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公开(公告)号：CN101140806B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200710149020.5
申请日：2007-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/0064
Abstract: 在非易失性存储设备中，通过在编程操作的第一编程间隔期间，在从多个非易失性存储单元中所选择的多个选择存储单元之中的第一组中编程具有第一逻辑状态的数据，随后在第一编程间隔之后的编程操作的第二编程间隔期间，在所选择的存储单元之中的第二组中编程具有不同于第一逻辑状态的第二逻辑状态的数据，在多个非易失性存储单元上执行编程操作。
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公开(公告)号：CN101140801B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200710148538.7
申请日：2007-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0092
Abstract: 一种操作相变随机存取存储器PRAM设备的方法，该方法包括执行编程操作，以将数据存储在该设备的所选PRAM单元中，其中所述编程操作包括多个连续的编程循环。该方法还包括在编程操作的中间挂起编程操作；以及在挂起编程操作之后，响应于继续命令而继续所述编程操作。
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公开(公告)号：CN1811988B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610005029.4
申请日：2006-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4197 , G11C11/409 , G11C11/56 , G11C16/02
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/72
Abstract: 提供了一种在数据写入操作期间偏置存储单元阵列的方法和一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元，其中，存储单元的第一端连接到多条第一线中的对应第一线，且存储单元的第二端连接到多条第二线中的对应第二线；以及偏置电路，用于将选择的第二线偏置到第一电压，并且将未被选择的第二线偏置到第二电压。
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公开(公告)号：CN101004948B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200610168825.X
申请日：2006-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0059 , G11C17/16 , G11C17/165
Abstract: 在一个方案中，一种非易失性存储器包括：相变存储单元阵列，包括多个正常相变存储单元和多个伪一次可编程(OTP)相变存储单元；写驱动器，向相变存储单元阵列的正常和伪OTP相变存储单元写入数据；以及OTP控制器，选择性地使写驱动器失效，其中，OTP控制器包括：OTP模式控制器，响应于命令信号，输出OTP模式信号；以及OTP保护控制器，响应于OTP模式信号，选择性地使写驱动器失效，从而根据在OTP保护控制器的OTP控制器存储器中预先存储的OTP控制信号，选择性地使对所访问的伪OTP相变存储单元的编程失效和生效。
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公开(公告)号：CN1959847B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200610144770.9
申请日：2006-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/72
Abstract: 一种相变随机存取存储器设备包括含有多个相变存储器单元的存储器阵列，每个相变存储器单元都包括相变材料和二极管，多个将位线连接到相应数据线的列选择晶体管，所述位线被连接到相变存储器单元，以及将数据线连接到读出放大器单元的控制节点。在写操作模式时，通过提升第一电压获得的控制电压被分别施施加到控制节点以及列选择晶体管的栅极，地电压被施施加到所选择的一个相变存储器单元的字线。在待机模式时，连接到存储器阵列的相变存储器单元的字线和位线被维持在同一电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100474448C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410046553.7
申请日：2004-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144
Abstract: 一种包括多个存取晶体管和由多个存取晶体管共享的可变相薄膜的相随机存取存储器，每个存取晶体管包括漏极区。可变相薄膜通过第一电极连接到位线，并且通过多个第二电极中的至少一个连接到每个对应的漏极区。
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公开(公告)号：CN101174646A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710110328.9
申请日：2007-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L27/22 , H01L23/522
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/22 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , G11C2213/76
Abstract: 公开了一种半导体存储器件和字线接触部的布局结构，其中，所述半导体存储器件包括：有源区、多个存储单元和字线接触部。有源区沿作为长度方向的第一方向设置在半导体衬底上，并且用作字线。多个存储单元沿第一方向设置在有源区上，并且每一个均由一个可变电阻器件和一个二极管器件组成。在字线接触部中，在各单元之间设置至少一个字线接触部，其中每一个单元均由有源区上的预定数目的存储单元构成。可以防止或大大减少诸如相邻字线之间的短路之类的桥接效应。
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公开(公告)号：CN101004948A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610168825.X
申请日：2006-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0059 , G11C17/16 , G11C17/165
Abstract: 在一个方案中，一种非易失性存储器包括：相变存储单元阵列，包括多个正常相变存储单元和多个伪一次可编程(OTP)相变存储单元；写驱动器，向相变存储单元阵列的正常和伪OTP相变存储单元写入数据；以及OTP控制器，选择性地使写驱动器失效。
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公开(公告)号：CN1272688C
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN03108181.9
申请日：2003-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/49575 , H01L2224/48091 , H01L2225/06527 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于在安装导线框架的上表面和下表面组装两个相同的半导体芯片以形成一个倒装芯片封装的倒装芯片接口电路，其至少包括彼此以镜面对称方式对称形成在芯片上的第一和第二地址焊盘以及第一和第二绑定选择焊盘。第一和第二地址焊盘输入有用于选择第一和第二半导体芯片的操作的信号。第一和第二输入焊盘选择及芯片选择信号响应由芯片的第一和第二地址焊盘及第一和第二绑定选择焊盘得到的信号而输出，第一和第二半导体芯片选择信号响应第一和第二输入焊盘和芯片选择信号而输出，接口使能信号响应第一和第二半导体芯片选择信号而输出。因此，当两个相同的芯片封装为一个半导体器件时，由绑定选择确定接口，从而防止了接口冲突的问题。
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公开(公告)号：CN112017710B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202010453083.5
申请日：2020-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器器件。所述非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列；字线驱动块，通过第一组字线连接到第一组存储器单元，并且通过第二组字线连接到第二组存储器单元；位线偏置和感测块，通过位线连接到第一组存储器单元和第二组存储器单元；可变电流供应块，产生要供应到所选择的字线的字线电流；以及控制逻辑块，接收地址和命令，并且基于地址来控制可变电流供应块以调整字线电流的量。控制逻辑块还根据所选择的字线与基底之间的距离来使字线电流的量变化。
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