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公开(公告)号：CN104641552B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201280075850.7
申请日：2012-09-21
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/21 , H03F1/02 , H03F1/34 , H03F3/189 , H03F3/19 , H03F3/24 , H03F2200/135 , H03F2200/408 , H03F2200/78 , H03G3/3042
Abstract: 设置有：比较器(13)，其检测由检波器(12)检波后的高频信号与从比较器(11)输出的反馈信号(A)之间的差分；比较器(14)，其检测由比较器(13)检测出的差分与从加法器(18)输出的反馈信号(B)之间的差分；以及环路滤波器(15)，其仅使比较器(14)的输出信号中规定的低频频带通过，振幅灵敏度调整器(16)根据环路滤波器(15)的通过信号的变化率来调整可变增益放大器(3)的振幅灵敏度，由此控制可变增益放大器(3)的增益。
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公开(公告)号：CN106098757A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610281369.3
申请日：2016-04-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/40 , H01L29/47 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/8124 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/423 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/402 , H01L29/475
Abstract: 得到一种场效应晶体管，该场效应晶体管能够有效地抑制由与高温RF动作时的本征载流子密度增大相伴的损耗增大所引起的RF特性变差。多个源极电极(6)及多个漏极电极(7)彼此交替地配置，与半导体衬底(1)的主面欧姆接合。多个栅极电极(8)分别配置在多个源极电极(6)和多个漏极电极(7)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。多个漏极电极(7)分别具有彼此被分割开的第1及第2部分(7a、7b)。漏极电极(7)的第1及第2部分(7a、7b)的合计电极宽度比一根源极电极(6)的宽度窄。肖特基电极(13)配置在漏极电极(7)的第1部分(7a)和第2部分(7b)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。
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公开(公告)号：CN104641552A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201280075850.7
申请日：2012-09-21
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/21 , H03F1/02 , H03F1/34 , H03F3/189 , H03F3/19 , H03F3/24 , H03F2200/135 , H03F2200/408 , H03F2200/78 , H03G3/3042
Abstract: 设置有：比较器(13)，其检测由检波器(12)检波后的高频信号与从比较器(11)输出的反馈信号(A)之间的差分；比较器(14)，其检测由比较器(13)检测出的差分与从加法器(18)输出的反馈信号(B)之间的差分；以及环路滤波器(15)，其仅使比较器(14)的输出信号中规定的低频频带通过，振幅灵敏度调整器(16)根据环路滤波器(15)的通过信号的变化率来调整可变增益放大器(3)的振幅灵敏度，由此控制可变增益放大器(3)的增益。
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公开(公告)号：CN103329433A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180065311.0
申请日：2011-11-09
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/0277 , H03F1/34 , H03F1/56 , H03F3/45475 , H03F3/72 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2203/45526 , H03F2203/45528 , H03F2203/45534 , H03F2203/45536 , H03F2203/7215 , H03F2203/7221 , H03F2203/7236 , H03G1/0088 , H03G3/3042
Abstract: 获得一种实现所期望的增益、且抑制了接收带噪声的劣化的输出模式切换放大器。具备：N个放大器，经由切换单元来串联连接；以及控制电路（80A），根据多个输出模式来切换控制N个放大器的连接状态以及接通/断开状态。N个放大器中的P个放大器构成驱动放大器（1）、并且构成包含使自身的输出信号负反馈到自身的输入侧的反馈电路（100）的负反馈型放大器（10）。N-P个放大器构成对负反馈型放大器（10）可分开地串联连接的最末级放大器（2）。控制电路（80A）在第1输出模式中将最末级放大器（2）从负反馈型放大器（10）分开并且使反馈电路（10）无效、在第2输出模式中将最末级放大器（2）串联连接到负反馈型放大器（10）并且使反馈电路（100）有效。
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公开(公告)号：CN1255941C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN01811333.8
申请日：2001-07-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/3229
Abstract: 主放大器输出通路5中的Vs(信号)+Vd(畸变)通过功率合成器27与辅助放大器26输出的G(W)·W·Vd合成，将误差信号Ve(＝Vs+(1+G(W)·W)·Vd)从方向耦合器33向作为自适应滤波器的控制电路39输入。另外，从方向耦合器24取出辅助放大器26的输出G(W)·W·Vd，通过除法器38除以控制电路39输出的设定值W，将G(W)·Vd作为控制电路39的参照信号输入。
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公开(公告)号：CN111133571A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201780095120.6
申请日：2017-09-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/29
Abstract: 发挥锚固效应，并且实现与半导体元件连接的引线的低阻抗化。半导体装置具有：散热器(101)；半导体元件(102)；引线(104)，其配置于散热器的上方；以及模塑材料(109)，其覆盖引线、散热器和半导体元件而形成。在散热器的俯视观察时与引线重叠的位置的下表面的缘部形成比该位置的上表面的缘部更加凸出的第1凸部(101a)，在散热器的俯视观察时不与引线重叠的位置的上表面的缘部形成比该位置的下表面的缘部更加凸出的第2凸部(101c)。
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公开(公告)号：CN104518768A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410503154.2
申请日：2014-09-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/56 , H03F3/245 , H03F2200/111 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/414 , H03F2200/429 , H03F2200/451
Abstract: 本发明的目的在于提供一种适合于小型化的半导体装置。该半导体装置的特征在于，具有：将多个频带的RF信号进行放大的功率放大器(16)；与该功率放大器的输出连接的输出匹配电路(18)；一端与该输出匹配电路的输出连接的第1电容器(30)；多条输出路径(34)；与该第1电容器的另一端连接，并根据频带使该RF信号进入该多条输出路径中的某一条的开关(32)；以及具有多个分别与该多条输出路径串联连接的第2电容器的多个第2电容器(40)，该第1电容器和该多个第2电容器中的至少一方与该开关由同一MMIC(46)构成。
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公开(公告)号：CN103703678A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201180072429.6
申请日：2011-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F1/34
CPC classification number: H03F3/21 , H03F1/34 , H03F2200/36 , H03F2200/438 , H03G3/3042
Abstract: 得到模拟反馈放大器，通过利用振幅调整器（21）以及延迟线路（24），使得不出现群延迟要素的影响，从而能够抑制不需要的相位的变动而实现宽带化。
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公开(公告)号：CN103636121A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280031516.1
申请日：2012-08-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/24 , H03F1/0233 , H03F1/0261 , H03F1/0272 , H03F1/3247 , H03F1/52 , H03F1/56 , H03F3/189 , H03F2200/387 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H04B1/0458
Abstract: 设置阻抗检测器10，根据由功率放大器2输出的高频信号和由天线7反射的高频信号，来检测从功率放大器2观察天线7侧时的阻抗，控制电路11判别由阻抗检测器10检测到的阻抗是否属于特定区域，在该阻抗属于特定区域时，控制功率放大器2的偏置条件或可变匹配电路5的阻抗的至少一方。
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