公开(公告)号：CN112384596A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980046316.5

申请日：2019-06-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  赵娟振 ,  崔正敏 ,  韩权愚 ,  高尙兰 ,  金高恩

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供了用于氮化硅膜的蚀刻组成物以及使用其用于蚀刻氮化硅膜的方法。所述蚀刻组成物包含：无机酸或其盐；水；以及以下化合物中的至少一者：式1化合物、式2化合物、以及所述式1化合物的反应产物和/或所述式2化合物的反应产物。

公开(公告)号：CN112166167A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201980034252.7

申请日：2019-04-05

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  高尙兰 ,  赵娟振 ,  崔正敏 ,  韩权愚 ,  张俊英 ,  尹龙云

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 揭示一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法，所述用于氮化硅的蚀刻组成物包含：磷酸化合物；水；以及硅烷化合物及其反应产物中的至少一者。

公开(公告)号：CN107922819A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680047980.8

申请日：2016-07-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 都均奉 ,  金东珍 ,  郑荣哲 ,  兪龙植 ,  崔正敏

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明是有关于一种有机膜的CMP研浆，包括氧化剂及溶剂。本发明的有机膜的CMP研浆具有通过方程式(1)所呈现的为约5°至90°的Δθw，其为水接触角变化，且在将涂布有有机膜而待研磨的晶圆，浸渍于CMP研浆中10小时之后所测量。

公开(公告)号：CN107636110A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680027986.9

申请日：2016-05-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  金泰完 ,  都均奉 ,  姜东宪 ,  金东珍 ,  兪龙植 ,  崔渶楠

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明揭示用于研磨碳含量为约50原子％至约99原子％的有机膜的CMP浆料组合物及使用其的研磨方法。CMP浆料组合物包含：极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；金属氧化物磨蚀剂；氧化剂；以及分子量为3500克/摩尔或小于3500克/摩尔的聚丙烯酸。CMP浆料组合物在研磨具有高碳含量、高膜密度以及高硬度的有机膜时提供优良效应，在研磨有机膜时具有比在研磨无机膜时更佳的研磨速率，在研磨有机膜之后在经研磨表面上提供良好平坦性，以及通过容易自研磨停止膜移除残余有机膜材料而使得研磨更均一。

公开(公告)号：CN118853077A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410854026.6

申请日：2016-09-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  能条治辉 ,  金高恩 ,  金容国 ,  朴容淳

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明揭示一种用于有机膜的化学机械研磨浆料组合物及有机膜研磨方法。化学机械研磨浆料组合物包含超纯水、磨料、含四价铈离子的铈盐及氧化剂，其中氧化剂在酸性区中具有1.72电子伏特或高于1.72电子伏特的氧化电位，且化学机械研磨浆料组合物的pH值为1至7。化学机械研磨浆料组合物可在pH值为1或高于1下使四价铈离子(Ce4+)稳定且因此可展现出对有机膜的高研磨速率。因此，可通过使用化学机械研磨浆料组合物的研磨方法来简单地移除有机膜，尤其是通过自对准双重图案化技术而形成的有机膜。

公开(公告)号：CN116482935A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202211535262.9

申请日：2022-12-02

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  金荣权 ,  许伦旼 ,  李旻映 ,  金旼秀 ,  李圭原 ,  崔正敏 ,  朴哲弘 ,  高武铉 ,  裴相元 ,  金贞儿

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明涉及一种形成图案的方法。该方法包括：在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物，沿着基板的边缘顺序地涂覆两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物，执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜，以及对该含金属的抗蚀剂膜进行曝光和显影以形成抗蚀剂图案；或在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物，沿着基板的边缘涂覆用于去除边缘珠粒的组合物，执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜，曝光含金属的抗蚀剂膜，以及用显影液组合物显影以形成抗蚀剂图案，其中，两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物和显影液组合物的细节如说明书中所述。

公开(公告)号：CN115598939A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210793674.6

申请日：2022-07-07

Applicant: 三星SDI株式会社(KR) ,  三星电子株式会社(KR)

Inventor： 许伦旼 ,  文炯朗 ,  李旻映 ,  金旼秀 ,  金荣权 ,  金宰贤 ,  禹昌秀 ,  崔正敏 ,  高武铉 ,  金贞儿 ,  都星安 ,  裵相元 ,  韩勋 ,  洪锡九

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供了一种含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物，以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法。该含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含有机溶剂和被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中七角环化合物在环中具有至少两个双键。

公开(公告)号：CN111836873B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201980018129.6

申请日：2019-03-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  高尚兰 ,  赵娟振 ,  崔正敏

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种用于氮化硅的蚀刻组成物与使用其进行的半导体元件的蚀刻方法。所述蚀刻组成物包含：磷酸化合物；多元醇；以及水。所述蚀刻组成物相对于氧化硅层对氮化硅层具有高选择性且能够抑制硅化合物的沉淀。

公开(公告)号：CN108138029B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201680056927.4

申请日：2016-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  都均奉 ,  姜东宪 ,  金东珍 ,  兪龙植 ,  郑荣哲 ,  赵炫洙

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法。所述CMP浆料组成物包含氧化铈及硝酸铈，其中由方程式(1)所计算的选择性比为约100或大于100：[方程式(1)]选择性比＝α/β(其中α是对有机膜的研磨速率(埃/分钟)且β是对无机膜的研磨速率(埃/分钟))。本发明的有机膜CMP浆料组成物具有有机膜相对于无机膜的高选择性比。

公开(公告)号：CN111836873A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201980018129.6

申请日：2019-03-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  高尚兰 ,  赵娟振 ,  崔正敏

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种氮化硅膜蚀刻组成物。所述氮化硅膜蚀刻组成物包含：磷酸化合物；多元醇；以及水。所述氮化硅膜蚀刻组成物相对于氧化硅层对氮化硅层具有高选择性且能够抑制硅化合物的沉淀。