公开(公告)号：CN1319125C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN02828976.5

申请日：2002-07-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  陶氏康宁公司

Inventor： 梁成勋 ,  格伦·塞尔尼A ,  丁奎夏 ,  黄秉槿 ,  洪完植

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，更具体地，涉及一种可显著改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，从而解决寄生电容问题以获得高开口率结构，而当通过CVD或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，利用硅烷气体可以缩短加工时间。

公开(公告)号：CN1625799A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN02828976.5

申请日：2002-07-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  陶氏康宁公司

Inventor： 梁成勋 ,  格伦·塞尔尼A ,  丁奎夏 ,  黄秉槿 ,  洪完植

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，更具体地，涉及一种可显著改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，从而解决寄生电容问题以获得高开口率结构，而当通过CVD或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，利用硅烷气体可以缩短加工时间。