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    半导体装置
    22.
    发明公开
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN107564875A

    公开(公告)日：2018-01-09

    申请号：CN201710524567.2

    申请日：2017-06-30

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 清水康贵 ,  大坪义贵 ,  田畑光晴

    IPC: H01L23/48

    Abstract: 就半导体装置(100)而言，具有：电路图案(3)；与电路图案(3)接合的至少大于或等于1根的导线(4)；与导线(4)接合的电极端子(5)；以及半导体元件。电极端子(5)包含：水平延伸部(5A)，其以沿主表面的方式扩展，与导线(4)连接；以及弯折部(5B)，其用于相对于水平延伸部(5A)而变更延伸方向。在俯视观察时，电路图案(3)与导线(4)相接合的接合部(4A、4B)相比于导线(4)与电极端子(5)重叠的部分而配置在外侧。

    半导体装置
    23.
    发明授权
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN115000039B

    公开(公告)日：2025-03-25

    申请号：CN202210129260.3

    申请日：2022-02-11

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 松尾英尧 ,  后藤亮 ,  清水康贵

    IPC: H01L23/49 ,  H01L23/492 ,  H01L25/07

    Abstract: 目的是提供可实现小型化且减小高电位端子与低电位端子间的电感的半导体装置。半导体装置(100)具有：绝缘基板(1)；电路图案(5)，包含在绝缘基板(1)之上设置的低电位电路图案(2)和在绝缘基板(1)之上的与低电位电路图案(2)相邻的区域设置的高电位电路图案(3)；多个半导体芯片(6)，搭载于电路图案(5)之上；低电位端子(7)，一端部与低电位电路图案(2)连接；以及高电位端子(8)，一端部与高电位电路图案(3)连接，高电位端子(8)及低电位端子(7)具有：平板部(8b、7b)，它们构成彼此上下平行地配置的平行平板，在低电位电路图案(2)侧延伸；以及电极部(8c、7c)，它们从绝缘基板(1)凸出。

    半导体装置
    24.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN116936519A

    公开(公告)日：2023-10-24

    申请号：CN202310398447.8

    申请日：2023-04-14

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 清水康贵

    IPC: H01L23/498 ,  H01L25/18

    Abstract: 得到能够提高制造性的半导体装置。第1电路图案(5)在俯视观察时具有凹部(7)。第2电路图案(6)配置于凹部(7)。多个半导体芯片(4)接合至第1电路图案(5)之上。导线(8)将多个半导体芯片(4)的上表面电极与第2电路图案(6)连接。第2电路图案(6)的宽度随着从电流在第2电路图案(6)中流动的电流路径的上游到下游而增大。第1电路图案(5)在俯视观察时在凹部(7)的侧方具有台阶(9)，凹部(7)的宽度与第2电路图案(6)的宽度的增大相匹配地阶梯状增大。

    半导体模块
    26.
    发明公开
    半导体模块 有权

    公开(公告)号：CN114823636A

    公开(公告)日：2022-07-29

    申请号：CN202210041032.0

    申请日：2022-01-14

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 后藤亮 ,  清水康贵

    IPC: H01L23/62

    Abstract: 提供通过设为电感低的电极构造，从而即使在开关元件的高速通断动作时也能够抑制浪涌电压并且能够实现小型化的半导体模块。具有：半导体元件；基板，其搭载半导体元件；散热板，其搭载基板；树脂壳体，其收容基板及半导体元件；以及第1及第2主电流电极，它们供半导体元件的主电流流过，第1及第2主电流电极各自的一端与基板之上的电路图案接合，各自的另一端以凸出至树脂壳体的外部的方式贯通树脂壳体的侧壁而装入，第1及第2主电流电极各自具有至少一部分彼此隔开间隔而平行地重叠的重叠部分，并且各自具有在凸出至树脂壳体的外部的外部凸出部与凸出至树脂壳体的内部的内部凸出部之间设置的倾斜部。

    功率模块
    27.
    发明授权
    功率模块 有权

    公开(公告)号：CN108933087B

    公开(公告)日：2022-06-24

    申请号：CN201810516157.8

    申请日：2018-05-25

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 高桥卓也 ,  清水康贵

    IPC: H01L21/52

    Abstract: 本发明提供功率模块，其能够缓和向配置于配线图案之上的芯片部件的应力，扩大使用温度范围。该功率模块具备：电力用半导体装置；以及芯片部件，其是在与电力用半导体装置电连接的第1及第2电路图案之上，横跨该第1及第2电路图案而配置的，芯片部件配置为第1及第2电极分别位于第1及第2电路图案之上，第1、第2电极与第1、第2电路图案分别通过焊料层而接合，在芯片部件的下表面与第1、第2电路图案之间，分别在靠近第1及第2电极的位置彼此平行地设置2个间隔件，焊料层没有设置于平行的所述2个间隔件的内侧。

    半导体装置及半导体装置的制造方法
    28.
    发明公开
    半导体装置及半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN113496956A

    公开(公告)日：2021-10-12

    申请号：CN202110270338.9

    申请日：2021-03-12

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 清水康贵

    IPC: H01L23/053 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

    Abstract: 涉及半导体装置及其制造方法。目的是提供可削减在对将半导体元件围绕的壳体进行成型时使用的模具的制造所耗费的时间和制造成本的技术。半导体装置(100)具有：基座板(2)；冷却板(1)；绝缘基板(3)；半导体元件(6)；壳体(7)；引线框(8)，其与壳体(7)一体地形成并且在引线框的一个端部形成的端子(8a)凸出至壳体(7)外；以及封装材料(10)。壳体(7)具有：一对第1壳体部件(7a、7b)，以彼此相对的方式配置；以及一对第2壳体部件(7c、7d)，以与一对第1壳体部件(7a、7b)交叉并且彼此相对的方式配置。一对第1壳体部件(7a、7b)与一对第2壳体部件(7c、7d)通过彼此的两个端部连结而形成壳体(7)。

    半导体装置及半导体装置的制造方法
    29.
    发明公开
    半导体装置及半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN111293086A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：CN201911205049.X

    申请日：2019-11-29

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 清水康贵

    IPC: H01L23/04 ,  H01L23/16

    Abstract: 提供与以往相比能够降低半导体装置的成本的半导体装置等。本发明还涉及半导体装置的制造方法。半导体装置(100)具有将作为电子电路的结构要素的半导体元件(S1)所存在的区域(Rg1)包围的壳体(Cs1)。在与区域(Rg1)接触的壳体(Cs1)的内侧固定有树脂部件(50)。在树脂部件(50)设置有作为电子电路的一部分的导电膜(E2)。以导电膜(E2)与区域(Rg1)接触的方式，将该导电膜(E2)设置于树脂部件(50)。

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