公开(公告)号：CN103681540A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310416427.5

申请日：2013-09-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫本升 ,  吉松直树 ,  牛岛光一

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/4006 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/345 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/473 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L2023/405 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种功率半导体装置及其制造方法，该功率半导体装置具有：功率半导体元件（1）；高压电极（2），其与功率半导体元件（1）电连接；散热板（4），其与功率半导体元件（1）连接，并具有散热性；冷却体（6），其经由绝缘膜（5）与散热板（4）连接；以及封装体（10），其覆盖高压电极（2）的一部分、冷却体（6）的一部分、功率半导体元件（1）、散热板（4）以及绝缘膜（5）。冷却体（6）包含：基座部（7），其一部分埋设在封装体（10）中；以及冷却部件（8），其与基座部（7）连接。基座部（7）和冷却部件（8）为独立部件，冷却部件（8）固定在从封装体（10）露出的基座部（7）上。

公开(公告)号：CN103219301A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201210385725.8

申请日：2012-10-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 碓井修 ,  吉松直树 ,  菊池正雄

IPC: H01L23/433 ,  H01L23/14 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3755 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73213 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84

Abstract: 本发明涉及功率半导体模块及其制造方法。以低成本提供具有高的冷却性能的功率半导体模块。半导体芯片（120a、140a）的第一芯片主面与热分流器（160a）接合，半导体芯片（120a、140a）的第二芯片主面与第一电极（250a）接合。半导体芯片（120b、140b）的第一芯片主面与热分流器（160b）接合，半导体芯片（120b、140b）的第二芯片主面与第一电极（250b）接合。多个电极（250a、250b、270b、290a、290b）由引线框供给。从热分流器（160a、160b）观察，在与芯片（120a、140a、120b、140b）相反的一侧设置有绝缘构件（210）。从第一电极（250a、250b）观察，在与芯片（120a、140a、120b、140b）相反的一侧设置有绝缘基板。

公开(公告)号：CN115777143B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202080102924.6

申请日：2020-07-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉松直树 ,  白泽敬昭

IPC: H01L23/28

Abstract: 目的在于提供在将半导体装置螺钉紧固于被安装部件时能够抑制蠕变现象的产生且抑制半导体装置的制造成本上升的技术。半导体装置的制造方法具有工序(a)～工序(e)。在工序(a)中准备具有连结杆(5)、框体(4)、环部(6)和多个引线部(2)、(3)的引线框(1)。在工序(b)中制作组装体。在工序(c)中将组装体配置于型腔(23a)内。在工序(d)中，在销(22)被插入至环部(6)的孔(6a)，环部(6)的上表面与上模(20)的内表面抵接的状态下，向型腔(23a)内注入液态的模塑树脂(10)，使其固化而制作树脂成型体(100)。在工序(e)中，在从模塑模具(23)取出树脂成型体(100)后，将框体(4)、连结杆(5)及连接部(7)切断。

公开(公告)号：CN114270504B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN201980099008.9

申请日：2019-08-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉松直树 ,  荒木慎太郎

IPC: H01L23/40

Abstract: 本发明涉及的半导体装置具有：冷却器；半导体封装件，其设置于冷却器的上表面；金属板，其具有在半导体封装件的上表面设置的主要部分；弹簧，其设置于主要部分之上，通过弹力将主要部分朝向半导体封装件的上表面按压；以及固定件，其在被弹簧施加弹力的状态下将弹簧固定于主要部分的上表面，主要部分的与半导体封装件的上表面相对的面是平坦面。

公开(公告)号：CN118431183A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410110503.8

申请日：2024-01-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西山正幸 ,  吉松直树 ,  米山玲

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及半导体制造装置及半导体制造装置的制造方法，目的在于提供通过对端子的形状实施改进，从而能够抑制装置的温度上升的半导体制造装置及半导体制造装置的制造方法。本发明的半导体制造装置具有：半导体模块，其具有半导体元件；封装材料，其对半导体模块进行封装；以及第二端子，其配置于封装材料外。半导体模块具有与半导体元件电连接且延伸至封装材料外的第一端子。第一端子在封装材料外与第二端子接合。在对于第二端子，将与接合的接合面垂直的方向的厚度设为第二端子的厚度，对于第一端子从封装材料延伸出来的延伸部，将与接合的接合面垂直的方向的厚度设为第一端子的厚度时，第二端子的厚度大于第一端子的厚度。

