公开(公告)号：CN112018179A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010096134.3

申请日：2020-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜承模 ,  梁炆承 ,  柳宗烈 ,  李始炯 ,  张星旭 ,  崔恩憓

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：沟道图案，所述沟道图案包括堆叠在衬底上的第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，所述栅电极覆盖沟道图案的顶表面和侧表面并沿第一方向延伸，并且包括位于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第一栅极段；栅极间隔物，所述栅极间隔物覆盖栅电极的侧表面，并且包括暴露沟道图案的开口；以及第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案位于栅极间隔物的侧部，并且通过开口与沟道图案接触，所述第一源极/漏极图案包括：在第一栅极段的高度处并且在开口的中心处的侧壁中心厚度；以及在第一栅极段的高度处并且在开口的边缘处的侧壁边缘厚度，侧壁边缘厚度为侧壁中心厚度的约0.7至1倍。

公开(公告)号：CN107546258A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710479728.0

申请日：2017-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  徐东灿 ,  金彻 ,  宋宇彬 ,  尹智堰 ,  李承烈

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件包括：第一多沟道有源图案，其从衬底突出并具有第一高度；第二多沟道有源图案，其在衬底上、与衬底间隔开、并具有小于第一高度的第二高度；以及栅电极，其在衬底上、交叉第一多沟道有源图案和第二多沟道有源图案。

公开(公告)号：CN105826387A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610037286.X

申请日：2016-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  崔恩惠 ,  金善政 ,  李承勋 ,  李炫姃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/06 ,  H01L29/1033

Abstract: 提供了半导体衬底和半导体器件。所述半导体衬底包括底部衬底、底部衬底上的第一硅锗层以及第一硅锗层上的第二硅锗层。第二硅锗层的锗分率在离开底部衬底的方向上减小，并且第二硅锗层的最下面部分的锗分率大于第一硅锗层的最上面部分的锗分率。

公开(公告)号：CN104425492A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410442976.4

申请日：2014-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  穆罕默德·拉基布·乌丁 ,  李明宰 ,  李商文 ,  李成训 ,  赵成豪

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供了一种互补金属氧化物半导体器件及其制造方法。在互补金属氧化物半导体器件中，缓冲层处于硅衬底上，包含第Ⅲ-Ⅴ主族材料的第一层处于缓冲层上。包含第Ⅳ主族材料的第二层处于缓冲层或硅衬底上，且第二层与第一层间隔开。

公开(公告)号：CN101740694B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN200910225274.X

申请日：2009-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆国 ,  蔡秀熙 ,  朴永洙 ,  金泽 ,  梁炆承 ,  丁亨洙 ,  朴宰彻 ,  金峻渊

IPC: H01L33/12

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。本发明提供一种采用晶片接合方法制造的发光二极管(LED)以及通过采用晶片接合方法制造LED的方法。晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插设由金属形成的应力弛豫层。当采用应力弛豫层时，由于金属的柔性，接合基板和生长基板之间的应力可以被抵消，并且由此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。