公开(公告)号：CN109285847A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201810154273.X

申请日：2018-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金海龙 ,  李载昊 ,  赵常玹 ,  申铉振

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种光电转换元件以及包括该光电转换元件的光学传感器。光电转换元件可以包括多个晶格堆叠，该多个晶格堆叠在基板上一个在另一个的顶部上重复地堆叠并配置为具有有效带隙。所述多个晶格堆叠可以每个包括第一有源层和在第一有源层上的第二有源层。第一有源层可以包括具有第一带隙的第一二维材料。第二有源层可以包括具有不与第一带隙重叠的第二带隙的第二二维材料。有效带隙可以基于第一二维材料和第二二维材料的类型、第一有源层和第二有源层的厚度、以及所述多个晶格堆叠的一个在另一个的顶部上重复堆叠的次数来调整。

公开(公告)号：CN108063145A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201710599298.6

申请日：2017-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  李载昊 ,  李殷奎 ,  朴晟准 ,  李基荣 ,  许镇盛

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L27/14667 ,  B82Y15/00 ,  H01L27/14636 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/074 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/307

Abstract: 示例实施方式涉及一种配置为实现高光电转换效率和低暗电流的图像传感器。该图像传感器包括：第一电极和第二电极、提供在第一电极与第二电极之间的多个光探测层、以及提供在光探测层之间的夹层。光探测层将入射光转换成电信号并包括半导体材料。夹层包括具有电导率各向异性的金属性材料或半金属性材料。

公开(公告)号：CN109037222B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201810558824.9

申请日：2018-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  金海龙 ,  赵常玹 ,  申铉振

IPC: H10B41/20

Abstract: 提供包括2维(2D)材料的非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的装置。非易失性存储器件可以包括在沟道元件与面对沟道元件的栅极电极之间的包括多个电荷存储层的存储堆叠。多个电荷存储层可以包括2D材料。层间势垒层可以进一步设置在多个电荷存储层之间。该非易失性存储器件可以由于所述多个电荷存储层而具有多位或多电平存储特性。

公开(公告)号：CN115440805A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210624256.4

申请日：2022-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔悳铉 ,  许镇盛 ,  文泰欢 ,  赵常玹

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种薄膜结构、包括该薄膜结构的半导体器件和包括该半导体器件的半导体装置。薄膜结构包括基板和在基板上的铁电层。铁电层包括具有萤石结构的化合物，其中 晶向在基板的法线方向上取向，并且具有正交相并包含氟。铁电层可以具有铁电性。

公开(公告)号：CN115117172A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210185515.8

申请日：2022-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔德铉 ,  许镇盛 ,  李润姓 ,  赵常玹

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；在衬底上或衬底中的至少一个处的沟道层；在衬底上的绝缘层；在绝缘层上的铁电层；在绝缘层和铁电层之间的界面上的固定电荷层，固定电荷层包括第一极性的电荷；以及在铁电层上的栅极。

公开(公告)号：CN113345795A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202011319958.9

申请日：2020-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李润姓 ,  许镇盛 ,  金尚昱 ,  文泰欢 ,  赵常玹

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 提供一种铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件，该铁电薄膜结构包括半导体基板、在半导体基板上的第一铁电层和在半导体基板上的第二铁电层。第二铁电层与第一铁电层间隔开并具有与第一铁电层不同的介电常数。第一铁电层和第二铁电层可以在其中包含的掺杂剂的量方面彼此不同，并可以在应用于晶体管时表现出不同的阈值电压。

公开(公告)号：CN112635561A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011013829.7

申请日：2020-09-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  金尚昱 ,  李润姓 ,  赵常玹

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及畴切换器件、制造其的方法及系统及制造电子装置的方法。该畴切换器件包括：沟道区、连接到沟道区的源极和漏极、与沟道区不接触的栅电极、在沟道区和栅电极之间的反铁电层、在栅电极和反铁电层之间以接触反铁电层的导电层以及在反铁电层和沟道区之间的阻挡层。

公开(公告)号：CN110854198A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910438194.6

申请日：2019-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  赵常玹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种逻辑开关器件及其制造方法。逻辑开关器件可以包括与栅电极相邻的畴转变层。畴转变层可以包括铁电材料区域和反铁电材料区域。畴转变层可以是非存储元件。逻辑开关器件可以包括沟道、都连接到沟道的源极和漏极、布置为面对沟道的栅电极、以及提供在沟道和栅电极之间的畴转变层。

公开(公告)号：CN109830548A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201810538676.4

申请日：2018-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  李载昊 ,  金海龙 ,  申铉振

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L27/146 ,  G01S17/08

Abstract: 具有小形状尺寸并相对于可见光和红外线两者具有高探测效率的一种光电探测器可以包括第一电极、在第一电极上的收集层、在收集层上的隧道势垒层、在隧道势垒层上的石墨烯层、在石墨烯层上的发射层以及在发射层上的第二电极。该光电探测器可以被包括在图像传感器中。一种图像传感器可以包括基板、在基板上的绝缘层和在绝缘层上的多个光电探测器。光电探测器可以在平行于或垂直于绝缘层的顶表面延伸的方向上彼此对准。光电探测器可以被包括在LiDAR系统中。