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公开(公告)号：CN1291065A
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：CN00129299.4
申请日：2000-10-08
CPC classification number: H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明的课题在于防止在半导体驻极体电容话筒中使用的半导体衬底上形成的电子电路的误操作。在半导体衬底11上形成固定电极层12,通过衬垫14设置了振动膜16。将振动膜16的尺寸形成得比固定电极层12的尺寸大,由于将振动膜16作为一种结构要产生寄生电容,故在其间配置屏蔽金属33。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1175710C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN00129299.4
申请日：2000-10-08
CPC classification number: H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明的课题在于防止在半导体驻极体电容话筒中使用的半导体衬底上形成的电子电路的误操作。在半导体衬底11上形成固定电极层12，通过衬垫14设置了振动膜16。将振动膜16的尺寸形成得比固定电极层12的尺寸大，由于将振动膜16作为一种结构要产生寄生电容，故在其间配置屏蔽金属33。
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公开(公告)号：CN100393175C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN00129300.1
申请日：2000-10-08
CPC classification number: H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明的课题在于，在使电容话筒一体化用的半导体装置中，防止因不需要的光的入射引起的电路的误操作。在半导体衬底11上形成固定电极层12，利用形成各电路元件的电极布线32在其周边的电路元件区50上构成集成电路网。用屏蔽金属17覆盖电路元件的上方。在钝化膜35上的多个部位上配置衬垫20。在电路元件区50与固定电极层区52之间的区域上形成虚设岛18。对虚设岛18施加电源电位VCC，对P+分离区23施加接地电位GND。
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公开(公告)号：CN1189061C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN00128754.0
申请日：2000-09-15
CPC classification number: H04R7/16 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明的课题在于增大半导体驻极体电容话筒的电容值、使振动膜容易振动，同时防止制造成本的上升。在半导体衬底11上形成固定电极层12，在衬垫14上设置了振动膜16。该振动膜16被配置成从半导体衬底11的端部伸出，电极焊区20～23被配置成从振动膜16露出。
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公开(公告)号：CN1291066A
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：CN00129300.1
申请日：2000-10-08
CPC classification number: H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明的课题在于,在使电容话筒一体化用的半导体装置中,防止因不需要的光的入射引起的电路的误操作。在半导体衬底11上形成固定电极层12,利用形成各电路元件的电极布线32在其周边的电路元件区50上构成集成电路网。用屏蔽金属17覆盖电路元件的上方。在钝化膜35上的多个部位上配置衬垫20。在电路元件区50与固定电极层区52之间的区域上形成虚设岛18。对虚设岛18施加电源电位VCC,对P+分离区23施加接地电位GND。
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公开(公告)号：CN1289220A
公开(公告)日：2001-03-28
申请号：CN00128754.0
申请日：2000-09-15
CPC classification number: H04R7/16 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明的课题在于增大半导体驻极体电容话筒的电容值、使振动膜容易振动,同时防止制造成本的上升。在半导体衬底11上形成固定电极层12,在衬垫14上设置了振动膜16。该振动膜16被配置成从半导体衬底11的端部伸出,电极焊区20～23被配置成从振动膜16露出。
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