公开(公告)号：CN102479804A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110389294.8

申请日：2011-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  徐顺爱 ,  李晟熏 ,  郑现钟 ,  梁喜准

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1606

Abstract: 本发明公开一种石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：栅电极；设置在栅电极上的栅氧化物；形成在栅氧化物上的石墨烯沟道层；以及分别设置在石墨烯沟道层的两端上的源电极和漏电极。在石墨烯沟道层中，多个纳米孔沿石墨烯沟道层的宽度方向布置成单一行。

公开(公告)号：CN102060292A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010541911.7

申请日：2010-11-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 禹轮成 ,  徐大卫 ,  裴秀康 ,  徐顺爱 ,  郑现钟 ,  姜世拉 ,  许镇盛 ,  郑明姬

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B31/0206 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  Y10T156/1041

Abstract: 示例实施例涉及制造和转移大尺寸石墨烯层的方法。转移大尺寸石墨烯层的方法可以包括：在基底上形成石墨烯层、保护层和粘合层；去除所述基底。可以通过将所述石墨烯层滑动到转移基底上来将所述石墨烯层设置在所述转移基底上。

公开(公告)号：CN104103671B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201410175362.4

申请日：2014-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  D·许 ,  禹轮成 ,  李东郁 ,  李载昊 ,  郑现钟 ,  许镇盛 ,  柳寅敬

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78684 ,  H01L31/028 ,  H01L31/08 ,  H01L33/34 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/057 ,  H01L51/428 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。

公开(公告)号：CN103064200B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210397252.3

申请日：2012-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵成豪 ,  郑现钟

IPC: G02F1/025

CPC classification number: G02F1/025 ,  G02F2001/0156 ,  G02F2202/02

Abstract: 本发明提供一种包括石墨烯的光学调制器，该光学调制器包括：第一石墨烯和第二石墨烯，在半导体层的上表面上；第一电极，在第一石墨烯上；以及第二电极，在第二石墨烯上。第一石墨烯和第二石墨烯各自的侧表面彼此分离。半导体层的第一脊部和第二石墨烯上的第二脊部构成光波导，且第一和第二石墨烯在垂直于半导体层的方向上位于光波导的中心部分。

公开(公告)号：CN102050442B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201010504291.X

申请日：2010-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹轮成 ,  戴维·徐 ,  徐顺爱 ,  郑现钟 ,  姜世拉 ,  许镇盛

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B31/0453 ,  B01J23/755 ,  B01J37/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种利用合金催化剂制造石墨烯的方法，该方法可以包括在衬底上形成包括镍的合金催化剂层以及通过将碳氢气体提供到合金催化剂层上来形成石墨烯层。合金催化剂层可以包括从由镍、铜、铂、铁和金构成的组中选出的至少两种。当制造石墨烯时，减少碳在Ni中的溶解性的催化剂金属可以在合金催化剂层中与Ni一起使用。可以调整碳被溶解的量，并且可以制造均匀的石墨烯单层。

公开(公告)号：CN102285660B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201110164676.0

申请日：2011-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晟熏 ,  徐顺爱 ,  禹轮成 ,  郑现钟 ,  许镇盛

IPC: C01B35/00 ,  H01L29/167

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管，该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。

公开(公告)号：CN103094346A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210425342.9

申请日：2012-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑现钟 ,  郑佑仁 ,  金奇南

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/772 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/518 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938

Abstract: 本发明提供了石墨烯晶体管、混合晶体管及其制造方法。该石墨烯晶体管包括：栅极电极，在衬底上；栅极绝缘层，在栅极电极上；石墨烯沟道，在栅极绝缘层上；源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道上，源极电极和漏极电极彼此分离；以及盖，覆盖源极电极和漏极电极的上表面并在源极电极与漏极电极之间的石墨烯沟道之上形成空气间隙。

公开(公告)号：CN103064200A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210397252.3

申请日：2012-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵成豪 ,  郑现钟

IPC: G02F1/025

CPC classification number: G02F1/025 ,  G02F2001/0156 ,  G02F2202/02

Abstract: 本发明提供一种包括石墨烯的光学调制器，该光学调制器包括：第一石墨烯和第二石墨烯，在半导体层的上表面上；第一电极，在第一石墨烯上；以及第二电极，在第二石墨烯上。第一石墨烯和第二石墨烯各自的侧表面彼此分离。半导体层的第一脊部和第二石墨烯上的第二脊部构成光波导，且第一和第二石墨烯在垂直于半导体层的方向上位于光波导的中心部分。

公开(公告)号：CN102050442A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010504291.X

申请日：2010-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹轮成 ,  戴维·徐 ,  徐顺爱 ,  郑现钟 ,  姜世拉 ,  许镇盛

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B31/0453 ,  B01J23/755 ,  B01J37/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种利用合金催化剂制造石墨烯的方法，该方法可以包括在衬底上形成包括镍的合金催化剂层以及通过将碳氢气体提供到合金催化剂层上来形成石墨烯层。合金催化剂层可以包括从由镍、铜、铂、铁和金构成的组中选出的至少两种。当制造石墨烯时，减少碳在Ni中的溶解性的催化剂金属可以在合金催化剂层中与Ni一起使用。可以调整碳被溶解的量，并且可以制造均匀的石墨烯单层。

公开(公告)号：CN101325218A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810110124.X

申请日：2008-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑现钟 ,  郑兰珠 ,  徐顺爱 ,  金东彻 ,  李章元

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/12 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/18 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/11807 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/2203 ,  H01L29/7606 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法。所述场效应晶体管可包括：双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、漏区以及沟道区以单片结构形成；栅电极，位于沟道区上；绝缘层，隔离栅电极与双极性层，其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接。