公开(公告)号：CN109256328A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810030517.3

申请日：2018-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  朴晟准 ,  申铉振 ,  李润姓 ,  郑盛骏 ,  A.郑

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 提供硬掩模组合物、其制法和使用其形成图案化的层的方法。所述硬掩模组合物可包括石墨烯量子点、金属化合物、和溶剂。所述金属化合物可与所述石墨烯量子点化学键合(例如，共价键合)。所述金属化合物可包括金属氧化物、金属碳化物、或其组合。所述金属氧化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)氧化物、钛(Ti)氧化物、钨(W)氧化物、或铝(Al)氧化物，和所述金属碳化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)碳化物、钛(Ti)碳化物、钨(W)碳化物、或铝(Al)碳化物。所述石墨烯量子点可通过M-O-C键或M-C键与所述金属化合物键合，其中M为金属元素，O为氧，且C为碳。

公开(公告)号：CN106054533A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610028493.9

申请日：2016-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  朴晟准 ,  赵连柱

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/094 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/36 ,  G03F7/09 ,  G03F7/0017

Abstract: 本发明涉及硬掩模组合物和使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。硬掩模组合物可包括具有在约5nm-约100nm范围内的尺寸的石墨烯纳米颗粒和溶剂。

公开(公告)号：CN119815870A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411407337.4

申请日：2024-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊荣 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10D62/80

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一沟道层和第二沟道层，在第一方向上彼此间隔开并且每个包括二维(2D)半导体材料；第一源电极，在第一沟道层和第二沟道层之间以同时与第一沟道层和第二沟道层接触；第一漏电极，在第一沟道层和第二沟道层之间以在垂直于第一方向的第二方向上与第一源电极间隔开并且同时与第一沟道层和第二沟道层接触；第一栅电极，布置在由第一源电极、第一漏电极、第一沟道层和第二沟道层围绕的第一内部空间中；以及第一栅极绝缘层，在第一内部空间中围绕第一栅电极。

公开(公告)号：CN109254499B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201810756231.3

申请日：2018-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  金尚元 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李润姓 ,  郑盛骏 ,  A.郑

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/00

公开(公告)号：CN117542888A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202310806799.2

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞贞恩 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  申建旭 ,  李殷奎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体器件可以包括包含二维(2D)半导体材料的沟道层、在沟道层的中央部分上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅电极、以及分别接触沟道层的相反侧的第一导电层和第二导电层。第一导电层和第二导电层中的每个可以包括金属硼化物。

公开(公告)号：CN117438462A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310389698.X

申请日：2023-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  权俊荣 ,  南志卓 ,  俞敏硕

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：至少一个第一二维材料层；分别在所述至少一个第一二维材料层的两侧的源电极和漏电极；第二二维材料层，分别在源电极的一侧和漏电极的一侧并连接到所述至少一个第一二维材料层；围绕所述至少一个第一二维材料层的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上的栅电极。

公开(公告)号：CN117423728A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202310879146.7

申请日：2023-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌炫 ,  薛珉洙 ,  权俊荣 ,  申建旭 ,  俞敏硕

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H10B10/00 ,  H10B41/35 ,  H10B43/35

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子装置。一种半导体器件包括：沟道，包括二维(2D)半导体材料；源电极和漏电极，分别电连接到沟道的相对两侧；过渡金属氧化物层，在沟道上并包括过渡金属氧化物；电介质层，在过渡金属氧化物层上并包括高k材料；以及栅电极，在电介质层上。

公开(公告)号：CN106067739B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201610244475.4

申请日：2016-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  朴晟准

IPC: H02N1/04

Abstract: 一种摩擦电产生器包括：彼此面对的第一电极和第二电极；以及第一能量产生层，提供在第一电极上并且通过与其它材料接触而产生电能，第一能量产生层包括具有二维(2D)形状的晶体结构的2D材料。

公开(公告)号：CN109307983A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810735125.7

申请日：2018-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛骏 ,  申铉振 ,  金尚元 ,  朴晟准 ,  薛珉洙 ,  李东郁 ,  李润姓 ,  A.郑

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/56

Abstract: 提供用于光掩模的表膜组合物和表膜、形成该表膜的方法、掩模版、曝光设备和制造器件的方法，所述用于光掩模的表膜由所述表膜组合物形成。所述表膜组合物包括：选自石墨烯量子点和石墨烯量子点前体的至少一种，所述石墨烯量子点具有约50nm或更小的尺寸；和溶剂。

公开(公告)号：CN106230305A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610379613.X

申请日：2016-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  朴晟准

IPC: H02N1/04

CPC classification number: H02N1/04

Abstract: 示例实施方式涉及摩擦电发电机，该摩擦电发电机包括：第一电极和面对第一电极的摩擦电材料层；和自组装单层，在第一电极和摩擦电材料层之间并与第一电极的表面或摩擦电材料层的表面结合。根据要被结合的材料，自组装单层由包括硅烷基团、硅醇基团或硫醇基团的材料形成或包括具有硅烷基团、硅醇基团或硫醇基团的材料。