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公开(公告)号：CN109920813A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201811206670.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造发光器件封装的方法，包括：形成单元阵列，该单元阵列包括半导体发光器以及分离区域，该半导体发光器包括衬底上的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层以及有源层，该单元阵列具有与衬底接触的第一表面；通过去除衬底来暴露出分离区域的第一表面；在分离区域中的第一表面上形成晶种层；在发光器上形成光致抗蚀剂图案，使得光致抗蚀剂图案暴露出晶种层；通过镀覆光致抗蚀剂图案暴露出的区域来形成分隔结构，该分隔结构分离发光器；通过去除光致抗蚀剂图案来形成分隔结构的发光窗口，使得发光器在发光窗口的下端处暴露出来；以及通过用波长转换材料填充发光窗口来形成波长转换器。
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公开(公告)号：CN109119408A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810935119.6
申请日：2016-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/44 , H01L33/50
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管，其包括发光结构、发光结构上的光学波长转换层和光学波长转换层上的光学滤波器层。发光结构包括第一导电类型的半导体层、第一导电类型的半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型的半导体层，并且发射具有第一峰值波长的第一光。光学波长转换层吸收从发光结构发射的第一光，并且发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光，并且透射从光学波长转换层发射的第二光。
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公开(公告)号：CN108695355A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810234077.3
申请日：2018-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L33/62 , H01L27/156 , F21K9/232 , F21V19/001 , F21Y2115/10
Abstract: 一种半导体发光装置包括：多个发光单元，其包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；绝缘层，其位于所述多个发光单元上，并且在所述多个发光单元中的每一个中，绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口分别限定第一导电类型半导体层的第一接触区和第二导电类型半导体层的第二接触区；连接电极，其位于绝缘层上，并且将第一接触区与第二接触区连接，以将所述多个发光单元彼此电连接；透明支承衬底，其位于绝缘层和连接电极上；以及透明键合层，其位于绝缘层与透明支承衬底之间。
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公开(公告)号：CN107731861A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710684847.X
申请日：2017-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/156 , H01L33/50 , H01L33/60
Abstract: 本发明提供发光装置封装件和显示装置。发光装置封装件包括：具有多个发光窗口的用于生长的衬底；多个半导体发光单元，其对应于多个发光窗口，每个半导体发光单元具有与用于生长的衬底接触的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且每个半导体发光单元具有彼此堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；多个波长转换单元，其分别布置在多个发光窗口内，每个波长转换单元被构造为提供与对应的半导体发光单元发射的光波长不同的光；金属支承层，其布置在多个半导体发光单元中的每一个的至少一个表面上，并且具有与用于生长的衬底的侧表面共面的侧表面；和绝缘层，其布置在多个半导体发光单元中的每一个与对应的金属支承层之间。
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公开(公告)号：CN103247730A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310034044.1
申请日：2013-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y99/00 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , Y10S977/734
Abstract: 本发明公开了一种紫外发光二极管及其制造方法，所述紫外发光二极管包括：n型半导体层；布置在所述n型半导体层上的有源层；布置在所述有源层上并且由p型AlGaN形成的p型半导体层；以及布置在所述p型半导体层上并且由掺杂了p型掺杂剂的石墨烯形成的p型石墨烯层。所述紫外发光二极管通过降低与p型半导体层的接触电阻并使得紫外线透射率最大化而具有提高的发光效率。
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公开(公告)号：CN117410391A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310865347.1
申请日：2023-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种制造LED模块的方法、一种LED模块和一种显示设备。所述方法包括：在生长衬底上形成第一导电类型的半导体基底层；在第一导电类型的半导体基底层上形成具有第一开口至第三开口的掩模图案，其中，第一开口至第三开口具有不同宽度并且以相同间距排列；分别在第一开口至第三开口中同时形成第一发光层叠件至第三发光层叠件；从第一导电类型的半导体基底层去除掩模图案；以及去除第一发光层叠件至第三发光层叠件中的每一个的边缘区，其中，第一发光层叠件至第三发光层叠件分别包括被配置为发射不同波长的光的第一有源层至第三有源层。
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公开(公告)号：CN109119408B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201810935119.6
申请日：2016-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/44 , H01L33/50
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管，其包括发光结构、发光结构上的光学波长转换层和光学波长转换层上的光学滤波器层。发光结构包括第一导电类型的半导体层、第一导电类型的半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型的半导体层，并且发射具有第一峰值波长的第一光。光学波长转换层吸收从发光结构发射的第一光，并且发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光，并且透射从光学波长转换层发射的第二光。
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公开(公告)号：CN113725205A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110557677.5
申请日：2021-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示装置包括：电路基板，其包括驱动电路；LED单元阵列，其设置在电路基板上，并且包括多个LED模块，所述多个LED模块中的每一个包括LED单元阵列的多个LED单元当中的至少两个LED单元以及将所述至少两个LED单元彼此耦接的绝缘体；间隙填充层，其填充所述多个LED模块之间的间隙；分区结构，其设置在LED单元阵列上，并且限定分别设置在与所述多个LED单元对应的区域中的多个光发射窗口；以及至少一个颜色转换层，其设置在所述多个光发射窗口的至少一部分中。
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公开(公告)号：CN107731861B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201710684847.X
申请日：2017-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供发光装置封装件和显示装置。发光装置封装件包括：具有多个发光窗口的用于生长的衬底；多个半导体发光单元，其对应于多个发光窗口，每个半导体发光单元具有与用于生长的衬底接触的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且每个半导体发光单元具有彼此堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；多个波长转换单元，其分别布置在多个发光窗口内，每个波长转换单元被构造为提供与对应的半导体发光单元发射的光波长不同的光；金属支承层，其布置在多个半导体发光单元中的每一个的至少一个表面上，并且具有与用于生长的衬底的侧表面共面的侧表面；和绝缘层，其布置在多个半导体发光单元中的每一个与对应的金属支承层之间。
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公开(公告)号：CN107123717B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710107360.5
申请日：2017-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种制造发光器件封装件的方法。该方法包括：制备包括一个或多个光阻挡区和一个或多个波长转换区的薄膜条；制备发光器件，每个发光器件包括一个或多个发光区；将薄膜条键合至发光器件，以将一个或多个波长转换区放置在发光器件中的每一个的一个或多个发光区上；以及将薄膜条和发光器件切割成分离的器件单元。
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