公开(公告)号：CN1246907C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN03101924.2

申请日：2003-01-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高桥强 ,  大古田敏幸

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/105

Abstract: 在具有纵向PNP晶体管和光电二极管的现有的光半导体集成电路装置中，因为同一衬底上形成特性不同的两个元件，所以很难同时提高两者的特性。在本发明的具有纵向PNP晶体管(21)和光电二极管(22)的光半导体集成电路装置中，通过非掺杂层叠了第一和第二外延层(24)、(25)。因此，在光电二极管中，能大幅度增加耗尽层形成区域，能实现高速响应。而在纵向PNP(21)晶体管中，用N+型的扩散区域(38)包围了晶体管(21)的形成区域。因此，能大幅度提高纵向PNP晶体管(21)的耐压性。

公开(公告)号：CN1312756C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200410012015.6

申请日：2004-09-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高桥强 ,  冈部克也 ,  初谷明

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L27/14683

Abstract: 一种光半导体集成电路装置的制造方法，在现有的光半导体集成电路装置中，反射防止膜的氮化硅膜被作为蚀刻绝缘膜时的蚀刻停止膜使用，通过湿蚀刻一次除去绝缘膜。因此，具有加工精度劣化这样的问题。在本发明的半导体集成电路装置中，在硅衬底(24)上面形成多层配线层后，通过干蚀刻除去光电二极管(21)的反射防止膜上面的绝缘层。此时，多晶硅膜(51)被作为蚀刻停止膜使用。因此，在本发明的光电二极管中虽会使用干蚀刻，但不会超量蚀刻作为反射防止膜的氮化硅膜，故可防止其膜厚的偏差。其结果是，在本发明的光电二极管中，可提高入射光的感度，实现细微化的结构。

公开(公告)号：CN1435891A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03101924.2

申请日：2003-01-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高桥强 ,  大古田敏幸

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/105

Abstract: 在具有纵向PNP晶体管和光电二极管的现有的光半导体集成电路装置中，因为同一衬底上形成特性不同的两个元件，所以很难同时提高两者的特性。在本发明的具有纵向PNP晶体管(21)和光电二极管(22)的光半导体集成电路装置中，通过非掺杂层叠了第一和第二外延层(24)、(25)。因此，在光电二极管中，能大幅度增加耗尽层形成区域，能实现高速响应。而在纵向PNP(21)晶体管中，用N+型的扩散区域(38)包围了晶体管(21)的形成区域。因此，能大幅度提高纵向PNP晶体管(21)的耐压性。

公开(公告)号：CN1677685A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510063927.0

申请日：2005-03-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高桥强 ,  冈部克也 ,  初谷明

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463

Abstract: 一种光半导体集成电路装置，在蓝激光用的光电二极管中，具有位于光电二极管的受光区域上面的开口部的台阶会使遮光膜破断这样的问题。在本发明的光半导体集成电路装置中，在光电二极管的受光区域，通过在绝缘层上阶梯状地形成开口部，降低开口部的台阶。由此，改善覆盖于其上的遮光膜的分步敷层。因此，位于光电二极管的受光区域上面的开口部的台阶不会使遮光膜破断。因此，解决了现有的遮光膜破断这样的问题。

公开(公告)号：CN1305128C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200410079896.3

申请日：2004-09-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高桥强 ,  冈部克也 ,  初谷明

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/311 ,  H01L27/14 ,  H01L31/18 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/10 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14681 ,  H01L31/18

Abstract: 一种光半导体集成电路装置的制造方法。在现有的光半导体集成电路装置中，由于在衬底上面形成多层配线层，故不能使光电二极管上面的层间绝缘层的膜厚均匀，光的入射出现偏差，得不到所需的光敏度。在本发明的光半导体集成电路装置(1)中，在衬底(4)上面形成多层配线层后，通过干蚀除去光电二极管(2)的反射防止膜上面的绝缘层。此时将阻挡金属层(26)用作蚀刻截断膜。这样，本发明可实现简化制造工序，通过采用干蚀谋求细微化。另外，由于反射防止膜自绝缘层露出，故可抑制入射光的偏差，谋求提高光敏度。