公开(公告)号：CN118116879A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311582910.0

申请日：2023-11-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉松直树 ,  荒木慎太郎

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 以低成本提供可靠性高的半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：散热器；第1焊料层；第2焊料层；半导体元件，具有通过第1焊料层与散热器接合的第1面、与第1面相对的第2面、配置于第1面的第1电极及配置于第2面的第2电极；块，通过第2焊料层与第2电极接合；板，具有第1部及第2部，第2部具有绝缘性且与散热器相接；第1引线框架，与散热器焊接；第2引线框架，与块焊接；绝缘性的封装材料，对第1引线框架、第2引线框架、散热器、第1焊料层、第2焊料层、半导体元件、块进行封装。散热器、块、第1部、第1引线框架、第2引线框架以铜或铜合金为材料，封装材料具有大于等于11ppm/K且小于等于21ppm/K的线膨胀系数。

公开(公告)号：CN117121197A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202180097061.2

申请日：2021-04-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西留依 ,  吉松直树 ,  荒木慎太郎

IPC: H01L23/58

Abstract: 电力用半导体装置(100)具有：电力用半导体芯片(1)，其是电力用半导体元件的芯片；温度感测二极管芯片(4)，其是在作为电力用半导体芯片(1)的主电极之一的表面电极(1a)之上的第1区域搭载的温度感测二极管的芯片；以及引线框(5)，其连接于表面电极(1a)之上的第2区域。在引线框(5)的与温度感测二极管芯片(4)相对的侧面设置有绝缘膜(5a)。

公开(公告)号：CN115335987A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202080098494.5

申请日：2020-03-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉松直树 ,  木本信义

IPC: H01L23/28

Abstract: 目的在于提供能够对在模塑树脂产生裂缝进行抑制，并且对湿气从外部侵入进行抑制的技术。半导体装置(100)具有：散热器(1)；半导体元件(6)，其设置于散热器(1)的上表面；绝缘片材(2)，其设置于散热器(1)的下表面；引线框(8、9)，它们经由焊料(10)接合于半导体元件(6)的上表面；以及模塑树脂(12)，其对引线框(8、9)的一端侧、半导体元件(6)、散热器(1)、及绝缘片材(2)进行封装。从模塑树脂(12)的上表面直至引线框(8)的与半导体元件(6)的接合面为止形成孔部(14)，在孔部(14)填充有杨氏模量比模塑树脂(12)低的低杨氏模量树脂(13)。

公开(公告)号：CN105493272B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201380079233.9

申请日：2013-08-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川濑达也 ,  宫本升 ,  石原三纪夫 ,  藤野纯司 ,  井本裕儿 ,  吉松直树

IPC: H01L23/36

Abstract: 基座板(1)具有固定面和散热面，该散热面是与固定面相反的面。绝缘基板(3)与基座板(1)的固定面接合。导电图案(4、5)设置在绝缘基板(3)之上。在导电图案(4)之上接合有半导体芯片(7、8)。Al导线(12)将半导体芯片(8)的上表面和导电图案(5)连接。绝缘基板(3)、导电图案(4、5)、半导体芯片(7～10)以及Al导线(11～13)由树脂(16)封装。基座板(1)具有金属部(19)和加固件(20)，该加固件(20)设置在金属部(19)内。加固件(20)的杨氏模量比金属部(19)的杨氏模量高。

公开(公告)号：CN104517913B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201410409776.9

申请日：2014-08-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉松直树 ,  新饲雅芳 ,  鹿野武敏 ,  村田大辅 ,  木本信义 ,  井本裕儿 ,  石原三纪夫

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明的目的在于提供一种以低成本兼顾半导体装置的小型化和可靠性的提高的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：陶瓷衬底(1)；多个电路图案(1a)，其配置在陶瓷衬底(1)表面；半导体元件(2)，其配置在至少1个电路图案(1a)的表面；以及封装树脂(4)，其封装陶瓷衬底(1)、多个电路图案(1a)以及半导体元件(2)，在相邻的电路图案(1a)的相对的侧面形成欠切部(1aa)，在欠切部(1aa)中，电路图案(1a)的表面的端部(11)与电路图案(1a)的和陶瓷衬底(1)接触的面的端部(12)相比，向该电路图案(1a)的外侧突出，在欠切部(1aa)中也填充封装树脂(4)。