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公开(公告)号：CN110176260A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910119977.8
申请日：2019-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器器件包括：形成在半导体管芯中的存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括用于存储数据的多个存储器单元；以及形成在半导体管芯中的计算电路。计算电路基于广播数据和内部数据执行计算，并省略关于无效数据的计算，并且在跳跃计算模式下基于索引数据来执行关于有效数据的计算，其中，广播数据是从半导体管芯的外部提供的，内部数据是从存储器单元阵列读取的，并且索引数据指示内部数据是有效数据还是无效数据。基于索引数据通过跳跃计算模式省略关于无效数据的计算和读取操作降低了功耗。
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公开(公告)号：CN107527649A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710328898.9
申请日：2017-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408 , G11C8/10 , G11C8/06
CPC classification number: G11C11/4087 , G06F12/0207 , G06F2212/1024 , G11C5/063 , G11C7/1066 , G11C7/1093 , G11C11/4076 , G11C11/4085 , G11C11/4093 , G11C11/4096 , G11C2207/107 , G11C2207/2272 , G11C8/06 , G11C8/10 , G11C11/4082
Abstract: 本发明公开了一种存储器器件，其包括连接到字线和第一位线的第一存储器单元，连接到所述字线和第二位线的第二存储器单元，被配置为选择字线的行解码器，以及列解码器。所述行解码器和所述第一存储器单元之间的第一距离比所述行解码器和所述第二存储器单元之间的第二距离短。所述列解码器基于当第一存储器单元被激活的时间点来选择第一位线。
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公开(公告)号：CN106997324A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201611152034.8
申请日：2016-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
Abstract: 一种非易失性存储器模块包括：至少一个非易失性存储器；至少一个非易失性存储器控制器，被配置为控制非易失性存储器；至少一个动态随机存取存储器(DRAM)，用作至少一个非易失性存储器的缓存；数据缓冲器，被配置为存储在至少一个DRAM与外部设备之间交换的数据；和存储器模块控制设备，被配置为控制非易失性存储器控制器、至少一个DRAM和数据缓冲器。至少一个DRAM存储对应于缓存数据的标签并且比较存储的标签与输入的标签信息，以确定是否输出缓存数据。
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公开(公告)号：CN107527642B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201710456913.8
申请日：2017-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种存储器器件和存储器模块。所述存储器器件可包括：连接至字线和位线的存储器单元；第一位线感测放大器，其通过位线连接至存储器单元，并且构造为放大位线的信号；以及第二位线感测放大器，其邻近于第一位线感测放大器布置，并且不连接至位线。可通过从处理器接收的地址选择第二位线感测放大器，并且可根据从处理器接收的命令将数据存储在第二位线感测放大器中或者从第二位线感测放大器输出数据。在本文所述的一些方面，存储器器件可包括高速操作的缓冲存储器，从而提高了存储器模块的性能。
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公开(公告)号：CN107545920B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN201710485044.1
申请日：2017-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408 , G11C11/4093 , G11C11/4096
Abstract: 公开了存储器设备、包括存储器设备的存储器封装以及包括存储器设备的存储器模块。存储器封装包括配置为响应于来自外部设备的第一芯片选择信号而操作的第一存储器设备、配置为响应于来自外部设备的第二芯片选择信号而操作的第二存储器设备以及配置为响应于来自外部设备的第三芯片选择信号而操作的第三存储器设备。第三存储器设备包括缓冲单元，该缓冲单元通过内部数据线与第三存储器设备的内部电路连接，通过第一存储器数据线与第一存储器设备连接，通过第二存储器数据线与第二存储器设备连接，并且通过数据线与外部设备连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114187945A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110861245.3
申请日：2021-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金灿景
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了用于写入数据的电阻式存储器装置及其操作方法。所述电阻式存储器装置包括：电阻式单元，连接在第一位线与第一源极线之间；参考单元，包括参考电阻器，并且连接在第二位线与第二源极线之间；以及写入驱动器，可切换地连接到第一位线或第一源极线，可切换地连接到第二位线或第二源极线。写入驱动器包括比较器，比较器被配置为：通过将第一源极线的电压与第二源极线的电压进行比较或将第一位线的电压与第二位线的电压进行比较来将已写入电阻式单元中的先前数据与目标数据进行比较，并且在将先前数据与目标数据进行比较之后确定目标数据是否被写入电阻式单元中。
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公开(公告)号：CN111199278A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911086263.8
申请日：2019-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/067
Abstract: 提供了包括算术电路的存储器器件和包括该器件的神经网络系统。所述存储器器件包括：存储体，包括被排列在存储器器件的多个字线和多个位线彼此交叉的区域中的多个存储单元；读出放大器，被配置为放大通过多个位线当中的所选位线而发送的信号；以及算术电路，被配置为从读出放大器接收第一操作数，从存储器器件外部接收第二操作数，并且基于在存储器器件中生成的内部算术控制信号，通过使用第一操作数和第二操作数来执行算术运算。
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公开(公告)号：CN107527637A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710397863.0
申请日：2017-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于产生参考电压的包括存储器单元的存储器装置。该存储器装置包括第一存储器单元、第二存储器单元、第三存储器单元、位线感测放大器和开关电路。第一存储器单元连接到第一字线和第一位线。第二存储器单元连接到第一字线和第二位线。第三存储器单元连接到第一字线和第三位线。位线感测放大器连接到第三位线。开关电路连接到第一位线、第二位线和位线感测放大器。开关电路执行第一存储器单元与第一位线之间的电荷共享以产生第一参考电压，并且执行第二存储器单元与第二位线之间的电荷共享以产生第二参考电压。
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公开(公告)号：CN107039059A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710061219.6
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , G11C11/406 , G11C16/10 , H01L25/18
CPC classification number: G11C7/1051 , G11C7/1078 , G11C11/406 , G11C16/10 , H01L25/18
Abstract: 公开了存储器封装。该存储器封装包括非易失性存储器芯片、其存取速度比非易失性存储器芯片的存取速度快的易失性存储器芯片和逻辑芯片，该逻辑芯片用于响应于来自外部装置的刷新命令执行关于易失性存储器芯片的刷新操作和当执行刷新操作时将非易失性存储器芯片中存储的数据的至少一部分迁移到易失性存储器芯片。
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