公开(公告)号：CN1604307A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410079896.3

申请日：2004-09-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高桥强 ,  冈部克也 ,  初谷明

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/311 ,  H01L27/14 ,  H01L31/18 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/10 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14681 ,  H01L31/18

Abstract: 一种光半导体集成电路装置的制造方法。在现有的光半导体集成电路装置中，由于在衬底上面形成多层配线层，故不能使光电二极管上面的层间绝缘层的膜厚均匀，光的入射出现偏差，得不到所需的光敏度。在本发明的光半导体集成电路装置(1)中，在衬底(4)上面形成多层配线层后，通过干蚀除去光电二极管(2)的反射防止膜上面的绝缘层。此时将阻挡金属层(26)用作蚀刻截断膜。这样，本发明可实现简化制造工序，通过采用干蚀谋求细微化。另外，由于反射防止膜自绝缘层露出，故可抑制入射光的偏差，谋求提高光敏度。

公开(公告)号：CN100536147C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200510063927.0

申请日：2005-03-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高桥强 ,  冈部克也 ,  初谷明

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463

Abstract: 一种光半导体集成电路装置，在蓝激光用的光电二极管中，具有位于光电二极管的受光区域上面的开口部的台阶会使遮光膜破断这样的问题。在本发明的光半导体集成电路装置中，在光电二极管的受光区域，通过在绝缘层上阶梯状地形成开口部，降低开口部的台阶。由此，改善覆盖于其上的遮光膜的分步敷层。因此，位于光电二极管的受光区域上面的开口部的台阶不会使遮光膜破断。因此，解决了现有的遮光膜破断这样的问题。

公开(公告)号：CN100536146C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200510063926.6

申请日：2005-03-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高桥强 ,  冈部克也

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636

Abstract: 一种光半导体集成电路装置，在蓝激光用的光电二极管中，当将Al作为遮光膜使用时，由于Al的分步敷层差，故具有位于光电二极管的形成区域上面的开口部的台阶会使Al破断这样的问题。在本发明的光半导体集成电路装置中，在光电二极管受光区域，在绝缘层上设置开口部，且所述绝缘层上覆盖高熔点金属层作为遮光膜。其结果由于高熔点金属层分步敷层好，故位于光电二极管的形成区域上面的开口部的台阶不会使高熔点金属层破断。因此，解决了现有将Al作为遮光膜使用时遮光膜破断的问题。

公开(公告)号：CN1677684A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510063926.6

申请日：2005-03-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高桥强 ,  冈部克也

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636

Abstract: 一种光半导体集成电路装置，在蓝激光用的光电二极管中，当将Al作为遮光膜使用时，由于Al的分步敷层差，故具有位于光电二极管的形成区域上面的开口部的台阶会使Al破断这样的问题。在本发明的光半导体集成电路装置中，在光电二极管受光区域，在绝缘层上设置开口部，且所述绝缘层上覆盖高熔点金属层作为遮光膜。其结果由于高熔点金属层分步敷层好，故位于光电二极管的形成区域上面的开口部的台阶不会使高熔点金属层破断。因此，解决了现有将Al作为遮光膜使用时遮光膜破断的问题。

公开(公告)号：CN1612320A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410012015.6

申请日：2004-09-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高桥强 ,  冈部克也 ,  初谷明

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L27/14683

Abstract: 一种光半导体集成电路装置的制造方法，在现有的光半导体集成电路装置中，反射防止膜的硅氮化膜被作为蚀刻绝缘膜时的蚀刻截止膜使用，通过湿蚀刻一次除去绝缘膜。因此，具有加工精度劣化这样的问题。在本发明的半导体集成电路装置中，在硅衬底(24)上面形成多层配线层后，通过干蚀刻除去光电二极管21的反射防止膜上面的绝缘层。此时，多晶硅膜(51)被作为蚀刻截止膜使用。因此，在本发明的光电二极管中虽会使用干蚀刻，但不会超量蚀刻作为反射防止膜的硅氮化膜，故可防止其膜厚的偏差。其结果是，在本发明的光电二极管中，可提高入射光的感度，实现细微化的结构。