有比第2导体层厚的安装区域(3M)。第2体积及第3体积之和大于或等于第1体积的70％且小于或等于130％。半导体芯片(1)设置在安装区域(3M)之上。封装部(10)由绝缘体制成，在壳体(9)内将半导体芯片(1)封装。
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公开(公告)号：CN106158761B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201610320016.X
申请日：2016-05-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/10
Abstract: 本技术涉及一种电力用半导体装置，该电力用半导体装置能够对将压接端子向外部基板的孔等插入时的、由外部基板导致的机械应力进行抑制。电力用半导体装置具有：外形壳体(11)；至少1个压接端子(31)，其埋入于外形壳体(11)的上表面；以及多个支撑部(51)，它们从外形壳体(11)的上表面凸出而形成，压接端子(31)的上端与支撑部(51)的上表面相比更加从外形壳体(11)的上表面凸出。
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