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公开(公告)号：CN114019527A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202110668998.2
申请日：2021-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种飞行时间(ToF)传感器的深度像素，包括：公共光电门，设置在所述深度像素的中心区域中；多个浮置扩散区域，设置在围绕所述中心区域的外围区域中；多个解调传输门，设置在所述外围区域中；以及多个溢流门，设置在所述外围区域中。所述解调传输门将由所述公共光电门收集的光电荷传输到所述多个浮置扩散区域。所述解调传输门关于穿过所述深度像素的中心且基本上彼此垂直的水平线和竖直线中的每条线对称。所述溢流门排出由所述公共光电门收集的所述光电荷，并且关于所述水平线和所述竖直线中的每条线对称。
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公开(公告)号：CN113050065A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011110840.5
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01S7/481
Abstract: 提供了包括光源和飞行时间传感器的电子装置、和光检测和测距系统。电子装置包括：飞行时间(ToF)传感器，其包括像素阵列；光源，其发射光信号；和光学装置，其将光信号投射到对象的分别与包括像素阵列的像素的多个像素块相对应的区域。每个像素包括多个抽头，每个抽头包括光电晶体管、与光电晶体管连接的第一传输晶体管、与第一传输晶体管连接的存储元件、与存储元件连接的第二传输晶体管、与第二传输晶体管连接的浮置扩散区和与浮置扩散区连接的读出电路。溢出晶体管与光电晶体管相邻设置并与电源电压连接。
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公开(公告)号：CN111010516A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910664816.7
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369
Abstract: 一种图像传感器，包括：光源，被配置为向目标对象发射光信号；和像素阵列，包括第一像素，第一像素被配置为基于从目标对象反射的光信号产生像素信号，其中，第一像素包括第一光栅极组和第二光栅极组，第一光栅极组包括被配置用于接收在时间间隔内与光信号具有第一相位差的第一栅极信号的至少两个光栅极，第二光栅极组包括被配置用于接收在时间间隔内与光信号具有第二相位差的第二栅极信号的至少两个光栅极。
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公开(公告)号：CN110708483A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910178164.6
申请日：2019-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , G01S17/08 , H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：单元像素，在单元像素中，彼此相邻的第一单元像素和第二单元像素均包括：第一抽头，具有第一光栅极，第一抽头施加有相对于光学信号具有第一相位差的第一信号；以及第二抽头，具有第二光栅极，第二抽头施加有相对于所述光学信号具有第二相位差的第二信号。第一单元像素中的第一抽头的位置和第二单元像素中的第一抽头的位置以及第一单元像素中的第二抽头的位置和第二单元像素中的第二抽头的位置基于第一单元像素与第二单元像素之间的一点或一条直线彼此对称。
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公开(公告)号：CN109801932A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811358377.9
申请日：2018-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/369
Abstract: 一种图像传感器和一种电子装置，该图像传感器包括：多个像素，所述多个像素的每个像素包括光电二极管和对应于光电二极管的转移晶体管、复位晶体管、源极跟随器晶体管和选择晶体管；多个第一互连线，所述多个第一互连线连接到转移晶体管、复位晶体管和选择晶体管的栅极，所述多个第一互连线在第一方向上延伸；以及连接到选择晶体管的源极区的多个第二互连线，所述多个第二互连线在交叉第一方向的第二方向上延伸，其中所述多个第一互连线或所述多个第二互连线在其中安置像素的像素区域之外的外围区域上包括虚设线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102137237A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010614974.0
申请日：2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/341
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/3742 , H04N5/37457 , H04N9/045
Abstract: 本发明提供了互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其像素数据读出方法。CMOS图像传感器包括：第一读出线，其在水平时段期间，从拜耳(Bayer)图案的像素阵列的一列的奇数行中的共用像素组输出像素数据；以及第二读出线，其在水平时段期间，从该像素阵列的列的偶数行中的共用像素组输出像素数据，其中在水平时段期间通过第一至第四读出线输出的像素数据对应于基本拜耳图案，并且每列中从其读出像素数据的像素在每个水平时段在列方向上顺序移位。
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公开(公告)号：CN101110439A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710128377.5
申请日：2007-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14656 , H04N5/347 , H04N5/37457
Abstract: 示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器可以包括多个单元块，每个单元块包括两个单元像素。每个单元块可以包括：两个具有六边形形状的光电二极管；由两个单元像素共享的浮置扩散；分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管；连接到浮置扩散的重置晶体管；栅极与浮置扩散连接的驱动晶体管；和/或与驱动晶体管串联的选择晶体管。示例实施例CMOS图像传感器可以用于数字相机、移动设备、计算机相机等等。
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公开(公告)号：CN109801932B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201811358377.9
申请日：2018-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70 , H04N25/67
Abstract: 一种图像传感器和一种电子装置，该图像传感器包括：多个像素，所述多个像素的每个像素包括光电二极管和对应于光电二极管的转移晶体管、复位晶体管、源极跟随器晶体管和选择晶体管；多个第一互连线，所述多个第一互连线连接到转移晶体管、复位晶体管和选择晶体管的栅极，所述多个第一互连线在第一方向上延伸；以及连接到选择晶体管的源极区的多个第二互连线，所述多个第二互连线在交叉第一方向的第二方向上延伸，其中所述多个第一互连线或所述多个第二互连线在其中安置像素的像素区域之外的外围区域上包括虚设线。
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公开(公告)号：CN110970452B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201910710726.7
申请日：2019-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/702 , H04N25/705
Abstract: 一种3D图像传感器包括深度像素和与深度像素相邻的至少两个偏振像素。深度像素包括在基板中的电荷产生区域。深度像素配置为基于检测从物体反射的光来生成与3D场景中的从3D图像传感器起的物体的深度相关联的深度信息。每个偏振像素包括在基板中的光电二极管和在基板上在光入射方向上的偏振器。偏振像素配置为基于检测从物体反射的光而生成与3D场景中的物体的表面形状相关联的形状信息。偏振像素和深度像素共同地限定单位像素。各偏振器与不同的偏振方向相关联。
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公开(公告)号：CN110739320A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910191275.0
申请日：2019-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种基于飞行时间(ToF)的三维(3D)图像传感器以及包括该图像传感器的电子设备。该基于飞行时间的三维图像传感器包括：至少两个第一光栅极，对称地布置在像素的中心部分中；至少两个第一栅极，被配置为去除在所述至少两个第一光栅极中产生的溢出电荷；以及第一栅极组。所述至少两个第一栅极对称地布置在像素的外部部分中。第一栅极组包括被配置为存储和传输在所述至少两个第一光栅极中产生的电荷的多个栅极。第一栅极组被布置在像素的外部部分中。
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