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公开(公告)号：CN109830548A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201810538676.4
申请日：2018-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L27/146 , G01S17/08
Abstract: 具有小形状尺寸并相对于可见光和红外线两者具有高探测效率的一种光电探测器可以包括第一电极、在第一电极上的收集层、在收集层上的隧道势垒层、在隧道势垒层上的石墨烯层、在石墨烯层上的发射层以及在发射层上的第二电极。该光电探测器可以被包括在图像传感器中。一种图像传感器可以包括基板、在基板上的绝缘层和在绝缘层上的多个光电探测器。光电探测器可以在平行于或垂直于绝缘层的顶表面延伸的方向上彼此对准。光电探测器可以被包括在LiDAR系统中。
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公开(公告)号：CN105280594B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201510042066.1
申请日：2015-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L21/60
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/187 , H01L21/28512 , H01L23/485 , H01L29/1037 , H01L29/165 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/7781 , H01L29/7839 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种石墨烯‑金属接合结构、制造石墨烯‑金属接合结构的方法和包括该石墨烯‑金属接合结构的半导体器件。根据示例实施方式，一种石墨烯‑金属接合结构包括：石墨烯层；在石墨烯层上的金属层；以及在石墨烯层和金属层之间的中间材料层。中间材料层从中间材料层中包含的材料的接触金属层的边界部分与金属层形成边缘接触。
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公开(公告)号：CN103996681B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201310351533.X
申请日：2013-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/792 , H01L29/47 , H01L29/788 , H01L29/16 , H01L21/28 , H01L51/05 , G11C11/40 , G11C16/04 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/792 , B82Y10/00 , G11C11/40 , G11C16/0466 , H01L21/28273 , H01L29/1606 , H01L29/47 , H01L29/7781 , H01L29/788 , H01L51/0512 , Y10S977/734 , Y10S977/938
Abstract: 一种使用石墨烯层作为电荷捕获层的石墨烯存储器和该石墨烯存储器的操作方法。该石墨烯存储器包括：导电的半导体基板；在基板上的彼此间隔开的源极和漏极；石墨烯层，接触基板并且在源极和漏极之间与源极和漏极间隔开；以及在石墨烯层上的栅电极。肖特基势垒形成在基板和石墨烯层之间使得石墨烯层用作储存电荷的电荷捕获层。
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公开(公告)号：CN106410002A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610601246.3
申请日：2016-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明涉及包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件。所述多层结构体包括第一材料层、第二材料层、和扩散阻挡层。所述第二材料层连接至所述第一材料层。所述第二材料层与所述第一材料层隔开。所述扩散阻挡层在所述第一材料层和所述第二材料层之间。所述扩散阻挡层可包括二维(2D)材料。所述2D材料可为非基于石墨烯的材料，如具有2D晶体结构的基于金属硫属化物的材料。所述第一材料层可为半导体或绝缘体，且所述第二材料层可为导体。所述多层结构体的至少一部分可构成用于电子器件的互连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105280594A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510042066.1
申请日：2015-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L21/60
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/187 , H01L21/28512 , H01L23/485 , H01L29/1037 , H01L29/165 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/7781 , H01L29/7839 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种石墨烯-金属接合结构、制造石墨烯-金属接合结构的方法和包括该石墨烯-金属接合结构的半导体器件。根据示例实施方式，一种石墨烯-金属接合结构包括：石墨烯层；在石墨烯层上的金属层；以及在石墨烯层和金属层之间的中间材料层。中间材料层从中间材料层中包含的材料的接触金属层的边界部分与金属层形成边缘接触。
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公开(公告)号：CN103996681A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201310351533.X
申请日：2013-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26
CPC classification number: H01L29/792 , B82Y10/00 , G11C11/40 , G11C16/0466 , H01L21/28273 , H01L29/1606 , H01L29/47 , H01L29/7781 , H01L29/788 , H01L51/0512 , Y10S977/734 , Y10S977/938
Abstract: 一种使用石墨烯层作为电荷捕获层的石墨烯存储器和该石墨烯存储器的操作方法。该石墨烯存储器包括：导电的半导体基板；在基板上的彼此间隔开的源极和漏极；石墨烯层，接触基板并且在源极和漏极之间与源极和漏极间隔开；以及在石墨烯层上的栅电极。肖特基势垒形成在基板和石墨烯层之间使得石墨烯层用作储存电荷的电荷捕获层。
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公开(公告)号：CN100357205C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200410028449.5
申请日：2004-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C03B37/025 , C03B37/03 , C03C25/20
CPC classification number: C03B37/032 , C03B37/02745 , C03B2203/19 , C03B2203/36
Abstract: 本发明公开了一种通过旋压制造光纤的方法和装置，在光纤制造方法中，熔化光纤预制品的端部并从熔化的光纤预制品端部中拉制光纤。接着对光纤涂敷涂层并沿某一方向旋压光纤。通过沿不同方向旋压光纤来消除涂层变形。
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公开(公告)号：CN108063145B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201710599298.6
申请日：2017-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H10K39/32
Abstract: 示例实施方式涉及一种配置为实现高光电转换效率和低暗电流的图像传感器。该图像传感器包括：第一电极和第二电极、提供在第一电极与第二电极之间的多个光探测层、以及提供在光探测层之间的夹层。光探测层将入射光转换成电信号并包括半导体材料。夹层包括具有电导率各向异性的金属性材料或半金属性材料。
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公开(公告)号：CN113675176B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110047413.5
申请日：2021-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种电子装置、控制其的方法和包括其的晶体管。该电子装置包括：第一电极；提供在第一电极上的第二电极；提供在第一电极和第二电极之间的铁电膜；以及提供在铁电膜和第二电极之间的电介质膜，铁电膜的阻抗和电介质膜的阻抗被确定为使得被施加在第一电极和第二电极之间的控制电压等于电容提升操作电压，并且电容提升操作电压由以下的方程式确定：#imgabs0#其中VMAX是电容提升操作电压，Z1是铁电膜的阻抗，Z2是电介质膜的阻抗，tF是铁电膜的厚度，EFM是被施加到铁电膜的具有最大极化变化的电场。
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