公开(公告)号：CN102006540B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201010230193.1

申请日：2010-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄俊式 ,  金东均 ,  郑锡焕 ,  郑秉吉

IPC: H04R17/00 ,  H04R31/00

CPC classification number: H04R17/00 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  H04R2440/07

Abstract: 本发明提供一种具有活塞膈膜的压电微扬声器及其制造方法。该压电微扬声器包括：基板，具有形成在其中的腔室；振动膜，设置在基板上并至少覆盖腔室的中心部分；压电致动器，设置在振动膜上，从而使振动膜振动；以及活塞隔膜，设置在腔室中并通过振动膜的振动进行活塞运动。当振动膜由于压电致动器而振动时，通过活塞杆连接到振动膜的活塞隔膜在腔室中进行活塞运动。

公开(公告)号：CN119317142A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410889478.8

申请日：2024-07-04

Applicant: 三星电子株式会社 ,  崇实大学校产学协力团

Inventor： 吴映泽 ,  柳建旭 ,  黄京旭 ,  朴昌根 ,  宋相勋 ,  廉旼宰 ,  李圭炯 ,  黄俊式

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/10 ,  H10D64/23 ,  H10D64/27 ,  H10D62/824 ,  H10D84/40

Abstract: 本公开提供一种半导体器件以及包括该半导体器件的电子装置。一种半导体器件包括：沟道层，包括第一III‑V族半导体材料；势垒层，提供在沟道层的上表面上，势垒层包括与第一III‑V族半导体材料不同的第二III‑V族半导体材料；多个源极/漏极，在势垒层的上表面上彼此间隔开；栅极绝缘层，覆盖势垒层的上表面和所述多个源极/漏极的上表面；栅极，提供在栅极绝缘层的上表面上，栅极不与所述多个源极/漏极重叠；多个源/漏电极，电连接到所述多个源极/漏极当中的对应源极/漏极；以及栅电极，电连接到栅极，其中所述多个源/漏电极具有对角对称的布置。

公开(公告)号：CN118335852A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410029785.9

申请日：2024-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴映泽 ,  朴俊勇 ,  黄京旭 ,  金东均 ,  金东湖 ,  宋相勋 ,  刘珉哲 ,  黄俊式

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L27/15

Abstract: 提供了一种转移微型半导体芯片的方法和转移结构。该方法包括：提供多个基底转移基板，每个所述基底转移基板包括多个凹槽；在第一底部基板上对准所述多个基底转移基板；在第二底部基板上对准所述多个基底转移基板；通过将微型半导体芯片转移到第一底部基板的基底转移基板来提供目标转移结构；通过将微型半导体芯片转移到第二底部基板的基底转移基板来提供初步转移结构；以及将目标转移结构的基底转移结构当中的未转移微型半导体芯片的错误基底转移结构替换为初步目标转移结构的基底转移结构当中的在其上转移了微型半导体芯片的正常基底转移结构。

公开(公告)号：CN117199207A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310252105.5

申请日：2023-03-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  忠北大学校 ,  产学协力团

Inventor： 黄京旭 ,  郑在旭 ,  黄俊式 ,  金东均 ,  金东湖 ,  金铉埈 ,  朴俊勇 ,  洪硕佑 ,  宋相勋 ,  刘珉哲

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L27/15

Abstract: 提供一种微型芯片，包括具有第一表面和面对第一表面的第二表面的芯片主体、以及在第二表面上的电极层，其中第一表面的表面粗糙度小于电极层的上表面的表面粗糙度，使得第一表面和外部接触表面之间的范德华力大于电极层和外部接触表面之间的范德华力。

公开(公告)号：CN116110815A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202210898505.9

申请日：2022-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉埈 ,  金东均 ,  朴俊勇 ,  洪硕佑 ,  黄京旭 ,  黄俊式

IPC: H01L21/67 ,  H01L25/075 ,  H01L33/38 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供一种器件转移基板以及包括该器件转移基板的器件转移结构和显示装置。该器件转移基板包括多个凹槽，其中所述多个凹槽中的每个包括具有第一图形的形状的第一区域和具有第二图形的形状的第二区域，其中第一区域的一部分与第二区域的一部分部分地重叠以形成重叠区域，其中重叠区域在与穿过第一图形的中心和第二图形的中心的直线交叉的方向上的最大宽度小于第一图形的直径或对角线长度并且小于第二图形的直径或对角线长度。

公开(公告)号：CN116013824A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211287021.7

申请日：2022-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  黄俊式 ,  金东均 ,  金东湖 ,  金铉埈 ,  朴俊勇 ,  洪硕佑

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 提供了一种微半导体芯片转移基板，该微半导体芯片转移基板包括基础基板、提供在基础基板上沿彼此平行的方向延伸并彼此间隔开的导轨、以及在导轨之间提供在基础基板中并配置为容纳微半导体芯片的多个凹槽。

公开(公告)号：CN115939014A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211195921.9

申请日：2022-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东均 ,  金铉埈 ,  洪硕佑 ,  黄京旭 ,  黄俊式

IPC: H01L21/683 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 提供了半导体器件转移结构、显示装置和制造该显示装置的方法。该半导体器件转移结构包括：基板；对准层，提供在基板上并包括陷阱，该陷阱被配置为安置半导体器件；以及转移层，提供在对准层上并包括凹槽。

公开(公告)号：CN115249756A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210219293.7

申请日：2022-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄俊式 ,  黄京旭 ,  金东湖 ,  金铉埈 ,  朴俊勇 ,  洪硕佑

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15

Abstract: 提供了多次使用转移模具和制造显示装置的方法。该多次使用转移模具包括转移基板和提供在转移基板中的多个凹槽，其中每个凹槽包括用于容纳转移微发光器件的转移区域和用于容纳预备微发光器件的预备区域，其中预备区域连接到转移区域。

公开(公告)号：CN115000271A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210121506.2

申请日：2022-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉埈 ,  洪硕佑 ,  黄京旭 ,  黄俊式 ,  金东湖 ,  朴俊勇

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L21/683

Abstract: 提供了一种包括发光元件的显示转移结构和发光元件转移方法。该显示转移结构包括包含多个阱的基板、以及设置在所述多个阱中的多个发光元件，其中所述多个发光元件具有旋转不对称的平面形状，以及其中所述多个阱分别具有与所述多个发光元件中的每个的平面形状不同的平面形状。

公开(公告)号：CN113921421A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110776512.7

申请日：2021-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  黄俊式

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L33/48 ,  H01L27/15

Abstract: 提供用于微型半导体芯片的湿式对准方法和显示器转移结构。用于微型半导体芯片的湿式对准方法包括：将液体供应到包括多个凹槽的转移基板；将微型半导体芯片供应到转移基板上；通过使用能够吸收液体的吸收体扫描转移基板。根据湿式对准方法，微型半导体芯片可以被转移到大面积上。