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发明公开
包括二维材料的半导体器件及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN117438462A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310389698.X

申请日：2023-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 , 权俊荣 , 南志卓 , 俞敏硕

IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/08 , H01L29/10 , H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：至少一个第一二维材料层；分别在所述至少一个第一二维材料层的两侧的源电极和漏电极；第二二维材料层，分别在源电极的一侧和漏电极的一侧并连接到所述至少一个第一二维材料层；围绕所述至少一个第一二维材料层的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上的栅电极。

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