公开(公告)号：CN110176260B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN201910119977.8

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申岘昇 ,  朴星镐 ,  金灿景 ,  朴涌植 ,  辛尚勋

IPC: G11C5/06 ,  G11C7/10

Abstract: 一种存储器器件包括：形成在半导体管芯中的存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括用于存储数据的多个存储器单元；以及形成在半导体管芯中的计算电路。计算电路基于广播数据和内部数据执行计算，并省略关于无效数据的计算，并且在跳跃计算模式下基于索引数据来执行关于有效数据的计算，其中，广播数据是从半导体管芯的外部提供的，内部数据是从存储器单元阵列读取的，并且索引数据指示内部数据是有效数据还是无效数据。基于索引数据通过跳跃计算模式省略关于无效数据的计算和读取操作降低了功耗。

公开(公告)号：CN110176260A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910119977.8

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申岘昇 ,  朴星镐 ,  金灿景 ,  朴涌植 ,  辛尚勋

IPC: G11C5/06 ,  G11C7/10

Abstract: 一种存储器器件包括：形成在半导体管芯中的存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括用于存储数据的多个存储器单元；以及形成在半导体管芯中的计算电路。计算电路基于广播数据和内部数据执行计算，并省略关于无效数据的计算，并且在跳跃计算模式下基于索引数据来执行关于有效数据的计算，其中，广播数据是从半导体管芯的外部提供的，内部数据是从存储器单元阵列读取的，并且索引数据指示内部数据是有效数据还是无效数据。基于索引数据通过跳跃计算模式省略关于无效数据的计算和读取操作降低了功耗。