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公开(公告)号：CN1260815C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN02159818.5
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L21/8249
CPC classification number: H01L21/823892 , H01L21/8249 , H01L27/0222 , H01L27/0623 , H01L27/0921
Abstract: 一种半导体装置，在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其使N型外延硅层51在P型单晶硅衬底50上成长，在该外延硅层51内设置P型阱区域52。设有与P+型阱区域52的底部相接的P+型埋入层55和与该P+型埋入层55局部重叠而形成并将P型阱区域52自单晶硅衬底50电分离的N型埋入层56。在P型阱区域52内设有MOS晶体管。
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公开(公告)号：CN1614783A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410089757.9
申请日：2004-11-05
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/115
CPC classification number: G11C17/16 , H01L27/112 , H01L27/11226
Abstract: 一种可由用户方写入数字数据的ROM。在各存储晶体管上交替多个层积绝缘层、多个金属层(包含作为最上层的金属层的位线BL)的ROM的存储单元阵列MA中，在设置于第一层间绝缘层18的第一接触孔FC2内的W(钨)插塞上形成绝缘层INS。并且，本发明根据是否由从位线BL施加的规定的写入电压(高电压)对绝缘层INS进行绝缘破坏来向各存储晶体管写入数字数据“1”或“0”。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1435891A
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN03101924.2
申请日：2003-01-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L21/822
CPC classification number: H01L29/66272 , H01L27/0664 , H01L27/1443 , H01L31/105
Abstract: 在具有纵向PNP晶体管和光电二极管的现有的光半导体集成电路装置中，因为同一衬底上形成特性不同的两个元件，所以很难同时提高两者的特性。在本发明的具有纵向PNP晶体管(21)和光电二极管(22)的光半导体集成电路装置中，通过非掺杂层叠了第一和第二外延层(24)、(25)。因此，在光电二极管中，能大幅度增加耗尽层形成区域，能实现高速响应。而在纵向PNP(21)晶体管中，用N+型的扩散区域(38)包围了晶体管(21)的形成区域。因此，能大幅度提高纵向PNP晶体管(21)的耐压性。
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公开(公告)号：CN1428862A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02159819.3
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H02M3/073 , H01L27/0222 , H01L27/0623 , H01L27/0928 , H02M2003/075 , H02M2003/078
Abstract: 一种电荷泵装置，可防止闭锁超载现象的发生，同时实现大电流。其设有在P型单晶硅基板50上成长的N型外延硅层51、在该外延硅层51宁间隔形成的P型阱区域52A、52B、这些P型阱区域52A、52B间形成的P型下分离层58及P型上分离层59。而且，在P型阱区域52A内形成电荷转送用晶体管M2，在P型阱区域52B内形成电荷转送用晶体管M3。P型单晶硅基板50被偏置为接地电位或负的电位。
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公开(公告)号：CN1428860A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02159814.2
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0218 , H01L27/0623 , H02M3/073
Abstract: 一种电荷泵装置，可防止闭锁超载现象的发生，同时实现用于该装置的MOS晶体管的高耐压化。其将N型外延半导体层层积于在P型单晶硅基板50上成长的N型外延硅层51A上，在外延硅层51B中间隔设置P型阱区域52A、52B。在P型阱区域52A、52B间设置P型分离层58、59。而且，设置在P型阱区域52A、52B底部相接的P+型埋入层55，在P+型埋入层之下设置N+型埋入层56，将电荷转送用晶体管分别设置在P型阱区域52A、52B中。
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公开(公告)号：CN1291066A
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：CN00129300.1
申请日：2000-10-08
CPC classification number: H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明的课题在于,在使电容话筒一体化用的半导体装置中,防止因不需要的光的入射引起的电路的误操作。在半导体衬底11上形成固定电极层12,利用形成各电路元件的电极布线32在其周边的电路元件区50上构成集成电路网。用屏蔽金属17覆盖电路元件的上方。在钝化膜35上的多个部位上配置衬垫20。在电路元件区50与固定电极层区52之间的区域上形成虚设岛18。对虚设岛18施加电源电位VCC,对P+分离区23施加接地电位GND。
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公开(公告)号：CN1289220A
公开(公告)日：2001-03-28
申请号：CN00128754.0
申请日：2000-09-15
CPC classification number: H04R7/16 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明的课题在于增大半导体驻极体电容话筒的电容值、使振动膜容易振动,同时防止制造成本的上升。在半导体衬底11上形成固定电极层12,在衬垫14上设置了振动膜16。该振动膜16被配置成从半导体衬底11的端部伸出,电极焊区20～23被配置成从振动膜16露出。
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