公开(公告)号：CN1625799A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN02828976.5

申请日：2002-07-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  陶氏康宁公司

Inventor： 梁成勋 ,  格伦·塞尔尼A ,  丁奎夏 ,  黄秉槿 ,  洪完植

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，更具体地，涉及一种可显著改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，从而解决寄生电容问题以获得高开口率结构，而当通过CVD或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，利用硅烷气体可以缩短加工时间。

公开(公告)号：CN101487961A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910002122.3

申请日：2009-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹甲洙 ,  梁成勋 ,  金成烈 ,  吴和烈 ,  崔在镐 ,  崔龙模

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/017 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F2202/108 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种显示基板以及包括该显示基板的显示装置。所述显示基板包括：栅极布线；第一半导体图案，所述第一半导体图案形成在所述栅极布线上并且具有第一能带隙；第二半导体图案，所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且具有第二能带隙，所述第二能带隙大于所述第一能带隙；数据布线，所述数据布线形成在所述第一半导体图案上；以及像素电极，所述像素电极与所述数据布线电连接。由于所述第二能带隙大于所述第一能带隙，因此在所述第一半导体图案中形成量子阱，从而提高其中的电子迁移率。

公开(公告)号：CN1319125C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN02828976.5

申请日：2002-07-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  陶氏康宁公司

Inventor： 梁成勋 ,  格伦·塞尔尼A ,  丁奎夏 ,  黄秉槿 ,  洪完植

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，更具体地，涉及一种可显著改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，从而解决寄生电容问题以获得高开口率结构，而当通过CVD或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，利用硅烷气体可以缩短加工时间。

公开(公告)号：CN1956225A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610152496.X

申请日：2006-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秉浚 ,  梁成勋 ,  吴旼锡 ,  崔在镐 ,  崔龙模

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

Abstract: TFT包括栅极、活性层、源极、漏极、和缓冲层。栅极形成在基板上，活性层形成在栅极上。形成在活性层上的源极和漏极分离预定距离。缓冲层形成在活性层与源极及漏极之间。缓冲层具有对应于缓冲层厚度的基本连续变化的含量比。缓冲层被形成以抑制活性层的氧化，并降低接触电阻。