公开(公告)号：CN101276819A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810087429.3

申请日：2008-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩祯希 ,  金志永 ,  王康龙 ,  金桢雨 ,  蔡洙杜 ,  朴赞真

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种非易失性存储器件，其可以实现高集成度并且具有高可靠性。多个第一半导体层被堆叠在衬底上。多个第二半导体层分别被插入到多个第一半导体层之间，并且从多个第一半导体层的每一个的一端凹陷，以便在多个第一半导体层之间限定多个第一沟槽。在多个第一沟槽内部的第二半导体层表面上提供多个第一存储节点。该器件还包括多个第一控制栅电极，其形成于多个第一存储节点上，用于填充多个第一沟槽。

公开(公告)号：CN100383976C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200410079460.4

申请日：2004-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金桢雨 ,  李兆远 ,  金汶庆

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/14

CPC classification number: H01L29/792 ,  G11C16/0466

Abstract: 本发明公开了一种SONOS存储器件及从其中擦除数据的方法。通过穿过隧道氧化膜能垒将热空穴注入到氮化膜中而擦除数据。所述热空穴通过形成于至少与一条位线接触的第一和第二电极中之一和与字线接触的栅电极之间的强电场而产生。该擦除方法提高了擦除速度，因此改进了SONOS存储器件的性能。

公开(公告)号：CN1734773A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510092281.9

申请日：2005-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  李兆远 ,  金桢雨 ,  李殷洪 ,  徐顺爱 ,  金元柱 ,  蔡熙顺 ,  蔡洙杜 ,  宋利宪

IPC: H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C11/5621 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551

Abstract: 提供了一种互补非易失性存储器件及其操作和制造方法，包括该器件的逻辑器件和半导体器件，以及用于该器件的读电路。所述互补非易失性存储器件包括第一非易失性存储器和第二非易失性存储器，它们被顺序的堆叠并具有互补关系。

公开(公告)号：CN1574361A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410076664.2

申请日：2004-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  蔡洙杜 ,  金柱亨 ,  金桢雨

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/28282

Abstract: 提供一种SONOS存储装置及其制造方法。SONOS存储装置包括基材以及形成在该基材上并具有开关和数据存储功能的多功能装置。多功能装置包括第一和第二杂质区、形成在第一和第二杂质区之间的沟道以及形成在沟道上用于数据存储的堆栈材料。用于数据存储的堆栈材料是通过依次将隧道氧化物层、存储数据的存储节点层、阻挡层以及电极层堆叠而成。